高功率插接连接器系统技术方案

技术编号:35558850 阅读:17 留言:0更新日期:2022-11-12 15:40
本发明专利技术涉及一种高功率插接连接器系统,所述高功率插接连接器系统具有电缆连接壳体,所述电缆连接壳体用于连接至少两个高功率电插接连接器,以用于传输和/或分配高电流强度和/或高电压,其中,所述电缆连接壳体在内部空间中容纳用于各容纳至少一个高功率触头的至少两个绝缘体和至少一个导电轨,其中所述轨被设计成在至少两个高功率触头之间建立导电连接,并且其中所述绝缘体至少部分地各通过一个壳体穿孔从所述内部空间突出到连接区域中,其中所述连接区域设计用于容纳所述高功率插接连接器。接器。接器。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】高功率插接连接器系统


[0001]本专利技术涉及一种根据独立权利要求1的类型的高功率插接连接器系统。
[0002]为了传输和/或分配高电压和高电流,需要这种高功率插接连接器系统。在此特别注意在轨道车辆的地板下区域的适用性,特别是轨道车和轨道车厢彼此的连接。

技术介绍

[0003]现有技术中已知的解决方案能够在车辆之间或在具有附接的模块的车辆之间传输和/或分配高电流和/或电压。然而,这些解决方案通常规定了相应接触元件的不利且部分不可松脱的固定。
[0004]此外,现有技术的特别的缺点是,缺乏易于维护性、系统的刚性设计以及通常还具有高重量和相当大的空间需求。由于现代客运铁路交通的高功率需求,现有技术中的先前解决方案已过时且无效率。特别是在接触元件承受大应力的情况下,例如在有轨交通的区域,由于不断增加的要求,例如由于超过500A高达几千安培的高电流和超过500V高达几千伏的电压的电侵蚀或电腐蚀的增加,对维修和维护的需求也在增加。
[0005]德国专利商标局在本申请的优先权申请中检索了以下现有技术:DE4135391 C1。

技术实现思路

[0006]本专利技术的目的在于,提供一种用于传输和/或分配高电流和/或电压的多用途的高功率插接连接器。
[0007]所述目的通过独立权利要求的主题得以实现。
[0008]本专利技术的有利设计方案在从属权利要求和以下描述中说明。
[0009]根据本专利技术的实施方式提出了一种高功率插接连接器系统,其具有电缆连接壳体,该电缆连接壳体用于连接至少两个高功率电插接连接器以用于传输和/或分配高电流和/或高电压。电缆连接壳体设计为用于在内部空间中容纳至少两个绝缘体和至少一个导电轨。在这种情况下,绝缘体被设计用于分别容纳至少一个高功率触头,并且导电轨被设计用于在至少两个高功率触头之间产生导电连接。绝缘体还至少部分地分别通过壳体穿孔从内部空间突出到连接区域中,其中连接区域被设计为容纳高功率插接连接器。
[0010]因此,电缆连接壳体至少可以用作至少两个高功率插接连接器的耦合器。理想地,根据本专利技术的电缆连接壳体设计为分配器。特别是,电缆连接壳体设计为Y形分配器。电缆连接壳体有利地设计为T形分配器。此外,电缆连接壳体有利地设计为H形分配器。电缆连接壳体也可以设计为X形分配器。
[0011]术语“高功率插接连接器”是指旨在连接到电缆连接壳体的插接连接器。特别地,根据本专利技术的高功率插接连接器被设计为单极插接连接器。这种高功率插接连接器也称为单极。高功率插接连接器主要设计用于将高电流强度和/或高电压传输到电缆连接壳体上。
[0012]“高电流强度”是指超过100安培的电流强度。尤其是指超过500安培的电流强度。尤其是指超过800安培的电流强度。大于或等于1,000安培的电流强度也是可以想象的。
[0013]术语“高电压”是指超过1千伏的电压。尤其是指超过10kV的电压。特别是指超过15kV的电压。大于或等于25千伏的电流强度也是可以想象的。
[0014]“壳体穿孔”是指电缆连接壳体中的开口。该壳体穿孔从电缆连接壳体的内部空间通向周围的外部区域中。围绕电缆连接壳体的外部区域至少在壳体穿孔的周围设计为连接区域。
[0015]“连接区域”理解为前面提到的电缆连接壳体的外部区域。在此,连接区域根据本专利技术成形使得高功率插接连接器被带到位于壳体开口中的绝缘体上,并以导电方式与其连接。通过将高功率插接连接器连接到连接区域,根据本专利技术在适当的点处提供内部空间的介质密封封闭。为此目的,高功率插接连接器的壳体成形为使得壳体接合到基本上一致地设计的连接区域中。所述高功率插接连接器和/或电缆连接壳体的连接区域均设置有密封件以提高封闭性。
[0016]在另一实施方式中,所述电缆连接壳体被设计成具有基本上凹入地成型的壳体上侧。
[0017]在本文中,壳体上侧尤其应理解为壳体壁,该壳体壁连接到与壳体上侧相对的支承结构,例如车辆或附接的运输元件的支承结构。在这种情况下,实施例公开了壳体上侧,其凹形形状从左侧延伸到右侧。凹形形状的最大偏转因此沿着电缆连接壳体的基本上布置在中间的纵向轴线。壳体上侧的凹形形状的最大偏转沿着电缆连接壳体的通常布置在中间的横向轴线定向。理想情况下,壳体上侧的凹形形状的最大偏转基本布置在电缆连接壳体的中心点区域中。可以选择定义为纵向轴线和横向轴线交点的点作为中心点。凹形的壳体上侧首先具有的优点是外来介质,特别是水、污垢和灰尘可以简单地从壳体上侧流出或者被冲下。
[0018]一种实施方式规定,所述电缆连接壳体具有至少两个凹部,所述凹部使得所述电缆连接壳体能够连接到支承结构。
[0019]凹部意味着例如可以容纳螺栓、销、螺钉、螺纹销或类似连接元件的凹陷部。例如,这种凹部被设计成沿着电缆连接壳体的外侧的凹槽。在此,凹槽可以成形为使得凹槽具有向外指向的开口,连接元件可以完全或至少部分地穿过该开口。
[0020]替代地,凹部设计为通孔,螺栓、销、螺钉、螺纹销或类似的连接元件可以穿过这些通孔。凹部例如设计为通孔。或者,凹部设计为盲孔。凹部可选地设计为长孔。
[0021]支承结构例如意味着有轨车辆的底板。支承结构的另一个例子是设计用于与电缆连接壳体连接的钢支架。此外,支承结构可以由另一种可承载材料制成。理想地,支承结构由导电材料制成。具有有利的导热系数的支承结构是特别有利的。在此,“有利的导热系数”是指高导热性。
[0022]在一个有利的实施方式中,所述凹部各自布置在位于所述电缆连接壳体外侧上的至少一个突起处。
[0023]在此,突起例如是指附接在电缆连接壳体上的金属板。特别地,突起突出超过电缆连接壳体的基本形状。特别优选电缆连接壳体在其壳体上侧成型有突起。理想情况下,线缆壳体上侧通常成型为矩形。壳体上侧在此在相对量侧上分别具有至少一个突起,每个突起均具有至少一个用于紧固电缆连接壳体的凹部。
[0024]具有多边形基本形状和基本矩形的壳体上侧的电缆连接壳体是特别优选的。在
此,壳体上侧突出超过电缆连接壳体的多边形基本形状的至少一侧,其中凹部布置在该以这种方式形成的突出的突起中。
[0025]一个巧妙的实施方式规定了,所述内部空间至少具有第一绝缘壳和第二绝缘壳,其中,所述第一绝缘壳和第二绝缘壳沿着至少一个侧壁叠置。
[0026]绝缘壳是指由非导电材料特别是塑料形成的成型元件。在此,本专利技术基于绝缘壳的基本矩形的底面。或者,绝缘壳的底面设计为多边形的。底面可选地设计有圆形底面。绝缘壳因此呈现中空圆筒形状。
[0027]至少近似垂直地形成的侧壁布置在底面的周向侧上。根据本专利技术,在此绝缘壳基本上在至少一个侧壁上重叠,有利地在至少两个侧壁上重叠。理想地,第一绝缘壳和第二绝缘壳的底面在此大致相同和/或它们的底面仅通过相应绝缘壳的厚度区分。这意味着,例如,第一绝缘壳具有比第二绝缘壳更大的底面,或者反之亦然。第一绝缘壳和第二绝缘壳的底面的不同因此使得第一绝缘壳能够至少部分地容纳第二绝缘壳。本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种高功率插接连接器系统(1),所述高功率插接连接器系统具有电缆连接壳体(2),所述电缆连接壳体用于连接至少两个高功率电插接连接器(3),以用于传输和/或分配高电流强度和/或高电压,其中,所述电缆连接壳体(2)包括在内部空间(7)中的用于各容纳至少一个高功率触头(5)的至少两个绝缘体(4)和至少一个导电轨(6),其中所述导电轨(6)被设计成在至少两个高功率触头(5)之间建立导电连接,并且其中所述绝缘体(4)至少部分地各通过一个壳体穿孔(8)从所述内部空间(7)突出到所述电缆连接壳体(2)的连接区域(9)中,其中所述连接区域(9)设计用于容纳所述高功率插接连接器(3)。2.根据前一项权利要求所述的高功率插接连接器系统(1),其特征在于,所述电缆连接壳体(2)被设计成具有基本上凹入地成型的壳体上侧(Go)。3.根据权利要求1所述的高功率插接连接器系统(1),其特征在于,所述电缆连接壳体(2)具有至少两个凹部(10),所述凹部使得所述电缆连接壳体(2)能够连接到支承结构。4.根据前一项权利要求所述的高功率插接连接器系统(1),其特征在于,所述凹部(10)各自布置在位于所述电缆连接壳体(2)外侧上的至少一个突起(11)内。5.根据前述权利要求中任一项所述的高功率插接连接器系统(1),其特征在于,所述内部空间(7)至少具有第一绝缘壳(12)和第二绝缘壳(12'),其中,所述第一绝缘壳(12)和第二绝缘壳(12')沿着至少一个侧壁叠置。6.根据前述权利要求中任一项所述的高功率插接连接器系统(1),其特征在于,所述电缆连接壳体(2)容纳用于对连接区域(9)进行介质密封封闭的至少一个封闭帽(13)。7.根据前述权利要求中任一项所述的高功率插接连接器系统(1),其特征在于,所述电缆连接外壳(2)具有用于对所述内部空间(7)进行介质密封封闭的壳体盖(15)。8.根据前述权利要求中任一项所述的高功率插接连接器系统(1),其特征在于,所述壳体盖(15)具有用于容纳封闭帽(13)的凹陷部(16)。9.根据前述权利要求中任一项所述的高功率插接连接器系统(1),其特征在于,所述电缆连接壳体(2)至少在所述壳体上侧(Go)上形成有至少两个基本平坦的接触面(14)。10.根据前述权利要求中任一项所述的高功率插接连接器系统(1),其特征在于,所述接触面(14)至少达到由基本上平行于所述电缆连接壳体(2)延伸的直线和所述壳体上侧(Go)的凹形偏转的最高点形成的平面的高度。11.根据前述权利要求中任一项所述的高功率插接连接器系统(1),其特征在于,壳体下侧(Gu)设置有至少一个基本平坦的接触面(14')。12.根据前述权利要求中任一项所述的高功率插接...

【专利技术属性】
技术研发人员:D
申请(专利权)人:哈廷电子基金会两合公司
类型:发明
国别省市:

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