超导磁体的失超保护电路及超导磁体制造技术

本实用新型专利技术公开一种超导磁体的失超保护电路及超导磁体，电路包括正向二极管、固定支架、反向二极管、第一导线、第二导线和第三导线，固定支架为导电金属，其一侧设置有第一支架凹槽和第一固定板，另一侧设置有第二支架凹槽和第二固定板，第一、第二固定板用于与超导磁体固定，正向二极管置于第一支架凹槽中，正极位于第一支架凹槽外而负极位于第一支架凹槽内，反向二极管置于第二支架凹槽中，正极位于第二支架凹槽内而负极位于第二支架凹槽外，第一导线一端与超导线圈一端连接而另一端与第二固定板连接，第二导线一端与正向二极管的正极连接而另一端与反向二极管的负极连接，第三导线一端与正向二极管的正极连接而另一端与超导线圈的另一端连接。与超导线圈的另一端连接。与超导线圈的另一端连接。

【技术实现步骤摘要】
超导磁体的失超保护电路及超导磁体


[0001]本技术涉及超导磁体
，尤其涉及一种超导磁体的失超保护电路及超导磁体。

技术介绍

[0002]当超导磁体失超时，在超导线圈内部的超导线会由超导态变成电阻态，且从失超区域逐步向外传播直到整个超导线圈均变成电阻态。
[0003]由于超导磁体的使用环境一般为大电流，且低温超导磁体失超时会在较短时间内完成超导态到电阻态的转变，由欧姆定律可知，当超导磁体失超时，超导磁体两端电压等于超导磁体电流乘以失超后超导磁体的电阻值。假设超导磁体正常运行电流为200A，失超前期超导线圈两端电压以感性电压为主，电流衰减速率下降之后以阻性电压为主。若没有失超保护电路，失超时超导磁体两端电压最高可以达到几千伏。
[0004]几千伏的高压有可能会直接击穿超导磁体内部绕组的绝缘从而使得超导磁体发生永久性损坏。因此需要一种超导磁体的失超保护电路对超导磁体两端的电压进行钳位，防止失超时超导磁体两端电压过高对超导磁体造成不可逆损坏。

技术实现思路

[0005]本技术提供了一种超导磁体的失超保护电路及超导磁体，能够解决现有技术中的技术问题。
[0006]本技术提供了一种超导磁体的失超保护电路，其中，该电路包括正向二极管、固定支架、反向二极管、第一导线、第二导线和第三导线，所述固定支架的材料为导电金属，所述固定支架一侧设置有第一支架凹槽和第一固定板，另一侧设置有第二支架凹槽和第二固定板，所述第一固定板和所述第二固定板用于与超导磁体固定，所述正向二极管置于所述第一支架凹槽中，并且所述正向二极管的正极位于所述第一支架凹槽外而负极位于所述第一支架凹槽内，所述反向二极管置于所述第二支架凹槽中，并且所述反向二极管的正极位于所述第二支架凹槽内而负极位于所述第二支架凹槽外，所述第一导线的一端与超导磁体的超导线圈的一端连接而另一端与所述第二固定板连接，所述第二导线一端与所述正向二极管的正极连接而另一端与所述反向二极管的负极连接，所述第三导线一端与所述正向二极管的正极连接而另一端与所述超导线圈的另一端连接。
[0007]优选地，所述正向二极管的尺寸与所述第一支架凹槽的尺寸匹配，所述反向二极管的尺寸与所述第二支架凹槽的尺寸匹配。
[0008]优选地，所述正向二极管和所述反向二极管为柱状二极管，所述第一支架凹槽和所述第二支架凹槽为柱状凹槽，所述柱状二极管一端为正极而另一端为负极。
[0009]优选地，所述柱状二极管具有外螺纹，所述柱状凹槽具有内螺纹，所述柱状二极管与所述柱状凹槽通过外螺纹与内螺纹的配合实现连接。
[0010]优选地，所述固定支架还包括紧固件，用于对所述正向二极管和所述反向二极管
进行紧固。
[0011]优选地，所述紧固件为紧固螺钉。
[0012]优选地，该电路还包括连接件，所述第一固定板和所述第二固定板通过所述连接件与超导磁体固定。
[0013]本技术还提供了一种超导磁体，其中，包括超导线圈和上述的失超保护电路。
[0014]通过上述技术方案，可以通过固定支架在实现电气连接的同时减少导线连接数量，并且还可以利用固定支架对两个二极管进行可靠固定，以为超导磁体提供可靠的失超保护。
附图说明
[0015]所包括的附图用来提供对本技术实施例的进一步的理解，其构成了说明书的一部分，用于例示本技术的实施例，并与文字描述一起来阐释本技术的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0016]图1示出了根据本技术实施例的一种超导磁体的失超保护电路的示意图；
[0017]图2示出了根据本技术实施例的固定支架的视图。
[0018]附图标记说明
[0019]1正向二极管；
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2固定支架；
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3反向二极管；
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4第一导线；
[0020]5第二导线；
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6第三导线；
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7超导线圈。
具体实施方式
[0021]需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本技术及其应用或使用的任何限制。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0022]需要注意的是，这里所使用的术语仅是为了描述具体实施方式，而非意图限制根据本申请的示例性实施方式。如在这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数形式，此外，还应当理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，其指明存在特征、步骤、操作、器件、组件和/或它们的组合。
[0023]除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本技术的范围。同时，应当明白，为了便于描述，附图中所示出的各个部分的尺寸并不是按照实际的比例关系绘制的。对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为授权说明书的一部分。在这里示出和讨论的所有示例中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它示例可以具有不同的值。应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
[0024]图1示出了根据本技术实施例的一种超导磁体的失超保护电路的示意图。
[0025]如图1所示，本技术实施例提供了一种超导磁体的失超保护电路，其中，该电路包括正向二极管1、固定支架2、反向二极管3、第一导线4、第二导线5和第三导线6，所述固定支架3的材料为导电金属，所述固定支架2一侧设置有第一支架凹槽和第一固定板，另一侧设置有第二支架凹槽和第二固定板，所述第一固定板和所述第二固定板用于与超导磁体固定，所述正向二极管1置于所述第一支架凹槽中，并且所述正向二极管1的正极位于所述第一支架凹槽外而负极位于所述第一支架凹槽内，所述反向二极管3置于所述第二支架凹槽中，并且所述反向二极管3的正极位于所述第二支架凹槽内而负极位于所述第二支架凹槽外，所述第一导线4的一端与超导磁体的超导线圈7的一端连接而另一端与所述第二固定板连接，所述第二导线5一端与所述正向二极管1的正极连接而另一端与所述反向二极管3的负极连接，所述第三导线6一端与所述正向二极管1的正极连接而另一端与所述超导线圈7的另一端连接。
[0026]通过上述技术方案，可以通过固定支架在实本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种超导磁体的失超保护电路，其特征在于，该电路包括正向二极管(1)、固定支架(2)、反向二极管(3)、第一导线(4)、第二导线(5)和第三导线(6)，所述固定支架(2)的材料为导电金属，所述固定支架(2)一侧设置有第一支架凹槽和第一固定板，另一侧设置有第二支架凹槽和第二固定板，所述第一固定板和所述第二固定板用于与超导磁体固定，所述正向二极管(1)置于所述第一支架凹槽中，并且所述正向二极管(1)的正极位于所述第一支架凹槽外而负极位于所述第一支架凹槽内，所述反向二极管(3)置于所述第二支架凹槽中，并且所述反向二极管(3)的正极位于所述第二支架凹槽内而负极位于所述第二支架凹槽外，所述第一导线(4)的一端与超导磁体的超导线圈(7)的一端连接而另一端与所述第二固定板连接，所述第二导线(5)一端与所述正向二极管(1)的正极连接而另一端与所述反向二极管(3)的负极连接，所述第三导线(6)一端与所述正向二极管(1)的正极连接而另一端与所述超导线圈(7)的另一端连接。2.根据权利要求1所述的超导磁体的失超保护电路，其特征在于，所述正向二极管(1)的尺寸与所述第一支架凹槽的尺寸...

【专利技术属性】
技术研发人员：周伟，王新文，陈慧星，刘坤，张意，刘旭洋，梁思源，王雪晴，于金鹏，陈松，
申请(专利权)人：中国航天科工飞航技术研究院中国航天海鹰机电技术研究院，
类型：新型
国别省市：