电芯保护电路和电芯管理系统技术方案

本实用新型专利技术公开了一种电芯保护电路，与电芯相连，包括电芯保护芯片、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、电芯接口和充放电接口；电芯保护芯片包括充电控制端和放电控制端；第一晶体管，与放电控制端和电芯接口相连；第二晶体管，与充电控制端、第一晶体管和第三晶体管相连；第三晶体管，与充电控制端和充放电接口相连；在电芯正常充电时，第一晶体管导通，第二晶体管或第三晶体管导通；在电芯过充时，在电芯正常充电时导通的所述第二晶体及第三晶体管断开。本技术方案能够在一个充电保护器件失效的情况下正常进行过充保护，实现滥充测试，同时减少电芯保护电路的成本，并降低电芯保护电路中电子元件的占用面积。路中电子元件的占用面积。路中电子元件的占用面积。

【技术实现步骤摘要】
电芯保护电路和电芯管理系统


[0001]本技术涉及电芯控制
，尤其涉及一种电芯保护电路和电芯管理系统。

技术介绍

[0002]目前电芯在进行UL2054认证时，滥充测试失效率较高，滥充测试需要电芯管理系统中的一个保护器件(晶体管)故障之后，以6V1C/6V2C对之后的电芯管理系统中的电芯进行长时间充电，并要求不起火不爆炸。
[0003]现有的电芯保护电路，一般采用双IC双晶体管的方案对电芯进行UL2054认证，即通过两个IC分别控制两个晶体管，实现电芯的UL2054认证。但是，上述方案导致电芯保护电路需要的成本较高，且受布局空间限制。

技术实现思路

[0004]本技术实施例提供一种电芯保护电路和电芯管理系统，以解决电芯保护电路成本较高的问题。
[0005]一种电芯保护电路，与电芯相连，包括电芯保护芯片、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、电芯接口和充放电接口；所述电芯保护芯片包括充电控制端和放电控制端；
[0006]所述第一晶体管，与所述放电控制端和所述电芯接口相连；
[0007]所述第二晶体管，与所述充电控制端、所述第一晶体管和所述第三晶体管相连；
[0008]所述第三晶体管，与所述充电控制端和所述充放电接口相连；
[0009]在所述电芯正常充电时，所述第一晶体管导通，所述第二晶体管或所述第三晶体管导通；在所述电芯过充时，在所述电芯正常充电时未被短路的所述第二晶体管及所述第三晶体管断开。
[0010]进一步地，所述电芯保护电路还包括电流采样电路；所述电流采样电路分别与所述电芯接口、所述第一晶体管和所述电芯保护芯片相连，所述电流采样电路用于采集所述电芯保护电路中的实时电流，将所述实时电流发送给所述电芯保护芯片。
[0011]进一步地，所述电流采样电路包括采样电阻；所述采样电阻的第一端，与电芯负极和所述电芯保护芯片的VSS端相连，所述采样电阻的第二端，与所述第一晶体管和所述电芯保护芯片的VM端相连。
[0012]进一步地，所述电芯保护电路还包括第一限流电阻；所述第一限流电阻的第一端与电芯正极和充放电口正极相连，所述第一限流电阻的第二端，与所述电芯保护芯片的VDD端相连；
[0013]所述电芯保护电路还包括第二限流电阻；所述第二限流电阻的第一端与充放电口负极和第三晶体管相连，所述第二限流电阻的第二端与所述电芯保护芯片的VM端相连。
[0014]进一步地，所述电芯保护电路还包括第一滤波电容；所述第一滤波电容的第一端与所述电芯保护芯片的VDD端相连，所述第一滤波电容的第二端与所述电芯保护芯片的VM
端相连；
[0015]所述电芯保护电路还包括第二滤波电容；所述第二滤波电容的第一端与所述采样电阻的第二端相连，所述第二滤波电容的第二端与所述第二限流电阻的第一端相连。
[0016]进一步地，所述电芯保护电路还包括静电保护电路；所述静电保护电路的第一端与充放电口正极与电芯正极的连接节点相连，所述静电保护电路的第二端与所述第二晶体管与充放电口负极的连接节点相连。
[0017]进一步地，所述静电保护电路包括静电保护电容。
[0018]进一步地，所述第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管为MOS管。
[0019]进一步地，所述第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管为N型MOS管。
[0020]一种电芯管理系统，包括电芯、充电器和上述的电芯保护电路。
[0021]上述电芯保护电路和电芯管理系统，电芯保护电路包括电芯保护芯片、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、电芯接口和充放电接口，通过将第一晶体管与放电控制端和电芯接口相连，将第二晶体管与充电控制端、第一晶体管和第三晶体管相连，并将第三晶体管，与充电控制端和充放电接口相连，在电芯正常充电时，第一晶体管导通，第二晶体管或第三晶体管导通，电芯正常充电，在电芯过充时，在电芯正常充电时未被短路的第二晶体及第三晶体管断开，电芯停止充电，即通过电芯保护芯片的充电控制端，同时控制第二晶体管和第三晶体管，在一个充电保护器件(第二晶体管或第三晶体管)失效/被短路的情况下正常进行过充保护，实现滥充测试，并且仅通过一个IC(电芯保护芯片)、第二晶体管和第三晶体管便能够实现滥充测试，减少电芯保护电路的成本，降低电芯保护电路中电子元件的占用面积。
附图说明
[0022]为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对本技术实施例的描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0023]图1是本技术一实施例中电芯保护电路的一电路示意图；
[0024]图2是本技术一实施例中电芯管理系统的一电路示意图。
[0025]图中：10、电芯保护电路；11、电芯接口；12、充放电接口；13、电流采样电路；14、静电保护电路。
具体实施方式
[0026]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0027]应当理解的是，本技术能够以不同形式实施，而不应当解释为局限于这里提出的实施例。相反地，提供这些实施例将使公开彻底和完全，并且将本技术的范围完全地传递给本领域技术人员。在附图中，为了清楚，层和区的尺寸以及相对尺寸可能被夸大自
始至终相同附图标记表示相同的元件。
[0028]应当明白，当元件或层被称为“在
…
上”、“与
…
相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在
…
上”、“与
…
直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本技术教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。
[0029]空间关系术语例如“在
…
下”、“在
…
下面”、“下面的”、“在
…
之下”、“在
…
之上”、“上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电芯保护电路，与电芯相连，其特征在于，包括电芯保护芯片、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、电芯接口和充放电接口；所述电芯保护芯片包括充电控制端和放电控制端；所述第一晶体管，与所述放电控制端和所述电芯接口相连；所述第二晶体管，与所述充电控制端、所述第一晶体管和所述第三晶体管相连；所述第三晶体管，与所述充电控制端和所述充放电接口相连；在所述电芯正常充电时，所述第一晶体管导通，所述第二晶体管或所述第三晶体管导通；在所述电芯过充时，在所述电芯正常充电时未被短路的所述第二晶体管及所述第三晶体管断开。2.如权利要求1所述的电芯保护电路，其特征在于，所述电芯保护电路还包括电流采样电路；所述电流采样电路分别与所述电芯接口、所述第一晶体管和所述电芯保护芯片相连，所述电流采样电路用于采集所述电芯保护电路中的实时电流，将所述实时电流发送给所述电芯保护芯片。3.如权利要求2所述的电芯保护电路，其特征在于，所述电流采样电路包括采样电阻；所述采样电阻的第一端，与电芯负极和所述电芯保护芯片的VSS端相连，所述采样电阻的第二端，与所述第一晶体管和所述电芯保护芯片的VM端相连。4.如权利要求2所述的电芯保护电路，其特征在于，所述电芯保护电路还包括第一限流电阻；所述第一限流电阻的第一端与电芯正极和充放电口正极相连，所述第一限流电阻的第二端，与所述电芯保护芯片的VDD端相...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡策，严威，郭玉杰，
申请(专利权)人：博科能源系统深圳有限公司，
类型：新型
国别省市：