一种2.7-3.5G功率5000W的高功率环行隔离器件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种2.7

【技术实现步骤摘要】
一种2.7
‑
3.5G功率5000W的高功率环行隔离器件


[0001]本技术涉及微波
，具体涉及一种2.7
‑
3.5G功率5000W的高功率环行隔离器件。

技术介绍

[0002]目前，用于2.7G
‑
3.5G频率的带线环行隔离器采用低场工作模式，但是，在该模式下功率达不到5000W，只能够承受2000
‑
3000W功率；而采用高场模式，又存在由于尺寸限制基片小且薄，容易产生击穿现象。

技术实现思路

[0003]本技术的目的是提供一种2.7
‑
3.5G功率5000W的高功率环行隔离器件，以解决上述提到的问题。
[0004]为解决上述技术问题，本技术提供一种2.7
‑
3.5G功率5000W的高功率环行隔离器件，其包括基片以及设置在基片上的中心导体；基片的外围套设有介电常数不超过2.3的介质环，基片上、位于中心导体的外围涂覆有一圈硅橡胶环。
[0005]进一步地，基片以及中心导体集成在壳体内，并在壳体内对称设有本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种2.7
‑
3.5G功率5000W的高功率环行隔离器件，包括基片以及设置在所述基片上的中心导体；其特征在于：所述基片的外围套设有介电常数不超过2.3的介质环，所述基片上、位于中心导体的外围涂覆有一圈硅橡胶环。2.根据权利要求1所述的2.7
‑
3.5G功率5000W的高功率环行隔离器件，其特征在于：所述基片以及中心导体集成在壳体内，并在壳体内对称设有两个腔室，分别为第一腔体和第二腔体，所述中心导体位于第一腔体和第二腔体交界处。3.根据权利要求2所述的2.7
‑
3.5G功率5000W的高功率环行隔离器件，其特征在于：所述基片为两个，分别位于第一腔体和第二腔体内，且两个基片分别位于中心导体的两面。4.根据权利要求1～3任一项所述的2.7
‑
3.5G功率5000W的高功率环行隔离器件，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：周川平，何欣玙，
申请(专利权)人：成都致力微波科技有限公司，
类型：新型
国别省市：