快充驱动电路及相关产品制造技术

本申请实施例提供了一种快充驱动电路及相关产品，包括升压电路、驱动电路和采样电路；所述驱动电路，连接第一电源和脉冲电路，用于接收第一电源输出的输入电压和脉冲电路输出的驱动信号，并根据所驱动信号输出相应的驱动电压，驱动外置功率管以实现驱动功能；所述采样电路，连接所述驱动电路，用于采样所述驱动电压，在驱动电压低于第一预设值时，向所述升压电路输出升压控制信号；所述升压电路，连接所述驱动电路，用于在接收到所述升压控制信号时，向所述驱动电路输出升压电压，以增大所述驱动电压。这样，在驱动电压较低时，将驱动电压抬升，提高了快充驱动电路的驱动能力，提高开关效率。关效率。关效率。

【技术实现步骤摘要】
快充驱动电路及相关产品


[0001]本申请属于电子
，具体涉及一种快充驱动电路及相关产品。

技术介绍

[0002]目前，在传统的驱动电路控制方法中，由于其没有采用抬压功能，使驱动电压最高为VDD
‑
VGS。当输入供电电压太低得时候，影响开关效率。例如：输入供电电压VDD低至6V的时候,由于VGS电压大概为1V，使得驱动电压受限制,降低至5V左右；而传统的输出高压功率管的阈值在3~4V之间。5V的驱动电压去驱动阈值3~4V的高压MOS管会导致驱动能力不足和功率管开启不完全，开关效率低。

技术实现思路

[0003]本申请实施例提供了一种快充驱动电路及相关产品，以期在驱动电压较低时，将驱动电压抬升，提高开关效率。
[0004]第一方面，本申请实施例提供了一种快充驱动电路，其特征在于，包括升压电路、驱动电路和采样电路；所述驱动电路，连接第一电源和脉冲电路，用于第一电源输出的输入电压和脉冲电路输出的驱动信号，并根据所驱动信号输出相应的驱动电压，驱动外置功率管以实现驱动功能；所述采样电路，连接所述驱动电路，用本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种快充驱动电路，其特征在于，包括升压电路、驱动电路和采样电路；所述驱动电路，连接第一电源和脉冲电路，用于接收所述第一电源输出的输入电压和所述脉冲电路输出的驱动信号，并根据所驱动信号输出相应的驱动电压，驱动外置功率管以实现驱动功能；所述采样电路，连接所述驱动电路，用于采样所述驱动电压，在所述驱动电压低于第一预设值时，向所述升压电路输出升压控制信号；所述升压电路，连接所述驱动电路，用于在接收到所述升压控制信号时，向所述驱动电路输出升压电压，以增大所述驱动电压。2.根据权利要求1所述的快充驱动电路，其特征在于，所述驱动电路包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一二极管、第二二极管、第三二极管、第四二极管、第五二极管、第六二极管、第一电流源、第二电流源、第三电流源、第一反向器、第一电容、第一电阻和驱动输出端；所述第一PMOS管的源极、所述第二PMOS管的源极、所述第一NMOS管的漏极、所述第四NMOS管的漏极和所述第七NMOS管的漏极均连接所述第一电源以接入所述输入电压，所述第一PMOS管的栅极连接所述第一PMOS管的漏极、所述第二PMOS管的栅极和所述第一电流源的输入端，所述第一电流源的输出端接地；所述第二PMOS管的漏极连接所述第一NMOS管的栅极、所述第一二极管的阴极和所述第二二极管的阴极，所述第一二极管的阳极连接所述第三二极管的阴极，所述第三二极管的阳极连接所述第四二极管的阴极，所述第四二极管的阳极和所述第一电容的一端均接地，所述第一电容的另一端连接所述第二二极管的阳极、所述第一NMOS管的源极、所述第三PMOS管的源极和所述第四PMOS管的源极；所述第三PMOS管的栅极连接所述第四PMOS管的栅极、所述第三PMOS管的漏极、所述第二NMOS管的漏极和所述第三NMOS管的漏极；所述第二NMOS管的栅极连接所述第一反向器的输出端，所述第一反向器的输入端连接所述脉冲电路；所述第二NMOS管的源极连接所述第二电流源的输入端；所述第三NMOS管的源极连接所述第三电流源的输入端，所述第三NMOS管的栅极连接所述采样电路以接入所述升压控制信号；所述第四PMOS管的漏极连接所述第四NMOS管的栅极、所述第五NMOS管的漏极和所述第五二极管的阴极；所述第四NMOS管的源极连接所述第五二极管的阳极、所述第六NMOS管的漏极、所述第七NMOS管的源极、所述第六二极管的阳极、所述第一电阻的一端和所述驱动输出端；所述第七NMOS管的栅极连接所述第六二极管的阴极和所述升压电路；所述第五NMOS管的栅极和所述第六NMOS管的栅极均连接所述脉冲电路；所述驱动输出端用于连接所述外置功率管，向所述外置功率管输出所述驱动电压；所述第二电流源的输出端、所述第三电流源的输出端、所述第五NMOS管的源极、所述第六NMOS管的源极和所述第一电阻的另一端均接地。3.根据权利要求2所述的快充驱动电路，其特征在于，所述采样电路包括第五PMOS管、第六PMOS管、第八NMOS管、第九NMOS管、第十NMOS管、第四电流源、第五电流源和第二反向器；所述第五PMOS管的源极连接第二电源VCC，所述第五PMOS管的栅极连接所述第六PMOS
管的栅极、所述第五PMOS管的漏极、所述第八NMOS管的漏极、所述第八NMOS管的栅极；所述第八NMOS管的源极连接所述第九NMOS管的漏极和栅极；所述第六PMOS管的源极连接所述驱动输出端，所述第六PMOS管的漏极连接所述第十NMOS管的栅极和所述第五电流源的输入端；所述第十NMOS管的漏极连接所述第四电流源的输出端和第二反向器的输入端；所述第四电流源的输入端连接所述第二电源VCC；所述第九NMOS管的源极、所述第十NMOS管的源极和所述第五电流源的输出端均接地；所述第二反向器的输出端连接所述第三NMOS管的栅极和所述升压电路以输出升压控制信号。4.根据权利要求3所述的快充驱动电路，其特征在于，所述升压电路包括第三反向器、第一与门、第四反向器、第七PMO...

【专利技术属性】
技术研发人员：张涛，江力，杜德喜，
申请(专利权)人：深圳英集芯科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：