【技术实现步骤摘要】
一种类Bitter型FeSeTe超导磁体系统
[0001]本专利技术属于超导磁体制备领域,具体涉及一种类Bitter型FeSeTe超导磁体系统。
技术介绍
[0002]超导磁体具有高稳定性、低损耗、寿命长、运行成本低等优点,是提供磁场环境的理想设备。超导磁体技术是未来核聚变堆、高能粒子加速器、核磁共振成像、散裂中子源等领域不可或缺的关键技术。低温超导材料(LTS)由于其场强的限制,无法在超高场环境下运行。高温超导材料(HTS)由于具有高临界温度、高临界磁场及高载流能力等优势,在高场磁体领域具有广泛的应用前景。但全HTS高场磁体的研制成本本很高,材料所受的应变巨大,失败风险高。故HTS
‑
LTS混合磁体方案是目前由超导磁体实现高磁场的特别有效的方法,大孔径的低温超导磁体作为背场磁体,用以提供一个均匀的磁场环境,高温超导磁体内插于低温背场磁体中。
[0003]现有的内插高温超导磁体主要有螺线管超导磁体和Bitter型超导磁体。本专利技术提出的类Bitter型超导磁体是基于Bitter型超导磁体进行了一定 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种类Bitter型FeSeTe超导磁体系统,其特征在于:包括励磁低温超导线圈和FeSeTe高温超导线圈两部分,其中,所述励磁低温超导线圈由NbTi和Nb3Sn超导线圈组成;所述FeSeTe高温超导线圈包括FeSeTe Bitter圆片、绝缘片、盖板、小孔拉杆和加热器;FeSeTe Bitter圆片和绝缘片交替堆叠,并采用小孔拉杆和螺母穿过FeSeTe Bitter圆片和绝缘片的中间小孔,使两者上面的小孔对齐;然后通过盖板和拉杆进行固定,上、下盖板都与绝缘片接触;最后将加热器固定在盖板之上;所述FeSeTe高温超导线圈置于励磁低温超导线圈中心。2.根据权利要求1所述的一种类Bitter型FeSeTe超导磁体系统,其特征在于:所述FeSeTe Bitter圆片通过在哈氏合金圆片上生长缓冲层和FeSeTe超导层制备而成。3...
【专利技术属性】
技术研发人员:魏绍清,宋云涛,张展,刘啸,施毅,刘方,刘华军,周超,秦经刚,
申请(专利权)人:中国科学院合肥物质科学研究院,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。