一种发光元件、发光元件的制造方法以及显示面板技术

本申请提供一种发光元件、发光元件的制造方法以及显示面板，包括在第一方向上依次堆叠的第一半导体结构、第一发光层和第二半导体结构，第一半导体结构和第二半导体结构中包括导电元素，在施加电压时，导电元素可导电，从而导通第一半导体结构和第二半导体结构使发光层发光，可以设置第一发光层所在平面与第一方向之间的夹角小于90

【技术实现步骤摘要】
一种发光元件、发光元件的制造方法以及显示面板


[0001]本申请涉及显示领域，特别涉及一种发光元件、发光元件的制造方法以及显示面板。

技术介绍

[0002]QNED显示屏采用量子纳米电池发光二极管(Quantum Nano Cell Emiting Diode，QNED)，是在将纳米级的半导体颗粒量子点和氮发光二极管(GaN LED)技术上的衍生品，理论上具有长寿命、高亮度、低功耗和除燃等优势。在QNED结构中需要将LED横放在基板上，也就是说LED的堆叠方向与QNED器件的堆叠方向相垂直。然而，这样LED结构的出光面仅为发光层的侧表面，出光面积小，显示亮度低。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本申请的目的在于提供一种发光元件、发光元件的制造方法以及显示面板，可以增大出光面积，增大垂直出光占比，提高显示亮度。其具体方案如下：
[0004]第一方面，本申请提供了一种发光元件，包括在第一方向上依次堆叠的第一半导体结构、第一发光层和第二半导体结构；
[0005]所述第一半导体结构和所述第二半导体结构中包括导电元素；
[0006]所述第一发光层所在平面与所述第一方向之间的夹角小于90
°
。
[0007]第二方面，本申请实施例还提供了一种发光元件的制造方法，包括：
[0008]提供基底；
[0009]在所述基底上依次形成第一半导体结构、第一发光层和第二半导体结构；所述第一半导体结构和所述第二半导体结构中包括导电元素；所述第一发光层所在平面与第一方向之间的夹角小于90
°
；所述第一方向沿所述第一半导体结构、所述第一发光层和所述第二半导体结构的堆叠方向；
[0010]去除所述基底后，沿所述第一方向对所述第二半导体结构、所述第一发光层和所述第一半导体结构进行切割，得到多个发光元件。
[0011]第三方面，本申请实施例还提供了一种显示面板，包括：
[0012]显示基板；
[0013]位于所述显示基板一侧、如前所述的发光元件，所述发光元件中所述第一半导体结构、所述第一发光层和所述第二半导体结构的堆叠方向，与所述显示基板的所在平面平行；
[0014]与所述第一半导体结构接触的第一电极；
[0015]与所述第二半导体结构接触的第二电极。
[0016]本申请实施例提供了一种发光元件、发光元件的制造方法以及显示面板，包括在第一方向上依次堆叠的第一半导体结构、第一发光层和第二半导体结构，第一半导体结构和第二半导体结构中包括导电元素，在施加电压时，导电元素可导电，从而导通第一半导体
结构和第二半导体结构使发光层发光，可以设置第一发光层所在平面与第一方向之间的夹角小于90
°
，出光方向与第一方向垂直，相比于现有技术中，第一发光层所在平面与第一方向垂直，导致出光面仅为第一发光层的侧表面，本申请中第一发光层所在平面与第一方向之间有夹角，这样，出光面可以为第一发光层的侧表面和与侧表面相邻的朝向出光侧的表面，可以增大出光面积，增大垂直出光占比，提高显示亮度。
附图说明
[0017]为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
[0018]图1示出了现有技术中一种LED的结构示意图；
[0019]图2示出了本申请实施例提供的一种圆柱形的发光元件的结构示意图；
[0020]图3为图2中的发光元件的一种沿A
’
A
’
向的剖视示意图；
[0021]图4为本申请实施例提供的另一种发光元件的结构示意图；
[0022]图5为图4中的发光元件的一种沿A
’
A
’
向的剖视示意图；
[0023]图6为本申请实施例提供的又一种发光元件的结构示意图；
[0024]图7为本申请实施例提供的又一种发光元件的结构示意图；
[0025]图8为图7中的发光元件的一种沿A
’
A
’
向的剖视示意图；
[0026]图9为本申请实施例提供的又一种发光元件的结构示意图；
[0027]图10为本申请实施例提供的又一种发光元件的结构示意图；
[0028]图11为图10中的发光元件的一种沿A
’
A
’
向的剖视示意图；
[0029]图12为本申请实施例提供的一种发光元件的制造方法的流程示意图；
[0030]图13
‑
20为本申请实施例提供的一种发光元件制造过程中的结构示意图；
[0031]图21为本申请实施例提供的一种显示面板的结构示意图；
[0032]图22为本申请实施例提供的又一种显示面板的结构示意图。
具体实施方式
[0033]为使本申请的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本申请的具体实施方式做详细的说明。
[0034]在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本申请，但是本申请还可以采用其它不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本申请内涵的情况下做类似推广，因此本申请不受下面公开的具体实施例的限制。
[0035]正如
技术介绍
中的描述，在QNED结构中需要将LED横放在基板上，也就是说LED的堆叠方向与QNED器件的堆叠方向相垂直，在现有技术中，LED结构中的发光层所在平面与LED的堆叠方向相垂直，这样，将LED结构横放时，LED结构的出光面仅为发光层的侧表面，出光面积小，显示亮度低。参考图1所示，为现有技术中一种LED的结构示意图，LED为圆柱形结构，包括依次堆叠的第一半导体层101、第一发光层102和第二半导体层103，第一发光层102所在平面与堆叠方向垂直，这样，在将LED横放在QNED结构的基板上时，LED结构的出光面仅
为第一发光层102的侧表面，出光面积为第一发光层102的直径和厚度的乘积，因此出光面积较小。
[0036]基于以上技术问题，本申请实施例提供了一种发光元件、发光元件的制造方法以及显示面板，包括在第一方向上依次堆叠的第一半导体结构、第一发光层和第二半导体结构，第一半导体结构和第二半导体结构中包括导电元素，在施加电压时，导电元素可导电，从而导通第一半导体结构和第二半导体结构使发光层发光，可以设置第一发光层所在平面与第一方向之间的夹角小于90
°
，出光方向与第一方向垂直，相比于现有技术中，第一发光层所在平面与第一方向垂直，导致出光面仅为第一发光层的侧表面，本申请中第一发光层所在平面与第一方向之间有夹角，这样，出光面可以为第一发光层的侧表面和与侧表面相邻的朝向出光侧的表面，可以增大出光面积，增大垂直出光占比，提高显示亮度。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光元件，其特征在于，包括在第一方向上依次堆叠的第一半导体结构、第一发光层和第二半导体结构；所述第一半导体结构和所述第二半导体结构中包括导电元素；所述第一发光层所在平面与所述第一方向之间的夹角小于90
°
。2.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，还包括：位于所述第一发光层和所述第二半导体结构之间的第三半导体结构，以及位于所述第三半导体结构和所述第二半导体结构之间的第二发光层；所述第二发光层所在平面与所述第一方向之间的夹角小于90
°
。3.根据权利要求2所述的发光元件，其特征在于，在第一平面内，所述第一发光层的正投影和所述第二发光层的正投影之间的距离大于或等于0；所述第一平面与所述第一方向平行，且与所述第一发光层所在平面之间的夹角，等于所述第一发光层所在平面和所述第一方向之间的夹角。4.根据权利要求3所述的发光元件，其特征在于，所述第一发光层中朝向所述第一方向的一端，与所述第二发光层中朝向所述第一方向的一端，位于所述发光元件的不同侧。5.根据权利要求4所述的发光元件，其特征在于，所述第一发光层所在平面和所述第一方向之间的夹角，与所述第二发光层所在平面和所述第一方向之间的夹角相等。6.根据权利要求3所述的发光元件，其特征在于，所述第一发光层中朝向所述第一方向的一端，与所述第二发光层中朝向所述第一方向的一端，位于所述发光元件的同一侧。7.根据权利要求2所述的发光元件，其特征在于，所述第一发光层的两个表面分别与所述第一半导体结构和第三半导体结构接触，所述第二发光层的两个表面分别与所述第二半导体结构和所述第三半导体结构接触，所述第一半导体结构和所述第三半导体结构的导电类型相反，所述第一半导体结构和所述第二半导体结构的导电类型相同。8.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，所述第一发光层的两个表面分别与所述第一半导体结构和所述第二半导体结构接触，所述第一半导体结构和所述第二半导体结构的导电类型相反。9.根据权利要求1
‑
8任一项所述的发光元件，其特征在于，所述第一发光层所在平面与所述第一方向之间的夹角大于45
°
，和/或，所述第二发光层所在平面与所述第一方向之间的夹角大于45
°
。10.根据权利要求9所述的发光元件，其特征在于，所述第一发光层所在平面与所述第一方向之间的夹角大于80
°
，和/或，所述第二发光层所在平面与所述第一方向之间的夹角大于80
°
。11.根据权利要求1
‑
8任一项所述的发光元件，其特征在于，所述发光元件构成圆柱状结构或棱柱状结构，所述第一半导体结构背离所述第一发光层的一侧表面和所述第二半导体结构背离所述第一发光层一侧的表面平行。12.根据权利要求1
‑
8任一项所述的发光元件，其特征在于，所述第一发光层在垂直表面所在平面的方向上的尺寸大于10nm且小于1um。13.根据权利要求1
‑
8任一项所述的发光元件，其特征在于，所述发光元件在垂直所述第一方向的方向上的尺寸大于1um且小于10um。14.一种发光元件的制造方法，其特征在于，包括：
提供基底；在所述基底上依次形成第一半导体结构、第一发光层和第二半导体结构；所述第一半导体结构和所述第二半导体结构中包括导电元素；所述第一发光层所在平面与第一方向之间的夹角小于90
°
；所述第一方向沿所述第一半导体结构、所述第一发光层和所述第二半导体结构的堆叠方向；去除所述基底后，沿所述第一方向...

【专利技术属性】
技术研发人员：鄢杰林，盛晨航，
申请(专利权)人：上海天马微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：