一种国产化采样芯片配置电路制造技术

本实用新型专利技术涉及采样芯片技术领域，具体公开了一种国产化采样芯片配置电路，包括MCU主控芯片电路、AD采样电路、前调试网口电路、采样定值电路及以太网通信电路，所述AD采样电路分别与所述MCU主控芯片电路及采样定值电路电性连接，所述前调试网口电路及以太网通信电路均与所述MCU主控芯片电路电性连接，所述MCU主控芯片电路通过SPI接口与所述AD采样电路通信连接。本实用新型专利技术通过设置MCU主控芯片电路来对AD采样电路中的AD采样芯片进行工作参数配置，使得AD采样芯片可以正常工作，同时通过SPI接口可以获取AD采样芯片的采样数据，通信更简单，数据传输速率快，采样精度更高，降低芯片成本，提高芯片供应链稳定性。提高芯片供应链稳定性。提高芯片供应链稳定性。

【技术实现步骤摘要】
一种国产化采样芯片配置电路


[0001]本技术涉及采样芯片
，特别涉及一种国产化采样芯片配置电路。

技术介绍

[0002]由于国内芯片领域起步较晚，发展速度较慢，技术相对不够成熟，国内的采样芯片供应虽然供应充足，但无法很好适配主控芯片进行使用，所以目前企业使用的是国外的ad采样芯片，而国际贸易摩擦导致芯片进口受限，国外芯片供应出现问题，芯片成本升高，导致利润降低。

技术实现思路

[0003]本技术要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述缺陷，提供一种国产化采样芯片配置电路，通过设置MCU主控芯片电路来对AD采样电路中的AD采样芯片进行工作参数配置，使得AD采样芯片可以正常工作，同时通过SPI接口可以获取AD采样芯片的采样数据，通信更简单，数据传输速率快，采样精度更高，降低芯片成本，提高芯片供应链稳定性。
[0004]为了解决上述技术问题，本技术的技术方案是：
[0005]一种国产化采样芯片配置电路，包括MCU主控芯片电路、AD采样电路、前调试网口电路、采样定值电路及以太网通信电路，所述AD采样电路分别与所述MCU主控芯片电路及采样定值电路电性连接，所述前调试网口电路及以太网通信电路均与所述MCU主控芯片电路电性连接，所述MCU主控芯片电路通过SPI接口与所述AD采样电路通信连接。
[0006]优选地，所述MCU主控芯片电路包括主控芯片U1、电阻R2、电容C16及电池BT1，所述电阻R2、电容C16及电池BT1与所述主控芯片U1连接。
[0007]优选地，所述AD采样电路包括AD采样芯片U3及与AD采样芯片U3连接的芯片外围电路，所述AD采样芯片U3的第三十六引脚、第六十三引脚、第六十二引脚、第五十五引脚、第六十八引脚、第六十七引脚、第五十七引脚及第五十六引脚分别与所述主控芯片U1的第二十引脚、第八引脚、第四引脚、第二十四引脚、第六十二引脚、第六十四引脚、第六引脚及第十八引脚连接。
[0008]优选地，所述芯片外围电路包括电容C4、电容C5、电容C6、电容C7、电容C8、电容C9、电容C10、电容C11、电容C12、电容C13、电容C14、电容C15、电阻R20、电阻R33、电阻 R34、电阻R37及电阻R59，所述电容C4、电容C5、电容C6、电容C7、电容C8、电容C9、电容C10、电容C11、电容C12、电容C13、电容C14、电容C15、电阻R20、电阻R33、电阻 R34、电阻R37及电阻R59均与所述AD采样芯片U3连接。
[0009]优选地，所述采样定值电路包括依次连接的电阻RA1、电容CA1、电阻RA2、电容CA2、电阻RA3、电容CA3、电阻RA4、电容CA4、电阻RA5、电容CA5、电阻RA6、电容CA6、电阻 RA7、电容CA7、电阻RA8、电容CA8、电阻RA9、电容CA9、电阻RA10、电容CA10、电阻RA11、电容CA11、电阻RA12、电容CA12、电阻RA13、电容CA13、电阻RA14及电容CA14。
[0010]优选地，所述前调试网口电路包括串口芯片U2、外围接口RJ1、电容CS1、电容CS2、
电容CS3、电容CS4、电容CS5、电阻R3、电阻R4、电阻R7、电阻R8、电阻R15、电阻R17、电阻R18、电阻R19、稳压管TVS1、稳压管TVS2、稳压管TVS5及稳压管TVS6，所述电容CS1、电容CS2、电容CS3、电容CS4、电容CS5、电阻R7、电阻R8、电阻R18、电阻R19均与所述串口芯片U2连接，所述电阻R3、电阻R4、电阻R15、电阻R17、稳压管TVS1、稳压管TVS2、稳压管TVS5及稳压管TVS6均与所述外围接口RJ1、电阻R7、电阻R8、电阻R18及电阻R19 连接，所述串口芯片U2与所述主控芯片U1连接。
[0011]优选地，所述以太网通信电路包括以太网芯片U4、晶振X1、电感L1、电阻RA15、电阻 RA16、电阻R32、电阻R35、电阻R31、电阻R40、电阻R5及电阻R6，所述晶振X1、电感L1、电阻RA15、电阻RA16、电阻R32、电阻R35、电阻R31、电阻R40、电阻R5及电阻R6均与所述以太网芯片U4连接，所述以太网芯片U4与所述主控芯片U1连接。
[0012]采用上述技术方案，本技术提供的一种国产化采样芯片配置电路，具有以下有益效果：该国产化采样芯片配置电路中的AD采样电路分别与MCU主控芯片电路及采样定值电路电性连接，前调试网口电路及以太网通信电路均与MCU主控芯片电路电性连接，MCU主控芯片电路通过SPI接口与AD采样电路通信连接，通过设置MCU主控芯片电路来对AD采样电路中的AD采样芯片进行工作参数配置，使得AD采样芯片可以正常工作，可以很好地适配主控芯片进行使用，同时通过SPI接口可以获取AD采样芯片的采样数据，通信更简单，数据传输速率快，采样精度更高，降低芯片成本，提高芯片供应链稳定性。
附图说明
[0013]图1为本技术的结构框图；
[0014]图2为本技术中MCU主控芯片电路的电路原理图；
[0015]图3为本技术中AD采样电路及采样定值电路的电路原理图；
[0016]图4为本技术中前调试网口电路的电路原理图；
[0017]图5为本技术中以太网通信电路的电路原理图；
[0018]图6为本技术中主控芯片与AD采样芯片的部分引脚连接图；
[0019]图中，1
‑
MCU主控芯片电路、2
‑
AD采样电路、3
‑
前调试网口电路、4
‑
采样定值电路、5
‑ꢀ
以太网通信电路。
具体实施方式
[0020]下面结合附图对本技术的具体实施方式作进一步说明。在此需要说明的是，对于这些实施方式的说明用于帮助理解本技术，但并不构成对本技术的限定。此外，下面所描述的本技术各个实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互组合。
[0021]在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
[0022]此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本技术的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
[0023]如图1所示，在本技术的结构框图，该国产本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种国产化采样芯片配置电路，其特征在于：包括MCU主控芯片电路、AD采样电路、前调试网口电路、采样定值电路及以太网通信电路，所述AD采样电路分别与所述MCU主控芯片电路及采样定值电路电性连接，所述前调试网口电路及以太网通信电路均与所述MCU主控芯片电路电性连接，所述MCU主控芯片电路通过SPI接口与所述AD采样电路通信连接。2.根据权利要求1所述的国产化采样芯片配置电路，其特征在于：所述MCU主控芯片电路包括主控芯片U1、电阻R2、电容C16及电池BT1，所述电阻R2、电容C16及电池BT1与所述主控芯片U1连接。3.根据权利要求2所述的国产化采样芯片配置电路，其特征在于：所述AD采样电路包括AD采样芯片U3及与AD采样芯片U3连接的芯片外围电路，所述AD采样芯片U3的第三十六引脚、第六十三引脚、第六十二引脚、第五十五引脚、第六十八引脚、第六十七引脚、第五十七引脚及第五十六引脚分别与所述主控芯片U1的第二十引脚、第八引脚、第四引脚、第二十四引脚、第六十二引脚、第六十四引脚、第六引脚及第十八引脚连接。4.根据权利要求3所述的国产化采样芯片配置电路，其特征在于：所述芯片外围电路包括电容C4、电容C5、电容C6、电容C7、电容C8、电容C9、电容C10、电容C11、电容C12、电容C13、电容C14、电容C15、电阻R20、电阻R33、电阻R34、电阻R37及电阻R59，所述电容C4、电容C5、电容C6、电容C7、电容C8、电容C9、电容C10、电容C11、电容C12、电容C13、电容C14、电容C15、电阻R20、电阻R33、电阻R34、电阻R37及电阻R59均与所述AD采样芯片U3连接。5.根据权利要求3所述的国产化采样芯片配置电路，其特征在于：所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾萍，王建华，
申请(专利权)人：珠海思创智能电网技术有限公司，
类型：新型
国别省市：