耐冲击全焊接压力传感器制造技术

本申请公开了一种耐冲击全焊接压力传感器，包括仪表头、螺纹连接于仪表头的进压头和通过基座固定于进压头内的单晶硅传感器，所述进压头靠近仪表头的一端设置有与基座对应的安装槽，所述进压头背离安装槽的一端设置有冲油孔，其中，基座和安装槽的底部间隔设置，并形成缓冲腔，所述缓冲腔内设置有改变介质流向的缓冲器，所述缓冲器设置于冲油孔和缓冲腔的连通处，并焊接于安装槽的底部。本申请结构简单，冲油孔和缓冲腔的连通处设置缓冲器，并通过焊接固定，避免长时间受冲击脱落，保护单晶硅传感器，延长使用寿命。延长使用寿命。延长使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
耐冲击全焊接压力传感器


[0001]本申请涉及高性能、智能化仪器仪表领域，特别涉及一种耐冲击全焊接压力传感器。

技术介绍

[0002]压力变送器用于压力监控系统中，当系统中的压力变化时，单晶硅传感器的膜片发生应变，经过信号处理模块，转变为相应的模拟电压和电流信号，配合仪表头等显示装置，实时监测介质压力。现有全焊接单晶硅压力传感器是采用焊接模式将单晶硅压力传感器直接焊接在不锈钢进压头上，在启动或停止等冲击场合时刻，介质对膜片的瞬间冲击力大，造成膜片极易损坏。故此，需要提出改进。

技术实现思路

[0003]本技术的目的在于提供一种耐冲击全焊接压力传感器，以克服现有技术中的不足。
[0004]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：
[0005]本申请实施例公开了一种耐冲击全焊接压力传感器，包括仪表头、螺纹连接于仪表头的进压头和通过基座固定于进压头内的单晶硅传感器，所述进压头靠近仪表头的一端设置有与基座对应的安装槽，所述进压头背离安装槽的一端设置有冲油孔，其中，基座和安装槽的底部间隔设置，并形成缓冲腔，所述缓冲腔内设置有改变介质流向的缓冲器，所述缓冲器设置于冲油孔和缓冲腔的连通处，并焊接于安装槽的底部。
[0006]进一步地，在上述的耐冲击全焊接压力传感器中，所述缓冲器为两段式台阶轴结构，包括导引段和转向段，其中，导引段内设置有连通于冲油孔的导引孔，转向段内设置有连通于缓冲腔的转向孔，所述转向孔连通于导引孔。
[0007]进一步地，在上述的耐冲击全焊接压力传感器中，所述转向段的直径大于导引段的直径，且导引段设置于冲油孔内，转向段的外圆面焊接于安装槽的底部，所述导引段和转向段一体成型而成。
[0008]进一步地，在上述的耐冲击全焊接压力传感器中，所述导引段和冲油孔通过螺纹连接的方式固定连接。
[0009]进一步地，在上述的耐冲击全焊接压力传感器中，所述转向孔的直径不超过1mm。
[0010]进一步地，在上述的耐冲击全焊接压力传感器中，所述安装槽的开口端向外凸伸有环状的第一凸台，所述基座的外壁靠近仪表头的一端凸伸有第二凸台，所述第二凸台焊接固定于所述第一凸台，所述第一凸台和第二凸台的直径相同。
[0011]进一步地，在上述的耐冲击全焊接压力传感器中，所述基座的外壁靠近缓冲腔的一端设置有密封台阶，并套设有密封圈。
[0012]与现有技术相比，本技术的优点在于：该耐冲击全焊接压力传感器结构简单，冲油孔和缓冲腔的连通处设置缓冲器，并通过焊接固定，避免长时间受冲击脱落，保护单晶
硅传感器，延长使用寿命。
附图说明
[0013]为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0014]图1所示为本技术一具体实施例中耐冲击全焊接压力传感器的结构示意图。
[0015]图2所示为本技术一具体实施例中缓冲器的安装示意图。
[0016]图3所示为本技术一具体实施例中缓冲器的结构示意图。
具体实施方式
[0017]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行详细的描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0018]在本技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0019]在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0020]示例性地，参图1至图3所示，一种耐冲击全焊接压力传感器，括仪表头(未图示)、螺纹连接于仪表头的进压头1和通过基座2固定于进压头1内的单晶硅传感器(未图示)，进压头1靠近仪表头的一端设置有与基座2对应的安装槽11，进压头1背离安装槽11的一端设置有冲油孔12，其中，基座2和安装槽11的底部间隔设置，并形成缓冲腔，缓冲腔内设置有改变介质流向的缓冲器3，缓冲器3设置于冲油孔12和缓冲腔的连通处，并焊接于安装槽11的底部。
[0021]该技术方案中，仪表头和单晶硅传感器的结构均属于现有技术，基座的中心加工有通孔，单晶硅传感器通过焊接等常规方式固定于通孔内即可，而后单晶硅传感器和基座作为整体固定于安装槽内，单晶硅传感器通过线缆连接于仪表头，缓冲器设置于冲油孔和缓冲腔的连通处，即设置进压头内，当介质正常流转时，不对缓冲器产生冲击，即缓冲器不是时刻都收到冲击，提高缓冲器固定的强度，当介质压力发生变化时，介质按照图1中箭头的方向进入进压头，到达缓冲器处，方向发生改变，不直接对单晶硅传感器的膜片进行冲击，保护单晶硅传感器的膜片，从而延长压力传感器的使用寿命。
[0022]示例性地，参图2和图3所示，缓冲器3为两段式台阶轴结构，包括导引段31和转向段32，其中，导引段31内设置有连通于冲油孔12的导引孔311，转向段32内设置有连通于缓冲腔的转向孔321，转向孔321连通于导引孔311。
[0023]该技术方案中，介质由冲油孔流经导引孔进入转向孔，从而改变流向，不直接对单晶硅传感器的膜片进行冲击，保护单晶硅传感器的膜片，从而延长压力传感器的使用寿命。
[0024]示例性地，参图2和图3所示，转向段32的直径大于导引段31的直径，且导引段31设置于冲油孔12内，转向段32的外圆面焊接于安装槽11的底部，导引段31和转向段32一体成型而成。
[0025]该技术方案中，导引段和转向段一体成型而成，保证缓冲器的整体强度，导引段插入冲油孔后，即可完成缓冲器的定位，方便焊接，转向段和安装槽的底壁之间通过激光脉冲，并采用坡度焊接的方式进行焊接，保证缓冲器的固定强度，避免长时间受冲击脱落，从而延长使用寿命。
[0026]示例性地，参见图2所示，导引段31和冲油孔12通过螺纹连接的方式固定连接。
[0027]该技术方案中，冲油孔的顶端加工有内螺纹，导引段的外壁加工与内螺纹对应的外螺纹，且外本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种耐冲击全焊接压力传感器，其特征在于，包括仪表头、螺纹连接于仪表头的进压头和通过基座固定于进压头内的单晶硅传感器，所述进压头靠近仪表头的一端设置有与基座对应的安装槽，所述进压头背离安装槽的一端设置有冲油孔，其中，基座和安装槽的底部间隔设置，并形成缓冲腔，所述缓冲腔内设置有改变介质流向的缓冲器，所述缓冲器设置于冲油孔和缓冲腔的连通处，并焊接于安装槽的底部。2.根据权利要求1所述的耐冲击全焊接压力传感器，其特征在于：所述缓冲器为两段式台阶轴结构，包括导引段和转向段，其中，导引段内设置有连通于冲油孔的导引孔，转向段内设置有连通于缓冲腔的转向孔，所述转向孔连通于导引孔。3.根据权利要求2所述的耐冲击全焊接压力传感器，其特征在于：所述转向段的直径大于...

【专利技术属性】
技术研发人员：武羿廷，
申请(专利权)人：苏州轩胜仪表科技有限公司，
类型：新型
国别省市：