用于在高功率金属卤化物镇流器上进行改装的LED灯制造技术

技术编号:35508770 阅读:31 留言:0更新日期:2022-11-09 14:22
本发明专利技术涉及用于在高功率金属卤化物镇流器上进行改装的LED灯。具体地,用于在现有的HID设备中进行改装的灯(200),所述灯包括热沉(202),所述热沉包括:环形管(212),所述环形管包括第一端(214)和第二端(216);多个散热片(218),所述多个散热片从环形管(212)的外部表面径向延伸,其中每一个散热片(218)的长度都从环形管的第一端(214)延伸至环形管的第二端(216);多个光源(204),所述多个光源与热沉(202)热接触;驱动器电路(208),所述驱动器电路操作以为多个光源(204)提供输入电压和电流;其中每一个散热片(218)的自由端(224)都分叉。叉。叉。

【技术实现步骤摘要】
用于在高功率金属卤化物镇流器上进行改装的LED灯


[0001]本专利技术的实施例总体涉及某些LED灯,该LED灯可以改装到用于高功率金属卤化物灯的镇流器上并且配合到现有的HID设备中。

技术介绍

[0002]高强度放电(HID)灯(例如,高功率金属卤化物灯)通过相对低效的过程将输入电能转化成光能。具体而言,转化过程使用输入电能来增加等离子体中电子/离子的能量,并且通过其与处于汽相的中性金属原子的碰撞来产生光。然而,等离子体中电子/离子的能量是麦克斯韦分布,即,这些能量粒子的一小部分能够将金属原子激发至产生可见光所需的量子状态。根据上述过程,将输入电能转化为可用光辐射的能量效率较低,原因在于输入能量的仅大约20%被转化为可用光辐射。
[0003]相比之下,由于用于在发光二极管(LED)灯中产生光的机构,转化效率通常加倍,其中大约40

50%的输入电能被转化为可用光辐射。对于LED而言,从输入向光产生机构传输能量的机构更高效。具体而言,当半导体的导带中的电子与价带中的空穴再结合时产生光。通过将电介质与供体(n型)或受体(本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种灯,包括:热沉,所述热沉包括:环形管,所述环形管包括第一端和第二端,多个散热片,所述多个散热片从所述环形管的外部表面径向延伸,其中,每一个散热片的长度都从所述环形管的第一端延伸至所述环形管的第二端;多个光源,所述多个光源与所述热沉热接触;和驱动器电路,所述驱动器电路操作以为所述多个光源提供输入电压和电流,所述驱动器电路定位在所述热沉的环形管的内部中;所述灯还包括气流发生器,所述气流发生器定位在所述环形管的第一端处以在所述环形管的外部表面上产生强制对流;其中,所述环形管的内部被制造成气密并且密封隔绝水分以适于所述驱动器电路。2.根据权利要求1所述的灯,其特征在于,每一个散热片的自由端都分叉。3.根据权利要求1所述的灯,其特征在于,所述光源是发光二极管(LE...

【专利技术属性】
技术研发人员:R拉麦亚TA克纳普T克林恩BM帕克斯
申请(专利权)人:卡任特照明解决方案有限责任公司
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1