铁电记忆体制造技术

本揭露提供一种铁电记忆体，包括：一第一电极；一第二电极，与该第一电极对向设置；一铁电复合层，设置于该第一电极与该第二电极之间；以及一第一绝缘层，设置于该铁电复合层的一侧。一侧。一侧。

【技术实现步骤摘要】
铁电记忆体


[0001]本揭露是有关于一种铁电记忆体，特别是有关于一种配置限流层的铁电记忆体。

技术介绍

[0002]铁电记忆体(Ferroelectric memories)是属于破坏性读取记忆体，对于操作次数的要求很高，因此，举凡有关提升操作次数的方法就有其价值性。传统以氧化铪(HfO)材料作为基础的铁电记忆体技术，其操作劣化大多在106循环之后即会产生，不符产业上的需求。

技术实现思路

[0003]为提升铁电记忆体的操作次数，本揭露提供一种铁电记忆体，利用在铁电复合层的单侧或双侧配置具有限流效果的绝缘层，以限制元件于高速运作时的暂态电流(transient current)，进而提升铁电记忆体的使用寿命。
[0004]根据本揭露的一实施例，提供一种铁电记忆体。该铁电记忆体包括：一第一电极；一第二电极，与该第一电极对向设置；一铁电复合层，设置于该第一电极与该第二电极之间；以及一第一绝缘层，设置于该铁电复合层的一侧。
[0005]在一实施例中，该第一电极与该第二电极包括金属或半导体材料。r/>[0006]在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种铁电记忆体，其特征在于，包括：第一电极；第二电极，与该第一电极对向设置；铁电复合层，设置于该第一电极与该第二电极之间；以及第一绝缘层，设置于该铁电复合层的一侧。2.如权利要求1所述的铁电记忆体，其特征在于，该第一电极与该第二电极包括金属或半导体材料。3.如权利要求2所述的铁电记忆体，其特征在于，该铁电复合层包括第一电极层、第二电极层、铁电层、以及反铁电层，其中该第一电极层与该第二电极层对向设置，且该铁电层与该反铁电层设置于该第一电极层与该第二电极层之间。4.如权利要求3所述的铁电记忆体，其特征在于，该第一电极层与该第二电极层包括氮化钛。5.如权利要求3所述的铁电记忆体，其特征在于，该第一电极层与该第二电极层的主要结晶方向包括(220)。6.如权利要求3所述的铁电记忆体，其特征在于，该铁电层与该反铁电层彼此以一垂直方向排列。7.如权利要求3所述的铁电记忆体，其特征在于，该铁电层与该反铁电层彼此以一水平方向排列。8.如权利要求3所述的铁电记忆体，其特征在于，该铁电层与该反铁电层包括氧化锆铪(HfZrO
x
)、氧化硅铪(HfSiO
x
)、氧化铪(HfO
x
)、氧化钇铪(HfYO
x
)、氧化钆铪(HfGdO
x
)、氧化锶铪(HfSrO
x
)、氧化钛锶(SrTiO
x
)、钛酸钙锶(SrCaTiO3)、Ag(Nb1‑
x
Ta
x
)O3、钛酸钡锶(BaSrTiO3)、钛酸钡(BaTiO3)、氧化锆(ZrO
x
)、或氧化铝铪(HfAlO
x
)。9.如权利要求1所述的铁电记忆体，其特征在于，还包括第二绝缘层，设置于该铁电复合层的另一侧。10.如权利要求9所述的铁电记忆体，其特征在于，该第一绝缘层与该第二绝缘层包括氧化硅(SiO
x
)、氧化钛(TiO
x
)、氮氧化钛(TiON)、氧化钽(TaO
x
)、氮氧化钽(TaON)、氧化钨(WO
x
)、氧化锗(GeO
x
)、氧化铝(AlO
x
)、碳氮铝钛(AlTiCN)、氧化锌(ZnO)、或氧化锆(ZrO
x
)。11.一种铁电记忆体，其特征在于，包括：基板；第一电极，设置于该基...

【专利技术属性】
技术研发人员：林雨德，叶伯淳，曾培哲，
申请(专利权)人：财团法人工业技术研究院，
类型：发明
国别省市：