【技术实现步骤摘要】
全双工发射接收电路、解串电路芯片、电子设备及车辆
[0001]本专利技术涉及电子电器
，特别是涉及一种全双工发射接收电路、解串电路芯片、电子设备及车辆。
技术介绍
[0002]SerDes(Serializer
‑
Deserializer，串行器和解串器)是一种在发送端多路低速并行信号被转换成高速串行信号，经过传输媒体(比如光纤、同轴电缆等)后，在接收端高速串行信号重新转换成低速并行信号的通信技术。
[0003]目前，相关技术中串行器和解串器之间一般是单向通道，没有回传功能，比如HDMI(High Definition Multimedia Interface，高清晰度多媒体接口)和LVDS(Low Voltage Differential Signaling，低电压差分信号)。即便有部分协议通过增设额外的信道来回传控制信息，比如DP(Display Port，显示接口)，但这种方式会增加成本，不利于广泛应用，具有局限性。
技术实现思路
[0004]基于此，有必要针对上述缺陷或...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种全双工发射接收电路，其特征在于，所述全双工发射接收电路包括差模发射模块和接收提取模块，所述差模发射模块包括两路结构相同的发射器；所述差模发射模块中第一路发射器的第一端与所述接收提取模块的第一端连接，所述第一路发射器的第二端与所述接收提取模块的第二端连接，所述差模发射模块中第二路发射器的第一端与所述接收提取模块的第三端连接，所述第二路发射器的第二端与所述接收提取模块的第四端连接；所述差模发射模块被配置为发射反向差分信号；所述接收提取模块被配置为从包含正向差分信号和所述反向差分信号的混合信号中提取所述正向差分信号，并输出所述正向差分信号。2.根据权利要求1所述的全双工发射接收电路，其特征在于，所述第一路发射器包括第一发射单元和第一滤波单元；所述第一发射单元的第一端连接所述反向差分信号的输入端，所述第一发射单元的第二端分别与所述正向差分信号的第一输入端和所述第一滤波单元的第一端相连接，所述第一发射单元的第三端分别与所述正向差分信号的第二输入端和所述第一滤波单元的第二端相连接，所述第一滤波单元的第三端连接所述接收提取模块的第一端，所述第一滤波单元的第四端连接所述接收提取模块的第二端；所述第二路发射器包括第二发射单元和第二滤波单元；所述第二发射单元的第一端连接所述反向差分信号的输入端，所述第二发射单元的第二端连接所述第二滤波单元的第一端，所述第二发射单元的第三端连接所述第二滤波单元的第二端，所述第二滤波单元的第三端连接所述接收提取模块的第三端，所述第二滤波单元的第四端连接所述接收提取模块的第四端。3.根据权利要求2所述的全双工发射接收电路，其特征在于，所述第一发射单元包括第一非门、第一场效应管、第一电流源、第一电阻、第二场效应管、第二电流源和第二电阻；所述第一非门的输入端接入所述反向差分信号，所述第一非门的输出端连接所述第一场效应管的第一端，所述第一场效应管的第二端连接所述第一电流源的第一端，所述第一电流源的第二端接地，所述第一场效应管的第三端分别与所述正向差分信号的第一输入端和所述第一电阻的第一端相连接，所述第一电阻的第二端连接电源，所述第二场效应管的第一端接入所述反向差分信号，所述第二场效应管的第二端连接所述第二电流源的第一端，所述第二电流源的第二端接地，所述第二场效应管的第三端分别与所述正向差分信号的第二输入端和所述第二电阻的第一端相连接，所述第二电阻的第二端连接电源。4.根据权利要求3所述的全双工发射接收电路，其特征在于，所述第一场效应管和所述第二场效应管均为NMOS管；所述第一场效应管的第一端为NMOS管的栅极，所述第一场效应管的第二端为NMOS管的源极，所述第一场效应管的第三端为NMOS管的漏极，以及所述第二场效应管的第一端为NMOS管的栅极，所述第二场效应管的第二端为NMOS管的源极，所述第二场效应管的第三端为NMOS管的漏极。5.根据权利要求2...
【专利技术属性】
技术研发人员：沈勇，刘昕，王文波，曾华阳，乔英群，
申请(专利权)人：慷智集成电路上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。