KU波段功率放大器及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种KU波段功率放大器及其制作方法，所述KU波段功率放大器包括壳体(1)，所述壳体(1)内部形成有用于安置微波板(10)的微波板凹槽(2)，所述微波板凹槽(2)两端形成有作为微波信号输入窗口的第一波导窗口(3)和作为微波信号输出窗口的第二波导窗口(4)；所述壳体(1)的侧壁上形成有用于安放电源板(8)的电源板凹槽(5)以及用于安装第一绝缘子(6)和第二绝缘子(7)的通孔，所述第一绝缘子(6)和所述第二绝缘子(7)连接所述电源板(8)与所述微波板(10)，以实现电气互通；并且，所述电源板(8)通过多根导线与六针排线插头(9)相连接，用于外部供电控制。该KU波段功率放大器结构设计合理，性能优良。性能优良。性能优良。

【技术实现步骤摘要】
KU波段功率放大器及其制作方法


[0001]本专利技术涉及功率放大器
，具体地，涉及一种KU波段功率放大器及其制作方法。

技术介绍

[0002]功率放大器近年来已广泛应用于雷达、电子对抗、广播电视等领域，它具有体积小、重量轻、耗电少、可靠性高等特点。功率放大器是微波通信设备的重要部件，它的性能在很大程度上影响通信的质量。性能优良的功率放大器，既需要有良好的结构设计作保证，又需要有科学合理的制作方法。
[0003]特别的，急需要提供一种结构和制作方法来提升KU波段功率放大器的性能。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的是提供一种KU波段功率放大器，该KU波段功率放大器结构设计合理，性能优良。
[0005]本专利技术的另一个目的是提供一种KU波段功率放大器的制作方法，该制作方法科学合理，工艺流程简单，工程效果好。
[0006]为了实现上述目的，本专利技术提供了一种KU波段功率放大器，该KU波段功率放大器包括壳体，壳体内部形成有用于安置微波板的微波板凹槽，微波板凹槽两端形成有作为微波信号输入窗口的第一波导窗口和作为微波信号输出窗口的第二波导窗口；
[0007]壳体的侧壁上形成有用于安放电源板的电源板凹槽以及用于安装第一绝缘子和第二绝缘子的通孔，第一绝缘子和第二绝缘子连接电源板与微波板，以实现电气互通；并且，电源板通过多根导线与六针排线插头相连接，用于外部供电控制。
[0008]优选地，微波板上设有多个元器件和核心芯片，其中，核心芯片通过金丝连接至微波板上以实现电气互通，多个元器件包括电容C1、C2、C3、C4，型号为J
‑
CT41
‑
0402B103K500N；以及C5和C6，型号为J
‑
CT41
‑
1210B106K500N。
[0009]优选地，电源板上设有多个元器件，包括：三极管D1，型号为9013；MOS管U20，型号为FDS4141；放大器U21，型号为AD8040ARU；电阻R68，型号为J
‑
RS03K512J；电阻R69、R70、R73、R75、R84、R85，型号为J
‑
RS03K103J；电阻R74，型号为J
‑
RS03K302J；电阻R76，型号为J
‑
RS03K682J；电阻R77、R81，型号为J
‑
RS03K0J；电阻R79、R80，型号为J
‑
RS03K101J；电阻R83，型号为J
‑
RS03K562J；电容C54、C55，型号为J
‑
CT41
‑
0805B106K160N；电容C59、C60，型号为J
‑
CT41
‑
0402B103K500N；电容C56、C64，型号为1210
‑
X7R
‑
50V
‑
106M。
[0010]本专利技术还提供了一种KU波段功率放大器的制作方法，该制作方法包括：
[0011]步骤1、微波板与壳体钎焊；
[0012]步骤2、元器件和绝缘子焊接；
[0013]步骤3、安装电源板组件和焊接导线；
[0014]步骤4、清洗；
[0015]步骤5、核心芯片共晶和烧结；
[0016]步骤6、金丝键合。
[0017]优选地，步骤1包括：
[0018]将PbSnSbAu焊片激光切割成型，使其与微波板尺寸大小一样；将成型PbSnSbAu焊片放置在助焊剂EF
‑
9301中浸泡1min，依次将浸泡的成型焊片和微波板放置在壳体上，然后将压块放置在微波板上，一并放在温度为265℃的加热平台上进行钎焊，待焊片熔化后40
‑
60s内取下冷却，按照KU波段功率放大器正面装配图，完成微波板与壳体的钎焊。
[0019]优选地，步骤2包括：
[0020]步骤2.1、通过气动点胶机将OM338焊膏点涂在电源板上，将元器件贴装在相应焊盘上，然后放置在温度为235℃的热台上焊接，待焊膏熔化后30s以内取下电源板，按照电源板装配图完成焊接，得到电源板组件；
[0021]步骤2.2、按照KU波段功率放大器正面装配图，通过气动点胶机将OM338焊膏点涂在微波板上，将元器件贴装在相应焊盘上；按照KU波段功率放大器侧面装配图，通过气动点胶机将OM338焊膏点涂在绝缘子DC2016
‑
0.7上两圈，然后放置在壳体侧面相应通孔内，一并放置在温度为235℃的热台上焊接，待焊膏熔化后30
‑
40s内取下，完成焊接。
[0022]优选地，步骤3包括：
[0023]按照Ku波段功率放大器侧面装配图，将电源板组件通过螺钉固定在壳体上；电烙铁熔融焊锡丝Sn96.5Ag3.0Cu0.5将六针排线插头通过导线与电源板焊接，得到第一组件。
[0024]优选地，步骤4包括：
[0025]使用汽相清洗机清洗，设置温度为55℃
‑
65℃，浸洗时间500s，蒸洗时间5s，超声时间300s，蒸漂时间40s，干燥时间350s后，将第一组件放在盛有清洗剂CABZOL CEG CLEANER的清洗槽中进行清洗。
[0026]优选地，步骤5包括：
[0027]步骤5.1、将载体固定于设置为295℃
‑
305℃的加热台上预热，时间不少于5s；将切割好的金锡焊片置于载体的表面待焊位置，观察焊片熔化；待焊片熔化，用镊子迅速将焊锡铺开，使得焊锡厚度均匀、光亮，并用镊子刮去焊锡渣；用镊子夹取核心芯片在载体位置处焊锡表面摩擦并施压，摩擦时间控制在5
‑
10s，并确保摩擦时芯片与载体焊接紧密；再用镊子夹取多个芯片电容在载体位置处焊锡表面摩擦并施压，摩擦时间控制在5
‑
10s，并确保摩擦时芯片与载体焊接紧密，按照核心芯片U1共晶图，完成芯片的共晶，得到共晶组件；
[0028]步骤5.2、将裁切好的Pb37Sn63焊片和共晶组件依次放入壳体内并保证平整，一并放置到温度为200℃
‑
210℃的加热平台上，烧结时用镊子夹取共晶组件进行摩擦并施压，摩擦时间控制在13
‑
25s，并确保摩擦时芯片载体与腔体紧密接触，按照Ku波段功率放大器正面装配图，完成共晶组件的烧结。
[0029]优选地，步骤6包括：
[0030]设置键合参数，在规定的超声功率、超声时间作用下，按照Ku波段功率放大器正面装配图，使用25.4微米金丝，完成金丝键合；其中，
[0031]若键合类型为芯片到芯片电容，则第一点键合的超声功率为120
‑
140w、超声时间为35
‑
40ms，第二点键合的超声功率为230
‑
270w，超声时间为70
‑
80ms；本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种KU波段功率放大器，其特征在于，所述KU波段功率放大器包括壳体(1)，所述壳体(1)内部形成有用于安置微波板(10)的微波板凹槽(2)，所述微波板凹槽(2)两端形成有作为微波信号输入窗口的第一波导窗口(3)和作为微波信号输出窗口的第二波导窗口(4)；所述壳体(1)的侧壁上形成有用于安放电源板(8)的电源板凹槽(5)以及用于安装第一绝缘子(6)和第二绝缘子(7)的通孔，所述第一绝缘子(6)和所述第二绝缘子(7)连接所述电源板(8)与所述微波板(10)，以实现电气互通；并且，所述电源板(8)通过多根导线与六针排线插头(9)相连接，用于外部供电控制。2.根据权利要求1所述的KU波段功率放大器，其特征在于，所述微波板(10)上设有多个元器件和核心芯片(U1)，其中，所述核心芯片(U1)通过金丝连接至所述微波板(10)上以实现电气互通，多个元器件包括电容C1、C2、C3、C4，型号为J
‑
CT41
‑
0402B103K500N；以及C5和C6，型号为J
‑
CT41
‑
1210B106K500N。3.根据权利要求1所述的KU波段功率放大器，其特征在于，所述电源板(8)上设有多个元器件，包括：三极管D1，型号为9013；MOS管U20，型号为FDS4141；放大器U21，型号为AD8040ARU；电阻R68，型号为J
‑
RS03K512J；电阻R69、R70、R73、R75、R84、R85，型号为J
‑
RS03K103J；电阻R74，型号为J
‑
RS03K302J；电阻R76，型号为J
‑
RS03K682J；电阻R77、R81，型号为J
‑
RS03K0J；电阻R79、R80，型号为J
‑
RS03K101J；电阻R83，型号为J
‑
RS03K562J；电容C54、C55，型号为J
‑
CT41
‑
0805B106K160N；电容C59、C60，型号为J
‑
CT41
‑
0402B103K500N；电容C56、C64，型号为1210
‑
X7R
‑
50V
‑
106M。4.一种KU波段功率放大器的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：步骤1、微波板(10)与壳体(1)钎焊；步骤2、元器件和绝缘子焊接；步骤3、安装电源板组件和焊接导线；步骤4、清洗；步骤5、核心芯片(U1)共晶和烧结；步骤6、金丝键合。5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，步骤1包括：将PbSnSbAu焊片激光切割成型，使其与微波板(10)尺寸大小一样；将成型PbSnSbAu焊片放置在助焊剂EF
‑
9301中浸泡1min，依次将浸泡的成型焊片和微波板(10)放置在壳体(1)上，然后将压块放置在微波板(10)上，一并放在温度为265℃的加热平台上进行钎焊，待焊片熔化后40
‑
60s内取下冷却，按照KU波段功率放大器正面装配图，完成微波板(10)与壳体(1)的钎焊。6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，步骤2包括：步骤2.1、通过气动点胶机将OM338焊膏点涂在电源板(8)上，将元器件贴装在相应焊盘上，然后放置在温度为235℃的...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪宁，奚凤鸣，朱刚，聂庆燕，查放，方航，
申请(专利权)人：安徽华东光电技术研究所有限公司，
类型：发明
国别省市：