一种残压检测回路制造技术

技术编号:35468971 阅读:18 留言:0更新日期:2022-11-05 16:13
一种残压检测回路,主要适用于终端馈线的残压检测,包含,变压器:用于将终端馈线的电压进行变压并接收一残压信号;二极管整流回路:用于将变压器处理过的电流进行整流;晶体管控制回路:用于控制保持性继电器回路的开关;保持性继电器回路:用于实现对晶体管控制回路的控制,保持性继电器回路的输出端连接与一处理器;光耦回路:用于控制继电器控制回路充电;互感器:用于采集终端馈线的第信号;模数转换芯片:用于将信号进行模数转换;驱动电路:用于驱动光耦回路进行开关;处理器:用于控制驱动电路;有益效果:馈线终端失电情况下和馈线终端正常运行情况下,残压检测回路都能够正常工作,提高了残压检测的可靠性,简化了硬件电路。简化了硬件电路。简化了硬件电路。

【技术实现步骤摘要】
一种残压检测回路


[0001]本技术涉及电网检测领域,尤其涉及终端馈线的残压检测。

技术介绍

[0002]残压是当流过放电电流时保护器指定端的峰值电压,也可以叫做雷电放电电流通过防雷设备时,其端子间呈现的电压,当事故发生时,产生的残压对电力设备与电网有着显著的影响。
[0003]为了提高供电的可靠性,减少线路停电次数,配电线路配置了重合闸功能,但重合于永久性故障时,保护装置再次跳闸,故障线路上出现短时故障电压周波,即残压。馈线终端采用就地取电,上级供电回路跳闸后,馈线终端失电。再次得电后,馈线终端需检测残压,避免合闸于故障线路,现有的残压检测技术主要问题分两种:一是部分设计电路相对简单,可靠性较低,二是部分设计电路比较复杂,可靠性较高,但成本很高。

技术实现思路

[0004]针对当前技术中,简单电路可靠性低,复杂电路成本高的问题,本技术方案提供了一种残压检测回路,主要适用于馈线终端的残压检测,包含,
[0005]变压器:所述变压器的原边耦合所述馈线终端,所述变压器的副边连接一二极管整流回路;
[0006]所述二极管整流回路的输入端连接所述变压器的副边,所述二极管整流回路的输出端连接一晶体管控制回路的输入端;
[0007]所述晶体管控制回路的输出端分别连接一保持性继电器回路的输入端与一光耦回路的输出端;
[0008]所述保持性继电器回路的输出端连接一处理器;
[0009]所述光耦回路的输入端连接一驱动电路的输出端;
[0010]互感器:互感器的原边连接所述馈线终端,所述互感器的副边连接一模数转换芯片的输入端;
[0011]模数转换芯片:所述模数转换芯片的输出端连接所述处理器的输入端;
[0012]驱动电路:所述驱动电路的输入端连接所述处理器的输出端;
[0013]处理器:所述处理器连接所述驱动电路。
[0014]优选的,其中,所述二极管整流回路包含一第一二极管,一第二二极管,一第三二极管,一第四二极管;
[0015]于所述变压器副边的两端分别设置一第一节点与一第二节点,
[0016]所述第一节点设置于一第一二极管与一第三二极管之间,
[0017]所述第二节点设置于一第二二极管与一第四二极管之间;
[0018]所述第一二极管的负极连接所述第三二极管的正极,所述第二二极管的负极连接所述第四二极管的正极,所述第一二极管的正极通过一第三节点连接所述第二二极管的正
极,所述第三二极管的负极通过一第四节点连接所述第四二极管的负极;
[0019]将所述第三节点作为所述二极管整流回路的输入端,将所述第四节点作为所述二极管整流回路的输出端。
[0020]优选的,其中,所述晶体管控制回路中,包含一第一晶体管,第二晶体管;
[0021]所述第一晶体管的源极连接所述第二晶体管的栅极,所述第一晶体管的栅极通过一第二电阻连接所述第四节点,并通过一第三电阻连接所述第三节点,所述第三电阻与一第二电容并联,所述第二电容与一第一限流二极管并联,所述限流二极管的负极连接所述第一晶体管的栅极,所述第一限流二极管的正极连接所述第一晶体管的漏极;
[0022]所述第二晶体管的源极通过一合闸线圈L1连接所述第一电阻,所述第二晶体管的栅极通过一第八电阻连接所述第四节点,并连接一第二限流二极管的负极,所述第二限流二极管的负极连接所述第二晶体管的漏极,所述第二限流二极管与一第三电容并联。
[0023]优选的,其中,所述晶体管控制回路还包括一第一电容,一第三限流二极管,一第四电阻;
[0024]所述第一电容与所述合闸线圈L1并联;
[0025]所述第三限流二极管的负极连接所述第一电阻,所述第三限流管的负极连接所述第二晶体管的源极,所述第三限流二极管与所述合闸线圈L1并联;
[0026]所述第四电阻通过一复位线圈连接所述第三节点,所述复位线圈耦合。
[0027]优选的,其中,所述光耦回路中包含一光耦,所述光耦的原边的集电极通过所述复位线圈连接所述第四电阻,所述光耦的发射极连接所述第二晶体管的漏极;
[0028]所述光耦的副边的发光二极管耦合所述光耦的基极。
[0029]优选的,其中,所述变压器,所述变压器原边连接一所述馈线终端,副边连接所述二极管整流回路,其节点分别在所述第一二极管与所述第一二极管之间,所述第一二极管与所述第一二极管之间。
[0030]优选的,其中,所述保持性继电器包括所述合闸线圈L1与所述复位线圈,所述复位线圈与一第四限流二极管并联,所述第四限流二极管的负极通过所述第四电阻连接所述第四节点,所述第四限流二极管的正极连接所述光耦的发射极;
[0031]所述保持性继电器还包括一第四电容与一开关,所述第四电容与所述第四限流二极管并联,所述开关一侧通过一第五电阻连接一电源,所述开关另一侧接地。
[0032]优选的,其中,所述驱动电路包含一第六电阻,所述第六电阻设置于所述发光二极管的负极与一驱动三极管的集电极;
[0033]所述驱动三极管的基极通过一第七电阻连接所述处理器,所述驱动三极管的发射极接地。
[0034]优选的,其中,还包含一蓄电池,连接所述处理器。
[0035]有益效果:馈线终端失电情况下和馈线终端正常运行情况下,残压检测回路都能够正常工作,提高了残压检测的可靠性,简化了硬件电路。
附图说明
[0036]图1为本技术较佳的实施例中,所述检测回路结构示意图。
具体实施方式
[0037]下面将结合本技术实施例中的附图,对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本技术保护的范围。
[0038]需要说明的是,在不冲突的情况下,本技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0039]下面结合附图和具体实施例对本技术作进一步说明,但不作为本技术的限定。
[0040]本技术方案提供了一种残压检测回路,主要适用于馈线终端的残压检测,如图一所示,包含:
[0041]变压器T1:变压器T1的原边耦合馈线终端,变压器T1的副边连接一二极管整流回路1;
[0042]二极管整流回路1的输入端连接变压器T1的副边,二极管整流回路1 的输出端连接一晶体管控制回路2的输入端;
[0043]晶体管控制回路2的输出端分别连接一保持性继电器回路3的输入端与一光耦回路4的输出端;
[0044]保持性继电器回路3的输出端连接一处理器CPU;
[0045]光耦回路4的输入端连接一驱动电路5的输出端;
[0046]互感器T2:互感器T2的原边连接馈线终端,互感器T2的副边连接一模数转换芯片AD的输入端;
[0047]模数转换芯片AD本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种残压检测回路,主要适用于终端馈线的残压检测,其特征在于,包含:变压器:所述变压器的原边耦合馈线终端,所述变压器的副边连接一二极管整流回路;所述二极管整流回路的输入端连接所述变压器的副边,所述二极管整流回路的输出端连接一晶体管控制回路的输入端;所述晶体管控制回路的输出端分别连接一保持性继电器回路的输入端与一光耦回路的输出端;所述保持性继电器回路的输出端连接一处理器;所述光耦回路的输入端连接一驱动电路的输出端;互感器:互感器的原边连接所述馈线终端,所述互感器的副边连接一模数转换芯片的输入端;模数转换芯片:所述模数转换芯片的输出端连接所述处理器的输入端;驱动电路:所述驱动电路的输入端连接所述处理器的输出端;处理器:用于控制驱动电路。2.如权利要求1所述的一种残压检测回路,其特征在于,二极管整流回路包含一第一二极管,一第二二极管,一第三二极管,一第四二极管;于所述变压器副边的两端分别设置一第一节点与一第二节点,所述第一节点设置于一第一二极管与一第三二极管之间,所述第二节点设置于一第二二极管与一第四二极管之间;所述第一二极管的负极连接所述第三二极管的正极,所述第二二极管的负极连接所述第四二极管的正极,所述第一二极管的正极通过一第三节点连接所述第二二极管的正极,所述第三二极管的负极通过一第四节点连接所述第四二极管的负极;将所述第三节点作为所述二极管整流回路的输入端,将所述第四节点作为所述二极管整流回路的输出端。3.如权利要求2所述的一种残压检测回路,其特征在于,所述晶体管控制回路中,包含一第一晶体管,第二晶体管;所述第一晶体管的源极连接所述第二晶体管的栅极,所述第一晶体管的栅极通过一第二电阻连接所述第四节点,并通过一第三电阻连接所述第三节点,所述第三电阻与一第二电容并联,所述第二电容与一第一限流二极管并联,所述限流二极管的负极连接所...

【专利技术属性】
技术研发人员:唐捷王寿健史宇超王晶石伟伟张占
申请(专利权)人:上海宏力达信息技术股份有限公司
类型:新型
国别省市:

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