动态读取电压技术制造技术

本申请案是针对动态读取电压技术。在一些实例中，存储器装置可包含由存储器阵列的多个不相交子组构成的一或多个分区。所述存储器装置可接收读取所述一或多个分区的读取命令且进入漂移确定阶段。在所述漂移确定阶段期间，所述存储器装置可对每一不相交子组同时施加电压集合的相应电压且确定每一不相交子组中具有低于所述所施加电压的阈值电压的存储器单元的数量。基于所述确定的存储器单元数量与预定存储器单元数量之间的比较，所述存储器装置可从所述电压集合选择电压且利用所述所选择电压来读取所述一或多个分区。择电压来读取所述一或多个分区。择电压来读取所述一或多个分区。

【技术实现步骤摘要】
动态读取电压技术
[0001]交叉引用
[0002]本专利申请案要求由萨帕特瓦里(Sarpatwari)等在2021年5月3日提交的标题为“动态读取电压技术(DYNAMIC READ VOLTAGE TECHNIQUES)”的第17/306,562号美国专利申请案的优先权，所述美国专利申请案让与给本受让人且明确地以全文引用的方式并入本文中。


[0003]
涉及动态读取电压技术。

技术介绍

[0004]存储器装置广泛用于将信息存储在例如计算机、用户装置、无线通信装置、相机、数字显示器等各种电子装置中。通过将存储器装置内的存储器单元编程为各种状态来存储信息。例如，二进制存储器单元可以被编程为两个支持状态中的一个，经常由逻辑1或逻辑0表示。在一些实例中，单个存储器单元可以支持超过两个状态，其中的任一状态可存储。为了存取所存储信息，组件可以读取或感测存储器装置中的至少一个所存储状态。为了存储信息，组件可在存储器装置中写入状态或对状态进行编程。
[0005]存在各种类型的存储器装置和存储器单元，包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、静态RAM(SRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、快闪存储器、相变存储器(PCM)、自选存储器、硫属化物存储器技术等。存储器单元可为易失性的或非易失性的。

技术实现思路

[0006]描述一种在存储器装置处的方法。所述在存储器装置处的方法包含：接收对多个存储器阵列执行读取操作的读取命令，所述多个存储器阵列包含不相交子组；至少部分地基于接收到执行读取操作的读取命令而对不相交子组中的每一相应不相交子组施加多个电压中的相应一个；至少部分地基于对每一相应不相交子组施加所述多个电压中的相应一个而选择在读取操作的执行期间将施加到所述多个存储器阵列的电压；以及将所选择电压施加到所述多个存储器阵列以执行读取操作。
[0007]描述一种设备。所述设备包含：多个存储器阵列，其各自包含存储器单元的不相交子组；接口，其与所述多个存储器阵列和主机装置耦合，所述接口经配置以接收对所述多个存储器阵列执行读取操作的读取命令；以及电路系统，其与所述多个存储器阵列中的每一个耦合且经配置以：至少部分地基于接收到执行读取操作的读取命令而对不相交子组中的每一相应不相交子组施加多个电压中的相应一个，至少部分地基于对每一相应不相交子组施加所述多个电压中的相应一个而选择在读取操作的执行期间将施加到所述多个存储器阵列的电压，且将所选择电压施加到所述多个存储器阵列以执行读取操作。
[0008]描述一种设备。所述设备包含：控制器，其经配置以致使所述设备：接收对多个存
储器阵列执行读取操作的读取命令，所述多个存储器阵列包含不相交子组；至少部分地基于接收到执行读取操作的读取命令而对不相交子组中的每一相应不相交子组施加多个电压中的相应一个；至少部分地基于对每一相应不相交子组施加所述多个电压中的相应一个而选择在读取操作的执行期间将施加到所述多个存储器阵列的电压；以及将所选择电压施加到所述多个存储器阵列以执行读取操作。
附图说明
[0009]图1说明根据本文所公开的实例的支持动态读取电压技术的系统的实例。
[0010]图2说明根据本文所公开的实例的支持动态读取电压技术的存储器裸片的实例。
[0011]图3说明根据本文所公开的实例的支持动态读取电压技术的系统的实例。
[0012]图4说明根据本文所公开的实例的支持动态读取电压技术的时序图的实例。
[0013]图5说明根据本文所公开的实例的支持动态读取电压技术的过程流程的实例。
[0014]图6示出根据本文所公开的实例的支持动态读取电压技术的存储器装置的框图。
[0015]图7示出根据本文所公开的实例的说明支持动态读取电压技术的一或多个方法的流程图。
具体实施方式
[0016]存储器装置可包含存储器单元的多个存储器阵列(例如，包含多个存储器拼块的分区)且可对存储器阵列执行读取操作。即，存储器装置可经由一或多个存取线(例如，字线或位/数字线)对存储器阵列施加电压(例如，读取电压)以感测存储的逻辑状态。存储器装置可在所施加电压的存在下基于存储器单元的特性感测存储于每一存储器单元中的逻辑状态。举例来说，存储器装置可基于所施加电压是否超过存储器单元的阈值电压而造成电流通过存储器单元来确定存储于存储器单元中的逻辑状态。在一些情况下，此现象可被描述为突返事件或阈值化存储器单元。如果所施加电压引发通过存储器单元的电流，那么存储器装置可确定存储器单元存储第一逻辑状态(例如，设定(SET)状态)。另外，如果所施加电压不引发通过存储器单元的电流，那么存储器装置可确定存储器单元存储第二逻辑状态(例如，复位(RESET)状态)。
[0017]在一些实例中，存储器阵列中的一或多个存储器单元的阈值电压可随时间漂移(例如，增加或减小)。举例来说，存储器单元的电特性(例如，存储器单元的电阻率)可在对存储器单元执行重复存取操作之后改变，从而导致阈值电压的漂移。在一些情况下，存储器装置可经配置以在存取操作(例如，读取操作或写入操作)期间调整施加于存储器单元阵列的电压以考虑漂移。为了确定漂移是否已发生或确定在漂移已发生的情况下在读取操作期间要施加的电压(或这两者)，存储器装置可采用例如基于计数的评估等技术。举例来说，在读取操作期间存储器装置可对存储器阵列施加递增地增加的电压(例如，预读取电压)。存储器装置可增加电压直到电压到达致使存储器阵列的某个群组(例如，预配置百分比、某一数量的)存储器单元阈值化(例如，经历突返事件)的电压值。存储器装置可接着当随后存取(例如，读取)存储器阵列时利用所述电压值。举例来说，存储器装置可应用编码方案，使得多个存储器阵列的存储器单元的50％具有给定的第一逻辑状态(例如，设定状态)。因此，在基于计数的评估程序期间，存储器装置可增加电压直到存储器阵列的存储器单元的50％阈
值化或经历突返事件。在基于计数的评估期间，可执行多个感测操作(例如，每一次电压增加执行一个感测操作)。但在存取操作(例如，读取操作)期间使用不同于本公开中所公开的那些技术的其它技术执行多个感测操作可增加与存取操作相关联的时延。
[0018]根据本公开的方面，存储器装置可对存储器阵列的不相交子组(例如，分区的拼块的不相交子组)执行同时的漂移确定操作。举例来说，存储器装置可同时(例如，在至少部分地在时间上重叠的时间间隔期间)对存储器阵列的相应不相交子集施加不同电压(例如，预读取电压)。此处，存储器装置可确定每一不相交子组内响应于施加预读取电压而阈值化的存储器单元的数量。存储器装置可随后基于所确定的每一不相交子组内响应于施加预读取电压中的一或多个而阈值化的存储器单元的数量来选择在读取操作期间要施加的电压。
[0019]在一些实例中，存储器装置可从响应于所确定的每一不相交子组内响应于施加不同的一或本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种在存储器装置处的方法，其包括：接收对多个存储器阵列执行读取操作的读取命令，所述多个存储器阵列包括不相交子组；至少部分地基于接收到执行所述读取操作的所述读取命令而对所述不相交子组中的每一相应不相交子组施加多个电压中的相应一个；至少部分地基于对每一相应不相交子组施加所述多个电压中的所述相应一个而选择在所述读取操作的执行期间将施加到所述多个存储器阵列的电压；以及将所述所选择电压施加到所述多个存储器阵列以执行所述读取操作。2.根据权利要求1所述的方法，其中对每一相应不相交子组施加所述多个电压中的所述相应一个包括：对所述相应不相交子组同时施加所述多个电压中的两个或更多个。3.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：针对所述不相交子组中的每一个且至少部分地基于施加所述多个电压而识别每一不相交子组内具有小于施加于每一不相交子组的所述多个电压中的所述相应一个的阈值电压的存储器单元的数量，其中选择所述电压是至少部分地基于识别每一不相交子组内的所述存储器单元数量。4.根据权利要求3所述的方法，其进一步包括：在与和识别所述存储器单元数量相关联的第二时间间隔至少部分地重叠的第一时间间隔期间将第二电压施加到所述多个存储器阵列，其中施加所述所选择电压是至少部分地基于施加所述第二电压。5.根据权利要求4所述的方法，其中所述第二电压的第一量值小于或等于所述所选择电压的第二量值。6.根据权利要求3所述的方法，其中选择所述电压包括：至少部分地基于所述识别的每一不相交子组内的存储器单元数量与施加于每一不相交子组的所述多个电压中的所述相应一个之间的关联而选择所述电压。7.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：确定第一不相交子组内具有小于施加于所述第一不相交子组的所述多个电压中的第一电压的阈值电压的存储器单元的数量满足准则，其中从所述多个电压选择所述电压包括从所述多个电压选择所述第一电压。8.根据权利要求7所述的方法，其中所述准则包括每一不相交子组内具有小于施加于每一不相交子组的所述多个电压中的所述相应一个的阈值电压的第一存储器单元与每一不相交子组内具有大于施加于每一不相交子组的所述多个电压中的所述相应一个的阈值电压的第二存储器单元的比率。9.根据权利要求1所述的方法，其中：选择在所述读取操作的所述执行期间将施加到所述多个存储器阵列的所述电压包括：选择将施加到所述多个存储器阵列的所述电压的量值；且将所述所选择电压施加到所述多个存储器阵列包括：施加具有所述量值和第一极性的第一电压脉冲；以及施加具有所述量值和不同于所述第一极性的第二极性的第二电压脉冲。
10.根据权利要求1所述的方法，其中：所述多个存储器阵列对应于所述存储器装置的分区；且每一存储器阵列对应于所述存储器装置的相应拼块。11.一种设备，其包括：多个存储器阵列，其各自包括存储器单元的不相交子组；接口，其与所述多个存储器阵列和主机装置耦合，所述接口经配置以接收对所述多个存储器阵列执行读取操作的读取命令；以及电路系统，其与所述多个存储器阵列中的每一个耦合且经配置以：至少部分地基于接收到执行所述读取操作的所述读取命令而对所述不相交子组中的每一相应不相交子组施加多个电压中的相应一个；至少部分地基于对每一相应不相交子组施加所述多个电压中的所述相应一个而选择在所述读取操作的执行期间将施加到所述多个存储器阵列的电压；以及将所选择电压施加到所述多个存储器阵列以执行所述读取操作。12.根据权利要求11所述的设备，其中对每一相应不相交子组施加所述多个电压中的所述相应一个包括：对所述相应不相交子组同时施加所述多个电压中的两个或更多个。13.根据权利要求11所述的设备，其进一步包括：多个检测电路，其各自与所述不相交子组中的相应不相交子组耦合，其中每一检测电路经配置以...

【专利技术属性】
技术研发人员：K，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：