本揭露是一种记忆体系统、记忆体控制器及延长记忆体单元的寿命的方法。在一个态样中，记忆体控制器向记忆体单元施加具有第一振幅的第一脉冲以将输入数据写入至记忆体单元。在一个态样中，记忆体控制器向记忆体单元施加具有大于第一振幅的第二振幅的第二脉冲以延长记忆体单元的寿命。记忆体单元可包括电阻式记忆体装置或相位变化随机存取记忆体装置。在一个态样中，响应于判定记忆体单元已故障，记忆体控制器向记忆体单元施加第二脉冲以修复记忆体单元。在一个态样中，在记忆体单元故障之前，记忆体控制器周期性地向记忆体单元施加第二脉冲。二脉冲。二脉冲。
【技术实现步骤摘要】
记忆体系统、记忆体控制器及延长记忆体单元寿命的方法
[0001]本揭露的实施例是关于一种记忆体系统，且特别是关于一种记忆体系统、记忆体控制器及延长记忆体单元的寿命的方法。
技术介绍
[0002]诸如计算机、可携式装置、智能手机、物联网(internet of thing，IoT)装置等的电子装置的发展促使对记忆体装置的需求增加。一般而言，记忆体装置可为挥发性记忆体装置或非挥发性记忆体装置。挥发性记忆体装置可在供电时储存数据，但一旦断电可能会丢失经储存的数据。与挥发性记忆体装置不同，非挥发性记忆体装置即使在断电后也可以保留(retain)数据，但可能比挥发性记忆体装置更慢。
技术实现思路
[0003]本揭露的实施例的目的在于提出一种记忆体系统，包括记忆体单元及耦接至记忆体单元的记忆体控制器。记忆体控制器用以：向记忆体单元施加第一电压以将输入数据写入至记忆体单元；及向记忆体单元施加大于第一电压的第二电压以延长记忆体单元的寿命。
[0004]本揭露的实施例的目的在于另提出一种延长记忆体单元的寿命的方法，包括：由记忆体控制器侦测记忆体单元是否已故障；响应于判定记忆体单元已故障，通过向记忆体单元施加具有第一振幅的第一脉冲以由记忆体控制器修复记忆体单元；及响应于修复记忆体单元，通过向记忆体单元施加具有小于第一振幅的第二振幅的第二脉冲以由记忆体控制器将输入数据写入至记忆体单元。
[0005]本揭露的实施例的目的在于另提出一种记忆体控制器，包括振幅控制器及耦接至振幅控制器的脉冲产生器。振幅控制器用以：选择第一振幅以将输入数据写入记忆体单元；及选择第二振幅以延长记忆体单元的寿命。脉冲产生器用以：向记忆体单元施加脉冲，该脉冲具有由振幅控制器所选择的第一振幅或第二振幅的一者。
附图说明
[0006]结合附图，根据以下详细描述可以最好地理解本揭示内容的各态样。注意，根据行业中的标准实务，各种特征未按比例绘制。实际上，为了讨论清楚起见，各种特征的尺寸可任意增加或减小。
[0007]图1是根据一些实施例的记忆体系统的示意图；
[0008]图2是根据一些实施例的记忆体单元以及用于记忆体单元的不同操作所施加的示例电压的示意图；
[0009]图3A是根据一些实施例的PCRAM装置的剖视图；
[0010]图3B是根据一些实施例的剖视图的一部分的放大图；
[0011]图4是根据一些实施例的在多次的写入操作之后的电阻式记忆体装置的故障的曲
线图；
[0012]图5是根据一个实施例的记忆体控制器的方块图；
[0013]图6A是根据一些实施例的施加到记忆体单元以延长记忆体单元的寿命的脉冲的时序图的示意图；
[0014]图6B是根据一些实施例的施加到记忆体单元以延长记忆体单元的寿命的脉冲的时序图的示意图；
[0015]图7A是根据一些实施例的施加到记忆体单元以延长记忆体单元的寿命的脉冲的时序图的示意图；
[0016]图7B是根据一些实施例的施加到记忆体单元以延长记忆体单元的寿命的脉冲的时序图的示意图；
[0017]图8是根据一些实施例的延长记忆体单元的寿命的方法的流程图；
[0018]图9是根据一些实施例的延长记忆体单元的寿命的方法的流程图；
[0019]图10A是根据一些实施例的执行恢复操作之前的相位变化记忆体装置的电阻与执行恢复操作之后的相位变化记忆体装置的电阻的比较的图；
[0020]图10B是根据一些实施例的执行恢复操作之前的电阻式记忆体装置发生故障的周期数与执行恢复操作之后的电阻式记忆体装置发生故障的周期数的比较的图；
[0021]图11是根据本揭露的一些实施例的计算系统的示例方块图。
[0022]【符号说明】
[0023]100:记忆体系统
[0024]105,1140:记忆体控制器
[0025]120,1145:记忆体阵列
[0026]125:记忆体单元
[0027]210:晶体管
[0028]220:电阻式记忆体装置
[0029]310:PCRAM装置的剖视图
[0030]315A,TE:顶电极
[0031]315B,BE:底电极
[0032]320:一部分
[0033]325:相位变化材料
[0034]330:多孔区域
[0035]330A,330B:接触
[0036]400:曲线图
[0037]410,1010B:第二电阻
[0038]420,1010A:第一电阻
[0039]430:固定电阻
[0040]510:字元线控制器
[0041]515,525:脉冲产生器
[0042]520:位元线控制器
[0043]530:时序控制器
[0044]540:振幅控制器
[0045]550:记忆体周期计数器
[0046]560:记忆体测试器
[0047]570:记忆体阻断器
[0048]600,660,700,760:时序图
[0049]605,625,635:时间段
[0050]610,612,614,616,618,622,716,722:脉冲
[0051]800,900:方法
[0052]810,820,830,840,850,910,920,930,940:操作
[0053]1000,1050:比较图
[0054]1010C:第三电阻
[0055]1020A,1020B,1020C:电阻
[0056]1060,1070:曲线
[0057]1100:计算系统
[0058]1105:主机装置
[0059]1110:记忆体装置
[0060]1115:输入装置
[0061]1120:输出装置
[0062]1125A,1125B,1125C:接口
[0063]1130A,1130N:CPU核心
[0064]1135:标准单元应用
[0065]BL0,BL1,BL2,BLK:位元线
[0066]GeSbTe:锗
‑
锑
‑
碲
[0067]RESET:重置
[0068]SET:设置
[0069]T1,T2,T3,T4:时间
[0070]V
BL
,V
BULK
,V
SL
,V
WL
:电压
[0071]WL0,WL1,WL2,WLJ:字元线
具体实施方式
[0072]以下的揭露提供了许多不同的实施例或例子，以实施所提供标的的不同特征。以下描述的构件与安排的特定例子，以简化本揭露。当然，这些仅仅是例子而不是用以限制本揭露。例如，在说明中，第一特征形成在第二特征之上方或之上，这可能包含第一特征与第二特征以直接接触本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种记忆体系统，其特征在于，包括：一记忆体单元；及一记忆体控制器，耦接至该记忆体单元，该记忆体控制器用以：向该记忆体单元施加一第一电压以将一输入数据写入至该记忆体单元；及向该记忆体单元施加大于该第一电压的一第二电压以延长该记忆体单元的一寿命。2.根据权利要求1所述的记忆体系统，其特征在于，其中该记忆体单元包括一电阻式记忆体装置，其中响应于大于该第一电压的该第二电压，校正该电阻式记忆体装置的一电阻值。3.根据权利要求2所述的记忆体系统，其特征在于，其中该电阻式记忆体装置为一相位变化随机存取记忆体装置。4.根据权利要求1所述的记忆体系统，其特征在于，其中该记忆体控制器包括：一记忆体测试器，耦接至该记忆体单元，该记忆体测试器侦测该记忆体单元的一故障；及一振幅控制器，用以：响应于该记忆体测试器判定该记忆体单元未故障，选择该第一电压以将该输入数据写入至该记忆体单元；及响应于该记忆体测试器判定该记忆体单元已故障，选择该第二电压以修复该记忆体单元。5.一种延长记忆体单元寿命的方法，其特征在于，包括：由一记忆体控制器侦测一记忆体单元是否已故障；响应于判定该记忆体单元已故障，通过向该记忆体单元...
【专利技术属性】
技术研发人员：李永辉，廖珮君，林建宏，贺大伟，郭文贤，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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