透光性导电膜和透明导电性薄膜制造技术

本发明专利技术的透光性导电膜(20)为非晶质，包含含有氪的导电性氧化物层，且具有4

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】透光性导电膜和透明导电性薄膜


[0001]本专利技术涉及透光性导电膜和透明导电性薄膜。

技术介绍

[0002]液晶显示器、触摸面板和光传感器等各种设备中的透明电极由兼具透光性和导电性的膜(透光性导电膜)形成。透光性导电膜有时也被用作设备中具备的抗静电层。透光性导电膜通过例如利用溅射法在透明基材上对导电性氧化物进行成膜而形成。在溅射法中，作为用于撞击靶(成膜材料供给材料)而使靶表面的原子弹出的溅射气体，使用氩气等非活性气体。关于这种透光性导电膜的相关技术，在例如下述专利文献1中有所记载。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开平5
‑
334924号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的问题
[0007]对透光性导电膜要求低电阻。尤其是，对于透明电极用途的透光性导电膜而言，该要求高。另外，对透光性导电膜要求膜内的内部应力小，不易发生翘曲。
[0008]本专利技术提供对于获得翘曲受到抑制且电阻低的结晶质透光性导电膜而言适合的非本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种透光性导电膜，其为非晶质的透光性导电膜，包含含有氪的导电性氧化物，所述透光性导电膜具有4
×
10
‑4Ω
·
cm以上的电阻率。2.根据权利要求1所述的透光性导电膜，其中，所述电阻率为20
×
10
‑4Ω
·
cm以下。3.根据权利要求1或2所述的透光性导电膜，其具有超过40n...

【专利技术属性】
技术研发人员：藤野望，鸦田泰介，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：