用于抑制由聚硅烷组合物产生硅烷的稳定剂和抑制硅烷产生的方法技术

[课题]本发明专利技术提供一种用于抑制由聚硅烷组合物产生硅烷的稳定剂和一种用于抑制硅烷产生的方法。还提供一种使聚硅烷失活的方法及聚硅烷失活处理组合物。[解决手段]一种用于抑制由聚硅烷组合物产生硅烷的稳定剂，由下式表示：CH2＝CH

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于抑制由聚硅烷组合物产生硅烷的稳定剂和抑制硅烷产生的方法


[0001]本专利技术涉及一种用于抑制由聚硅烷组合物产生硅烷的稳定剂和一种抑制硅烷产生的方法。此外，本专利技术涉及使聚硅烷失活的方法和聚硅烷失活处理组合物。

技术介绍

[0002]由于硅薄膜具有较高的硬度和密闭性，因此被用于半导体器件制造领域的各种用途中，具体而言，用于基板或电路等的硬膜、阻气膜、提高基材强度的膜等用途。
[0003]其中，高分子量聚硅烷可溶于溶剂，因此能够在不处于真空状态的情况下通过涂布涂布溶液并加热的简单工艺形成薄膜。由于液体毛细作用，聚硅烷还可以用于填充半导体器件的层间绝缘膜等的细槽。
[0004]已知聚硅烷在长期储存时会分解并产生硅烷气体(SiH4气体)。SiH4是一种高度挥发性的、可以在空气中自燃的气体。以往，为了确保安全性，通过使用碱溶液进行水解、使用金属氧化物进行吸附除去、或燃烧等方法来处理这种硅烷气体。然而，所有这些处理方法都需要设备等。并且，这些是处理产生的硅烷的方法，而不是抑制硅烷产生，因此在处理完成之前存在危险。
[0005本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于抑制由聚硅烷组合物产生硅烷的稳定剂，由下式表示：CH2＝CH
‑
R1式中，R1是C3‑
20
的直链、支链或环状烷基；C2‑
15
的直链或支链烯基，或C7‑
20
的被烯基取代的芳基。2.根据权利要求1所述的稳定剂，其中，R1是C3‑
20
的直链或支链烷基；C5‑8的环状烷基；C3‑
15
的直链的末端具有不饱和键的烯基，或C7‑
10
的被末端具有不饱和键的烯基取代的苯基。3.根据权利要求1或2所述的稳定剂，其中，所述稳定剂从由1
‑
戊烯、1
‑
己烯、3
‑
甲基
‑1‑
戊烯、4
‑
甲基
‑1‑
戊烯、3,3
‑
二甲基
‑1‑
丁烯、1
‑
庚烯、5
‑
甲基
‑1‑
己烯、1
‑
辛烯、1
‑
壬烯、1
‑
癸烯、1
‑
十二碳烯、1
‑
十四碳烯、1
‑
十六碳烯、1
‑
十八碳烯、乙烯基环戊烷、乙烯基环己烷、烯丙基环己烷、1,4
‑
戊二烯、1,5
‑
己二烯、1,6
‑
庚二烯、1,7
‑
辛二烯、1,8
‑
壬二烯、1,9
‑
癸二烯、1,10
‑
十一碳二烯、1,11
‑
十二碳二烯、1,2
‑
二乙烯基苯、1,3
‑
二乙烯基苯和1,4
‑
二乙烯基苯组成的群组中选出。4.根据权利要求1至3中任一项所述的稳定剂，其中，所述聚硅烷为全氢聚硅烷。5.根据权利要求1至4中任一项所述的稳定剂的用途，将其添加到聚硅烷组合物中以抑制由聚硅烷组合物产生硅烷。6.一种抑制硅烷产生的方法，使聚硅烷和根据权利要求1至4中任一项所述的稳定剂共存。7.一种使含聚硅烷废液失活的方法，包括在含聚硅烷废液中混合由下式表示的稳定剂：CH2＝CH

【专利技术属性】
技术研发人员：高岸秀行，中本奈绪子，佐藤敦彦，
申请(专利权)人：默克专利有限公司，
类型：发明
国别省市：