用于锗-68同位素生产的系统和方法技术方案

提供了一种用于生产锗

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于锗
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68同位素生产的系统和方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年1月17日提交给美国专利商标局的美国临时专利申请号62/962,525和2021年1月14日提交给美国专利商标局的美国专利申请号17/148,880的优先权。其公开的全部内容通过引用并入本文。


[0003]本专利技术涉及用于生产锗
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68(Ge
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68)同位素的系统和方法。

技术介绍

[0004]存在用于Ge
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68生产的现有方法，这些方法通常包括萃取或色谱法。溶剂萃取是一种基于化合物在两种不同的不混溶液体(如非极性溶剂和极性溶剂)中的相对溶解度来分离化合物的方法。非极性溶剂的示例是有机溶剂，如四氯化碳和己烷。
[0005]溶剂萃取法需要使用四氯化碳。美国食品药品监督管理局(FDA)将四氯化碳归类为有毒和致癌溶剂，并且FDA建议避免使用1类溶剂。参见现有技术萃取方法的图1A。极性溶剂的示例是水和乙醇。萃取的缺点是产物中可能存在痕量的1类有毒溶剂，萃取是一个手工劳动密集型过程，并且会产生溶解的靶废物和有毒溶剂废物。
[0006]用于Ge
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68生产的另一种方法是柱色谱法，其是基于化合物对吸附剂的不同吸附来分离物质的方法。每种化合物以不同的速度通过色谱柱。参见现有技术色谱方法的图1B。色谱法的缺点是产物中可能存在痕量的起始材料和靶材料，例如钴(Co)、镓(Ga)、镍(Ni)和锌(包括但不限于Znr/>‑
65)，柱色谱法是一种人工劳动密集型程序，并且会产生溶解的靶废物和溶剂废物。
[0007]因此，需要一种用于生产Ge
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68同位素(尤其是医用级Ge
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68同位素)的系统和方法，以克服这些已知方法的缺点。

技术实现思路

[0008]本专利技术涉及一种生产锗
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68(Ge
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68)同位素优选Ge
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68医用级同位素的方法。
[0009]在本专利技术的一实施例中，提供了一种生产Ge
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68同位素的方法。该方法包括辐照镀有Ga
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Ni合金的固体靶以形成辐照的镀Ga
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Ni合金的靶，用酸溶解辐照的镀Ga
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Ni合金的固体靶，以及通过蒸馏纯化溶解的辐照的镀靶以产生纯化的Ge
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68。
[0010]在本专利技术的一实施例中，提供了一种用于生产Ge
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68同位素的方法。该方法包括辐照封装在金属或金属合金中的镓金属以形成辐照的封装靶，加热辐照的靶以熔化Ga金属，刺穿加热的靶，用酸溶解刺穿的靶，以及通过蒸馏纯化溶解的靶以产生纯化的Ge
‑
68。
[0011]在本专利技术的一实施例中，提供了一种用于实施所述方法的系统。该系统包括溶解池组件。溶解池组件包括溶解罐或罐组件，以及加热器或加热器组件。
[0012]根据下文提供的详细说明，本专利技术的其他可应用领域将变得显而易见。应该理解的是，详细描述和具体示例虽然指出了本专利技术的优选实施例，但仅旨在说明的目的，并不意
图限制本专利技术的范围。
附图说明
[0013]通过详细说明和附图，可更全面地理解本专利技术，附图不一定按比例绘制，在附图中：
[0014]图1A是现有技术萃取方法。
[0015]图1B是现有技术的色谱方法。
[0016]图2是根据本专利技术的系统图。
[0017]图3是根据本专利技术的另一系统图。
[0018]图4A是图2的溶解池组件的透视图。
[0019]图4B是图4A的溶解池组件的分解图。
[0020]图4C是本专利技术的溶解池组件的另一视图。
具体实施方式
[0021]以下对本专利技术的实施例的描述本质上仅是示例性的，绝非旨在限制本专利技术、其应用或用途。以下描述在此仅作为示例提供，目的是提供对本专利技术的允许公开，但不限制本专利技术的范围或实质。
[0022]在本专利技术的一实施例中，提供了一种用于生产锗
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68(Ge
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68)同位素，优选Ge
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68医用级同位素的方法。
[0023]在本专利技术的一实施例中，该方法通常包括提供镀覆靶、辐照镀覆靶、溶解辐照靶以及通过蒸馏纯化溶解的靶以获得Ge
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68同位素。
[0024]靶电镀：固体金属用作基底(base)或基底层并用Ga
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Ni合金电镀，从而形成电镀靶。或者，镀覆的靶包括基底或基底层、可选的绝缘层和Ga
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Ni合金层。优选地，基底或基底层包含银(Ag)。然而，用于基底层的其他金属或金属合金包括但不限于铜(Cu)、铝(Al)、镍(Ni)、钨(W)、Ag
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Cu合金、W
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Ag合金、铑(Rh)、Rh
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Ga合金、铌(Nb)、其他导热金属或金属合金，或它们的组合。用于绝缘层的金属或金属合金包括但不限于银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、镍(Ni)、钨(W)、Ag
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Cu合金、W
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Ag合金、铑(Rh)、Rh
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Ga合金、铌(Nb)、其他导热金属或金属合金，或它们的组合。
[0025]镀覆靶的辐照：镀覆靶被送到回旋加速器并被辐照形成辐照的镀覆Ga
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Ni合金的Ag固体靶。
[0026]电镀靶溶解：将经辐照的镀Ga
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Ni合金的银固体靶置于溶解池组件中。盐酸(HCl)用于在大约70摄氏度至80摄氏度下溶解Ga
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Ni合金大约6至24小时。溶解过程中产生的蒸气在冷凝器中冷凝，然后返回溶解池组件。
[0027]产物蒸馏纯化：溶解完成后，改变阀门设置，将温度升高至约90℃至100℃。由于四氯化锗是约95℃下唯一的挥发性化合物，蒸气在蒸馏冷凝器中冷凝，纯化的Ge
‑
68产物在接收器中收集。纯化过程大约需要20到60分钟。
[0028]在本专利技术的一实施例中，提供了一种系统。参照图2和图3，该系统包括：主体10、蒸馏冷凝器20、收集器组件30、接收器40、回流冷凝器(无阀)50、玻璃管60、冷凝器保持器70、溶解池组件80和基底支撑架(优选为陶瓷)90。例如，如图3所示，该系统具有两个冷凝器和
连接到主体的接收器。两个冷凝器都可以从冷凝器保持器上分离。
[0029]图4A是图2中溶解池组件的透视图。图4B是图4A的溶解池组件的分解图。图4C是本专利技术的溶解池组件的照片。
[0030]溶解池组件80通常包括溶解罐或罐组件，以及加热器或加热器组件。加热器或加热器组件通常包括溶解池基底加热器组件和溶解池加热器插头组件。
[0031]如图所示，溶解池组件80包括：溶解池横杆子组件110、溶解本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于生产锗
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68同位素的方法，该方法包括：辐照镀有Ga
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Ni合金的固体靶以形成辐照的镀Ga
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Ni合金的靶，用酸溶解辐照的镀Ga
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Ni合金的固体靶，和通过蒸馏纯化溶解的辐照的镀靶以产生纯化的锗
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68。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述固体靶包括银。3.根据权利要求1所述的方法，其中，固体靶镀有绝缘层。4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述绝缘层选自由铜、铝、镍、钨、银
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铜合金、钨
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银合金、铑、铑
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镓合金、铌及其组合组成的组。5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述酸是盐酸(HCl)、硫酸、硝酸或其他强酸的组合。6.根据权利要求1所述的方法，其中，溶解发生在70摄氏度至80摄氏度的温度范围。7.根据权利要求1所述的方法，还包括冷凝溶解过程中产生的蒸气。8.根据权利要求1所述的方法，还包括在溶解后升高温度。9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述温度被升高至90摄氏度至100摄氏度。10.根据权利要求7所述的方法，其中，蒸气在蒸馏冷凝器中冷凝。11.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：CKM黄，RJ怀特，
申请(专利权)人：BWXT医疗有限公司，
类型：发明
国别省市：