一种脉冲负载启动的单管浪涌电流抑制电路制造技术

本发明专利技术公开了一种脉冲负载启动的单管浪涌电流抑制电路，所述单管浪涌电流抑制电路包括单管浪涌电流抑制电路输入端、单管浪涌电流抑制电路输出端、脉冲负载抑制前馈电路、脉冲负载抑制单管阻抗控制电路和限流与检测共用电路；所述脉冲负载抑制前馈电路用于突加电压时脉冲负载抑制前馈，所述限流电阻与检测共用电路由所述脉冲负载抑制单管阻抗控制电路中的元件构成。本发明专利技术可实现脉冲功率启动，减少脉冲功率系统的缓启动时间；此电路仅需单颗MOS管即可实现，且限流电阻与检测电路共用，电路简单，器件少，成本低，易于实现。易于实现。易于实现。

【技术实现步骤摘要】
一种脉冲负载启动的单管浪涌电流抑制电路


[0001]本专利技术属于浪涌电流抑制电路
，尤其涉及一种脉冲负载启动的单管浪涌电流抑制电路。

技术介绍

[0002]污水处理电源、静电除尘电源、金属加工电源以及发射机电源一般均是脉冲类负载。脉冲负载是一类特殊负载形式，其电流为矩形波，存在负载峰值和谷值。脉冲功率传递至发电系统后，发电机的输出电压可能会超出指标范围，严重时还会出现发电机保护现象。为减小脉冲功率对发电机的影响，通常需使用电容储能，对脉冲功率进行平滑；脉冲功率的频率越低则需要的电容值越大。电容在上电过程中，会产生大的浪涌电流。大的浪涌电流会导致系统中的上电控制继电器触点寿命降低，因此需对浪涌电流进行限制。为减小浪涌电流，需要在电容的充电回路中串联电阻；为减小串联电阻损耗，需要在充电完成后减小串联电阻的阻值以降低损耗。
[0003]常用的电容上电浪涌电流抑制方法有热敏电阻、电阻与开关并联、MOS管线性导通方法。热敏电阻是在电容充电回路中串联热敏电阻，热敏电阻冷态时电阻大可以限制浪涌电流，启动后热敏电阻温度升高，温度升高导致热敏电阻本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种脉冲负载启动的单管浪涌电流抑制电路，其特征在于，所述单管浪涌电流抑制电路包括单管浪涌电流抑制电路输入端、单管浪涌电流抑制电路输出端、脉冲负载抑制前馈电路、脉冲负载抑制单管阻抗控制电路和限流与检测共用电路；所述脉冲负载抑制前馈电路用于突加电压时脉冲负载抑制前馈，所述限流电阻与检测共用电路由所述脉冲负载抑制单管阻抗控制电路中的元件构成。2.如权利要求1所述的脉冲负载启动的单管浪涌电流抑制电路，其特征在于，所述脉冲负载抑制前馈电路包括电容C1、二极管D1和电阻R1，所述电容C1一端分别与二极管D1阴极和电阻R1第一端连接，所述电容C1另一端与所述单管浪涌电流抑制电路输入端连接，所述二极管D1阳极和所述单管浪涌电流抑制电路输出端连接。3.如权利要求2所述的脉冲负载启动的单管浪涌电流抑制电路，其特征在于，所述脉冲负载抑制单管阻抗控制电路包括储能电容，所述储能电容正极分别与所述单管浪涌电流抑制电路输入端和电阻R2的第一端连接，所述储能电容负极与MOS管Q1漏极连接，所述MOS管Q1栅极与瞬态抑制器D4阴极、电阻R4一端、电阻R3一端和三极管Q2集电极连接，所述MOS管Q1的源极与瞬态抑制器D4阳极、电阻R4另一端、电阻R8一端和所述单管浪涌电流抑制电路输出端连接，所述MOS管Q1漏极还与电阻R7一端连接，所述电阻R3另一端与所述电阻R2第二端连接，所述电阻R7的另一端与电阻R8的另一端相连，所述电阻R7和所述电阻R8的连接点通过电阻R5与三极管Q2基极连接，所述三极管Q2基极还与电阻R6一端、电容C3一端和电阻R1第二端连接，所述三极管Q2发射极还与电阻R6另一端、电容C3另一端和所述单管浪涌电流抑制电路输出端连接。4.如权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：白雷，张莉，王海龙，王斌，李燕平，雷佳科，李连成，董涛，余俊宏，刘延力，冯刚，黄君涛，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第二十九研究所，
类型：发明
国别省市：