显示设备、检测设备、刷新率检测方法以及存储介质技术

本申请提供一种显示设备、检测设备、刷新率检测方法以及存储介质，该显示设备包括：显示屏；导线，一端与显示屏电连接；第一芯片，与导线的另一端电连接；以及第一磁场检测装置，与导线相邻设置，第一磁场检测装置用于检测经过导线的电流所引起的磁场强度信息；其中，第一芯片与第一磁场检测装置电连接，以用于根据第一磁场检测装置检测到的磁场强度信息，确定显示屏的刷新率。本申请在不改变显示设备供电电路的前提下，通过在导线相邻位置设置磁场检测装置检测其对应的磁场强度信息，确定显示屏的刷新率，解决了压降问题。解决了压降问题。解决了压降问题。

【技术实现步骤摘要】
显示设备、检测设备、刷新率检测方法以及存储介质


[0001]本申请涉及显示
，尤其涉及一种显示设备、检测设备、刷新率检测方法以及存储介质。

技术介绍

[0002]随着显示技术的不断发展，人们对显示屏刷新率的需求也不断提高。现有技术中，检测显示屏刷新率的方式是在显示屏的供电电路中增加电阻，将电阻与刷新率有关的供电走线串联，通过检测供电走线的电流波形确定显示屏的刷新率。但是，所串联电阻会改变供电电路，流过电阻的电流会产生压降问题。

技术实现思路

[0003]本申请实施例提供一种显示设备、检测设备、刷新率检测方法以及存储介质，解决了压降问题。
[0004]第一方面，本申请实施例提供了一种显示设备，包括：
[0005]显示屏；
[0006]导线，一端与所述显示屏电连接；
[0007]第一芯片，与所述导线的另一端电连接；以及
[0008]第一磁场检测装置，与所述导线相邻设置，所述第一磁场检测装置用于检测经过所述导线的电流所引起的磁场强度信息；
[0009]其中，所述第一芯片与所述第一磁场检测装置电连接，以用于根据所述第一磁场检测装置检测到的所述磁场强度信息，确定所述显示屏的刷新率。
[0010]第二方面，本申请实施例提供了一种检测设备，用于检测显示设备，所述显示设备包括显示屏和导线，所述导线与所述显示屏电连接，所述检测设备包括：
[0011]第一磁场检测装置，与所述导线相邻设置，所述第一磁场检测装置用于检测经过所述导线的电流所引起的磁场强度信息；以及
[0012]第二芯片，所述第二芯片与所述第一磁场检测装置电连接，以用于根据所述第一磁场检测装置检测到的所述磁场强度信息，确定所述显示屏的刷新率。
[0013]第三方面，本申请实施例提供了一种刷新率检测方法，应用于显示设备，所述显示设备包括显示屏和与所述显示屏电连接的导线，所述方法包括：
[0014]获取经过所述导线的电流所引起的磁场强度信息；以及
[0015]根据所述磁场强度信息确定所述显示屏的刷新率。
[0016]第四方面，本申请实施例提供一种计算机可读的存储介质，其上存储有计算机程序，当所述计算机程序在计算机上运行时，使得所述计算机执行如上任一项所述的刷新率检测方法。
[0017]本申请实施例提供的显示设备，当与显示屏电连接的导线有电流流过时，在导线的周围会产生磁场，通过在导线相邻位置设置第一磁场检测装置检测其对应的磁场强度信
息，并根据磁场强度信息确定显示屏的刷新率，所设置的第一磁场检测装置并不会改变显示设备的供电电路，从而避免了在供电电路中串联电阻所产生的压降问题。
附图说明
[0018]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0019]图1是本申请实施例提供的显示设备的第一种结构示意图。
[0020]图2是本申请实施例提供的导线与第一磁场检测装置的结构示意图。
[0021]图3是本申请实施例提供的导线的电流方波示意图。
[0022]图4是本申请实施例提供的显示设备的第二种结构示意图。
[0023]图5是本申请实施例提供的导线、第一磁场检测装置和第二磁场检测装置的结构示意图。
[0024]图6是本申请实施例提供的检测设备的第一种结构示意图。
[0025]图7是本申请实施例提供的显示设备的第三种结构示意图。
[0026]图8是本申请实施例提供的检测设备的第二种结构示意图。
[0027]图9是本申请实施例提供的刷新率检测方法的流程示意图。
具体实施方式
[0028]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有付出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请的保护范围。
[0029]现有技术中，有机发光二极管(organic light
‑
emitting diode，OLED)显示屏包括供电电路，检测显示屏刷新率的方式是通过在供电电路的供电走线上串联电阻，OLED显示屏每刷新一次便会对供电走线进行一次抽电，使流过供电走线的电流出现激增，形成供电走线的电流波形，基于供电走线的电流波形，能够通过供电走线的抽电频率对应得到显示屏的刷新率。其中，供电走线为与刷新率相关的供电走线，如为芯片供电的VDDR走线、为模拟电路供电的AVDD走线等。
[0030]但是，在供电电路的供电走线上串联电阻，改变了供电电路，即使该电阻阻值很小，也会产生压降问题。
[0031]为解决现有技术中存在的问题，本申请实施例提供一种显示设备、检测设备、刷新率的检测方法以及存储介质，从而在不改变显示设备供电电路的前提下实现显示屏刷新率的检测，解决了压降问题。
[0032]可选的，本申请实施例提供一种显示设备，请参阅图1，图1是本申请实施例提供的显示设备的第一种结构示意图。其中，该显示设备100可以为OLED显示设备等。显示设备100可以包括显示屏101、导线102、第一芯片103以及第一磁场检测装置104。
[0033]其中，显示屏101可以为OLED显示屏；导线102可以包括为第一芯片103供电的导
线，如VDDR走线，导线102的一端与显示屏101电连接；第一芯片103与导线102的另一端电连接；以及第一磁场检测装置104与导线102相邻设置，第一磁场检测装置104用于检测经过导线102的电流所引起的磁场强度信息，具体地，当导线102有电流流过时，在导线102的周围会产生磁场，第一磁场检测装置104所设置位置可以是能够检测到该磁场的位置，具体位置在此不作限定。其中，第一芯片103与第一磁场检测装置104电连接，以用于根据第一磁场检测装置104所检测到的导线102对应的磁场强度信息，确定显示屏101的刷新率。
[0034]本实施例提供的显示设备100中，当与显示屏101电连接的导线102有电流流过时，在导线102的周围会产生磁场，通过在导线102相邻位置设置第一磁场检测装置104检测其对应的磁场强度信息，根据磁场强度信息确定显示屏101的刷新率，所设置的第一磁场检测装置104并不会改变显示设备100的供电电路，从而避免了在供电电路中串联电阻所产生的压降问题。
[0035]具体地，请继续参阅图1，显示设备100中显示屏101可以为OLED显示屏，OLED显示屏的供电电路的背压约为
±
4.6V；导线102的一端与显示屏101电连接，导线102可以为与显示屏101刷新率相关的导线，如VDDR走线，VDDR走线电压约为1.5V，其中，VDDR走线为OLED显示屏特有的供电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示设备，其特征在于，包括：显示屏；导线，一端与所述显示屏电连接；第一芯片，与所述导线的另一端电连接；以及第一磁场检测装置，与所述导线相邻设置，所述第一磁场检测装置用于检测经过所述导线的电流所引起的磁场强度信息；其中，所述第一芯片与所述第一磁场检测装置电连接，以用于根据所述第一磁场检测装置检测到的所述磁场强度信息，确定所述显示屏的刷新率。2.根据权利要求1所述的显示设备，其特征在于，所述第一磁场检测装置用于获取预设时间段内所述导线在不同时间点对应的所有磁场强度信息；其中，所述第一芯片用于根据所述导线在不同时间点对应的所有磁场强度信息得到磁场强度曲线，并基于所述磁场强度曲线确定所述显示屏的刷新率。3.根据权利要求1所述的显示设备，其特征在于，所述第一磁场检测装置用于获取预设时间段内所述导线在不同时间点对应的所有磁场强度信息，并获取所有磁场强度信息中超过预设磁场强度阈值的所有第一目标磁场强度信息所触发的所有中断信号；其中，所述第一芯片用于根据预设时间段内获取到的中断信号的次数确定所述显示屏的刷新率。4.根据权利要求1所述的显示设备，其特征在于，所述显示设备还包括第二磁场检测装置，所述第二磁场检测装置与所述导线间隔设置，所述第二磁场检测装置用于检测环境磁场对应的第二磁场强度信息；其中，所述第一芯片还与所述第二磁场检测装置电连接，以用于根据所述磁场强度信息和所述第二磁场强度信息确定所述显示屏的刷新率。5.根据权利要求4所述的显示设备，其特征在于，所述第一芯片还用于：将所述磁场强度信息与所述第二磁场强度信息作差值处理，得到第二目标磁场强度信息；根据所述第二目标磁场强度信息确定所述显示屏的刷新率。6.根据权利要求1至5任一项所述的显示设备，其特征在于，所述显示屏包括有机发光二极管显示屏，所述导线包括为所述第一芯片供电的VDDR导线，所述第一磁场检测装置包括霍尔传感器。7.根据权利要求1至5任一项所述的显示设备，其特征在于，所述显示屏包括显示区域，所述显示区域设置有指示件，所述指示件用于显示所述显示屏的实时刷新率。8.一种检测设备，其特征在于，用于检测显示设备，所述显示设备包括显示屏和导线，所述导线与所述显示屏电连接，所述检测设备包括：第一磁场检测装置，与所述导线相邻设置，所述第一磁场检测装置用于检测经过所述导线的电流所引起的磁场强度信息；以及第二芯片，所述第二芯片与所述第一磁场检测装置电连接，以用于根据所述第一磁场检测装置检测到的所述磁场强度信息，确定所述显示屏的刷新率。9.根据权利要求8所述的检测设备，其特征在于，所述第一磁场检测装置用于获取预设时间段内所述导线在不同时间点对应的所有磁场强度信息；
其中，所述第二芯片用于根据所述导线在不同时间点对应的所有磁场强度信息得到磁场强度曲线，并基于所述磁场强度曲线确定所述显示屏的刷新率。10.根据权利要求8所述的检测设备，其特征在于，所述第一磁...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈占超，
申请(专利权)人：杭州逗酷软件科技有限公司，
类型：发明
国别省市：