提升通孔工艺窗口的OPC方法技术

本发明专利技术提供一种提升通孔工艺窗口的OPC方法，方法包括：提供一孔层图形，并从孔层图形中选出主目标通孔及次目标通孔；通过计算得到第一SRAF的最小缩短值及最大缩短值；根据最小缩短值及最大缩短值得到N种不同长度的第一SRAF，并将各第一SRAF添加于主目标通孔的一侧以得到N种不同添加方式下的SRAF层；于各SRAF层的整个孔层添加第二SRAF以得到N种目标层；将各目标层进行修正后模拟来获取主目标通孔及次目标通孔周边不同方位处的EPE值，以选择出第一SRAF的最佳添加方式。通过本发明专利技术解决了现有通孔因SRAF添加不合理导致其周围SRAF不一致或者EPE较大的问题。一致或者EPE较大的问题。一致或者EPE较大的问题。

【技术实现步骤摘要】
提升通孔工艺窗口的OPC方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种提升通孔工艺窗口的OPC方法。

技术介绍

[0002]随着工艺节点的减小，芯片制造过程中光学临近效应(OPE)对芯片良率产生的影响越来越大。目前，光学临近效应造成的光刻图形变形和失真现象主要分为以下几类：密集图形和孤立图形尺寸差异，掩膜版尺寸与晶片上图形尺寸比例非线性，拐角圆化及线端(line end)缩短等。因此，光学临近效应修正(Optical Proximity Correction，OPC)已经成为芯片制造中提升良率不可缺少的环节。
[0003]在版图出版过程中，光学临近效应中最显著的特征图形就是所添加的各种辅助图形。而为了获得更高分辨率，需要对版图目标图形进行修正，同时在目标图形周围添加亚分辨率辅助图形(SRAF，Sub Resolution Assist feature)。在曝光的过程中，亚分辨率辅助图形只起到对光线的散射作用，而不会被曝光在光刻胶上形成图形，从而使目标图形中排布稀疏部分的光刻胶受到的光照强度基本等于排布较密集部分的光刻胶受到的光照强度，进而达到校正邻近效应的目的。
[0004]在版图中，孔状图形具有较小的工艺窗口，因此，SRAF的应用是非常有必要的。在孔层中，边缘处或者图形分布比较稀疏的图形对比度更低。而对于特殊孔层，比如通孔分布复杂的稀疏孔层，通孔四周SRAF添加的一致性以及修正后稀疏处和密集处尺寸的大小的一致性是非常具有挑战性的。

技术实现思路

[0005]鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种提升通孔工艺窗口的OPC方法，用于解决现有的一类特殊孔层(通孔分布复杂的稀疏孔层)中的通孔因SRAF添加不合理导致其周围SRAF不一致或者EPE(边缘放置误差)较大的问题。
[0006]为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种提升通孔工艺窗口的OPC方法，所述方法包括：
[0007]提供一孔层图形，并从所述孔层图形中选出主目标通孔及位于所述主目标通孔两侧的次目标通孔；
[0008]根据相邻两个所述主目标通孔之间的距离值、添加于相邻两个所述主目标通孔之间的第一SRAF在预设方向上的长度值、所述第一SRAF与所述主目标通孔之间的距离值及所述主目标通孔在预设方向上的长度值得到所述第一SRAF的最小缩短值及最大缩短值；
[0009]根据所述最小缩短值及所述最大缩短值得到N种不同长度的所述第一SRAF，并将各所述第一SRAF添加于所述主目标通孔的一侧以得到N种不同添加方式下的SRAF层；
[0010]于各所述SRAF层的整个孔层添加第二SRAF以得到N种目标层；
[0011]将各所述目标层进行修正后模拟来获取所述主目标通孔及所述次目标通孔周边不同方位处的EPE值，以选择出所述第一SRAF的最佳添加方式；
[0012]其中，N为大于等于1的正整数。
[0013]可选地，根据相邻两个所述主目标通孔之间的距离值、添加于相邻两个所述主目标通孔之间的所述第一SRAF在预设方向上的长度值、所述第一SRAF与所述主目标通孔之间的距离值及所述主目标通孔在预设方向上的长度值得到所述第一SRAF的所述最小缩短值及所述最大缩短值的方法包括：
[0014]根据相邻两个所述主目标通孔之间的距离值及所述第一SRAF与所述主目标通孔之间的距离值计算得到所述第一SRAF在预设方向上的最大长度值，其计算公式为：
[0015]maxSBL＝S1
‑
2*SM；
[0016]根据所述第一SRAF在预设方向上的最大长度值及所述主目标通孔在预设方向上的长度值得到所述最小缩短值，其计算公式为：
[0017]EXTmin＝0.5*(LA
‑
maxSBL)；
[0018]根据所述第一SRAF在预设方向上的最小长度值及所述主目标通孔在预设方向上的长度值得到所述最大缩短值，其计算公式为：
[0019]EXTmax＝0.5*(LA
‑
minSBL)；
[0020]其中，S1表示相邻两个所述主目标通孔之间的距离值，LA表示所述主目标通孔在预设方向上的长度值，SM表示所述第一SRAF与所述主目标通孔之间的距离值，minSBL表示所述第一SRAF在预设方向上的最小长度值，且所述最小长度值是根据所述孔层图形进行设定的。
[0021]可选地，根据所述最小缩短值及所述最大缩短值得到N种不同长度的所述第一SRAF的方法包括：在所述最小缩短值及所述最大缩短值范围内以预设步长改变所述第一SRAF的长度以得到N种不同长度的所述第一SRAF。
[0022]可选地，将各所述第一SRAF添加于所述主目标通孔的一侧以得到N种不同添加方式下的SRAF层时，添加于所述主目标通孔一侧的各所述第一SRAF的尾端与位于所述主目标通孔其中一侧的所述次目标通孔之间的距离大于所述最大缩短值与间距值之和，其中，所述间距值为所述主目标通孔与所述次目标通孔在预设方向上的间距值。
[0023]可选地，将各所述目标层进行修正后模拟来获取所述主目标通孔及所述次目标通孔周边不同方位处的EPE值，以选择出所述第一SRAF最佳添加方式的方法包括：
[0024]获取各所述目标层中所述主目标通孔及所述次目标通孔在上下左右四个方位处EPE值，并从中选出最小的EPE值；
[0025]根据所述主目标通孔及所述次目标通孔的EPE值得到N个不同添加方式下的EPE矩阵，并计算每个所述EPE矩阵的配比均方根；
[0026]根据各所述EPE矩阵的配比均方根及最小的EPE值选择出所述第一SRAF最佳添加方式；
[0027]其中，所述配比均方根的计算公式为：
[0028][0029]其中，M表示权重系数，i等于1，m表示EPE值的个数。
[0030]可选地，从所述孔层图形中选出所述主目标通孔及所述次目标通孔时，所述主目
标通孔及所述次目标通孔满足的条件为：所述主目标通孔包括2列；所述次目标通孔至少包括2列且设于2列所述主目标通孔所形成区域的两侧。
[0031]可选地，从所述孔层图形中选出所述主目标通孔及所述次目标通孔时，所述主目标通孔及所述次目标通孔满足的条件为：所述主目标通孔大于2列，且以2列为一组；所述次目标通孔至少包括2列且设于所有所述主目标通孔所形成区域的两侧，或设于每组所述主目标通孔所形成区域的两侧。
[0032]可选地，各列所述主目标通孔错位排布，每列中所述主目标通孔的数目至少为2；各列所述次目标通孔对称排布，每列中所述次目标通孔的数目至少为2，其中，每列中相邻2个所述主目标通孔中心之间的距离与每列中相邻2个次目标通孔中心之间的距离相同。
[0033]可选地，每列中相邻2个所述主目标通孔之间的距离及每列中相邻2个所述次目标通孔之间的距离均允许插入至少3条具有最小长度值的所述第一SRAF。
[0034]可选地，在提供所述孔层图形时，设定所述孔层图形中相邻本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种提升通孔工艺窗口的OPC方法，其特征在于，所述方法包括：提供一孔层图形，并从所述孔层图形中选出主目标通孔及位于所述主目标通孔两侧的次目标通孔；根据相邻所述两个主目标通孔之间的距离值、添加于相邻两个所述主目标通孔之间的第一SRAF在预设方向上的长度值、所述第一SRAF与所述主目标通孔之间的距离值及所述主目标通孔在预设方向上的长度值得到所述第一SRAF的最小缩短值及最大缩短值；根据所述最小缩短值及所述最大缩短值得到N种不同长度的所述第一SRAF，并将各所述第一SRAF添加于所述主目标通孔的一侧以得到N种不同添加方式下的SRAF层；于各所述SRAF层的整个孔层添加第二SRAF以得到N种目标层；将各所述目标层进行修正后模拟来获取所述主目标通孔及所述次目标通孔周边不同方位处的EPE值，以选择出所述第一SRAF的最佳添加方式；其中，N为大于等于1的正整数。2.根据权利要求1所述的提升通孔工艺窗口OPC方法，其特征在于，根据相邻两个所述主目标通孔之间的距离值、添加于相邻两个所述主目标通孔之间的所述第一SRAF在预设方向上的长度值、所述第一SRAF与所述主目标通孔之间的距离值及所述主目标通孔在预设方向上的长度值得到所述第一SRAF的所述最小缩短值及所述最大缩短值的方法包括：根据相邻两个所述主目标通孔之间的距离值及所述第一SRAF与所述主目标通孔之间的距离值计算得到所述第一SRAF在预设方向上的最大长度值，其计算公式为：maxSBL＝S1
‑
2*SM；根据所述第一SRAF在预设方向上的最大长度值及所述主目标通孔在预设方向上的长度值得到所述最小缩短值，其计算公式为：EXTmin＝0.5*(LA
‑
maxSBL)；根据所述第一SRAF在预设方向上的最小长度值及所述主目标通孔在预设方向上的长度值得到所述最大缩短值，其计算公式为：EXTmax＝0.5*(LA
‑
minSBL)；其中，S1表示相邻两个所述主目标通孔之间的距离值，LA表示所述主目标通孔在预设方向上的长度值，SM表示所述第一SRAF与所述主目标通孔之间的距离值，minSBL表示所述第一SRAF在预设方向上的最小长度值，且所述最小长度值是根据所述孔层图形进行设定的。3.根据权利要求1或2所述的提升通孔工艺窗口的OPC方法，其特征在于，根据所述最小缩短值及所述最大缩短值得到N种不同长度的所述第一SRAF的方法包括：在所述最小缩短值及所述最大缩短值范围内以预设步长改变所述第一SRAF的长度以得到N种不同长度的所述第一SRAF。4.根据权利要求3所述的提升通孔工艺窗口的OPC方法，其特征在于，将各所述第一SRAF添...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖燏萍，夏文彬，江志兴，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：