像素结构及其制备方法、显示面板技术

本申请提供了一种像素结构及其制备方法、显示面板，像素结构包括：相对设置的第一电极和第二电极；第一电极包括多个第一分支电极，相邻的第一分支电极之间具有第一狭缝；第二电极包括多个第二分支电极，相邻的第二分支电极之间具有第二狭缝；第一电极为公共电极，第二电极为像素电极；或，第一电极为像素电极，第二电极为公共电极。本申请的技术方案可提升像素的充放电速率，实现显示面板的高刷新率和高分辨率。辨率。辨率。

【技术实现步骤摘要】
像素结构及其制备方法、显示面板


[0001]本申请涉及显示技术，尤其涉及一种像素结构及其制备方法、显示面板。

技术介绍

[0002]目前高刷新率、高分辨率是各种显示装置的发展趋势，例如8K(高分辨率)显示装置，此类显示装置对充放电速度的要求比普通分辨率的显示装置的要求更高。然而，相关技术中的显示装置中的像素电容较大，不利于实现高刷新率、高分辨率产品的充放电。

技术实现思路

[0003]本申请实施例提供一种像素结构及其制备方法、显示面板，以解决相关技术存在的问题，技术方案如下：
[0004]第一方面，本申请实施例提供了一种像素结构，包括：相对设置的第一电极和第二电极；
[0005]第一电极包括多个第一分支电极，相邻的第一分支电极之间具有第一狭缝；
[0006]第二电极包括多个第二分支电极，相邻的第二分支电极之间具有第二狭缝；
[0007]第一电极为公共电极，第二电极为像素电极；或，第一电极为像素电极，第二电极为公共电极。
[0008]第二方面，本申请实施例提供了一种显示面板，包括：数据线、栅线以及本申请任一实施例提供的像素结构；
[0009]数据线沿第一方向延伸，栅线沿第二方向延伸，第一方向和第二方向交叉限定出像素区域，像素结构位于像素区域。
[0010]第三方面，本申请实施例提供了一种像素结构的制备方法，包括：
[0011]在基底上形成第一电极；
[0012]对第一电极进行图案化处理，使第一电极包括多个第一分支电极和多个第一分支电极之间的第一狭缝；
[0013]在图案化处理后的第一电极的远离基底的一侧形成绝缘层；
[0014]在绝缘层的远离基底的一侧形成第二电极；
[0015]对第二电极进行图案化处理，使第二电极包括多个第二分支电极和多个第二分支电极之间的第二狭缝。
[0016]上述技术方案中的优点或有益效果至少包括：
[0017]公共电极和像素电极均为狭缝设计，可减小公共电极和像素电极之间的交叠面积，对应的，可减小公共电极和像素电极之间的交叠电容，进而可减小像素电容，有效提升像素的充放电速率，有利于实现显示面板的高刷新率和高分辨率，还可提升透过率。
[0018]上述概述仅仅是为了说明书的目的，并不意图以任何方式进行限制。除上述描述的示意性的方面、实施方式和特征之外，通过参考附图和以下的详细描述，本申请进一步的方面、实施方式和特征将会是容易明白的。
附图说明
[0019]在附图中，除非另外规定，否则贯穿多个附图相同的附图标记表示相同或相似的部件或元素。这些附图不一定是按照比例绘制的。应该理解，这些附图仅描绘了根据本申请公开的一些实施方式，而不应将其视为是对本申请范围的限制。
[0020]图1为相关技术中显示面板部分结构的平面示意图；
[0021]图2为图1所示的显示面板中像素结构的A
‑
A
’
截面示意图；
[0022]图3为本申请实施例提供的一种显示面板的部分结构的平面示意图；
[0023]图4为本申请实施例提供的一种像素结构的平面示意图；
[0024]图5为图4所示像素结构的B
‑
B
’
截面示意图；
[0025]图6为本申请实施例中第一电极、第二电极和液晶层的相对位置关系示意图；
[0026]图7为本申请实施例提供的另一种显示面板的部分结构的平面示意图；
[0027]图8为本申请实施例中第一电极的第一种图案的示意图；
[0028]图9为本申请实施例中第一电极的第二种图案的示意图；
[0029]图10为本申请实施例中第一电极的第三种图案的示意图；
[0030]图11为本申请实施例中第一电极的第四种图案的示意图；
[0031]图12为本申请实施例中第二电极的第一种图案的示意图；
[0032]图13为本申请实施例中第二电极的第二种图案的示意图；
[0033]图14为本申请实施例提供的一种像素结构的制备方法的流程示意图。
具体实施方式
[0034]在下文中，仅简单地描述了某些示例性实施例。正如本领域技术人员可认识到的那样，在不脱离本申请的精神或范围的情况下，可通过各种不同方式修改所描述的实施例。因此，附图和描述被认为本质上是示例性的而非限制性的。
[0035]本
技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)，具有与本申请所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语，应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样被特定定义，否则不会用理想化或过于正式的含义来解释。
[0036]本申请的专利技术人在研究中发现，参照图1和图2，相关技术中的显示面板通常包括数据线、栅线和像素结构，像素结构中包括公共电极和像素电极，公共电极和像素电极形成交叠电容，该交叠电容用于保持像素电容上的电压，公共电极和像素电极通常为面设计，交叠面积较大，形成的交叠电容较大，进而导致像素电容也较大，会降低像素的充放电速率。图1中为了直观地表示第一电极和第二电极的相对位置关系，使第二电极的图示尺寸小于第一电极的图示尺寸，并不表示在实际产品中的第二电极的尺寸小于第一电极的尺寸。
[0037]此外，继续参照图1，相关技术的显示面板中，在图1的水平方向上公共电极的左边缘与数据线存在交叠，易产生寄生电容Cdc，在图1的竖直方向上公共电极的下边缘与栅线存在交叠，易产生寄生电容Cgc，在实际应用中，寄生电容Cdc和Cgc会使公共电极的电压产生波动，使正负帧下同一位置的像素压差不同，形成积累后容易产生串扰或残像。其中，正负帧表示第一帧显示画面时子像素接收正极性数据电压，第二帧显示画面时子像素接收负
极性数据电压。
[0038]下面以具体实施例对本申请的技术方案以及本申请的技术方案如何解决上述技术问题进行详细说明。
[0039]本申请实施例提供了一种显示面板，如图3所示，包括：数据线、栅线和像素结构；其中，数据线沿第一方向延伸，栅线沿第二方向延伸，第一方向和第二方向交叉限定出像素区域，像素结构位于该像素区域，第一方向可以是显示面板中像素阵列的列方向，例如图3中的竖直方向，第二方向可以是显示面板中像素阵列的行方向，例如图3中的水平方向。
[0040]如图3和图4所示，本申请实施例中的像素结构，包括：相对设置的第一电极100和第二电极200；第一电极包括多个第一分支电极101，相邻的第一分支电极101之间具有第一狭缝102；第二电极包括多个第二分支电极201，相邻的第二分支电极201之间具有第二狭缝202。第一电极100为公共电极，第二电极200为像素电极；或，第一电极100为像素电极，第二电极200为公共电极。
[0041]图3中为了清楚地表示第一电极100的图案，未示出第二电极200，第二电极20本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种像素结构，其特征在于，包括：相对设置的第一电极和第二电极；所述第一电极包括多个第一分支电极，相邻的第一分支电极之间具有第一狭缝；所述第二电极包括多个第二分支电极，相邻的第二分支电极之间具有第二狭缝；所述第一电极为公共电极，所述第二电极为像素电极；或，所述第一电极为像素电极，所述第二电极为公共电极。2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，每个第一分支电极的至少部分与一个第二狭缝相对，每个第二分支电极的至少部分与一个第一狭缝相对。3.根据权利要求2所述的像素结构，其特征在于，所述第一分支电极在第一平面上具有第一投影，所述第二分支电极在第二平面上具有第二投影；所述第一平面为所述第二电极所处的平面，所述第二平面为所述第一电极所处的平面；所述第一狭缝在所述第二投影的范围内，所述第二狭缝在所述第一投影的范围内。4.根据权利要求1
‑
3中任一项所述的像素结构，其特征在于，所述第一电极中的至少部分第一狭缝，具有位于所述第一电极的第一边缘和第二边缘中至少一个边缘的开口；所述第一电极的第一边缘为所述第一电极的、与数据线相对的边缘，所述第一电极的第二边缘为所述第一电极的、与栅线相对的边缘。5.根据权利要求1
‑
3中任一项所述的像素结构，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极中的至少一个电极包括第一区域和第二区域；所述第一区域中第一分支电极的延伸方向与所述第二区域中第一分支电极的延伸方向不同。6.根据权利要求1
‑
3中任一项所述的像素结构，其特征在于，所述第一电极还包括用于连接各第一分支电极的...

【专利技术属性】
技术研发人员：白鋆，张银龙，苏国火，周留刚，江峰，胡安国，刘冬，刘建涛，
申请(专利权)人：武汉京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：