【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】新型拟甲状腺素药
技术介绍
[0001]本专利技术涉及拟甲状腺素化合物和含有所述拟甲状腺素化合物的产品,以及它们的使用和制备方法。相关技术的描述
[0002]甲状腺激素(TH)是发育过程中少突胶质细胞分化和髓鞘形成的关键信号,并且还在多发性硬化(MS)的成年模型中刺激髓鞘再生(Calz
à
等人,Brain Res Revs 48:339
‑
346,2005)。然而,由于在避免与慢性甲状腺功能亢进相关的心脏毒性和骨脱矿质的同时可以实现髓鞘再生的治疗窗口有限,因此TH不是一种可接受的长期疗法。一些甲状腺激素类似物可以通过利用甲状腺激素受体的分子和生理特征来激活甲状腺激素反应性基因,同时避免TH的相关缺点(Malm等人,Mini Rev Med Chem 7:79
‑
86,2007)。这些受体以两种主要形式表达,具有不均一的组织分布和重叠但不同组的靶基因(Yen,Physiol Rev 81:1097
‑
1142,2001)。TRα富含于心脏、大脑和骨骼中,而TRβ富含于肝脏中(O
’
Shea等人,Nucl Recept Signal 4:e011,2006)。
[0003]还已经报道,TH可以抑制转化生长因子β(TGF
‑
β)信号传导,从而减弱纤维化反应(Alonso
‑
Merino等人,Proc Natl Acad Sci U S A.113(24):E3451
‑
60,2016 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种具有式(I)的结构的化合物:或其药学上可接受的异构体、外消旋物、水合物、溶剂化物、同位素或盐,其中:X1是低级烷基、低级烯基、低级卤代烷基或卤基;X2是低级烷基、低级烯基、低级卤代烷基或卤基;Y1和Y2各自独立地是H、氰基、卤素、低级烷基或低级烷氧基,其中Y1和Y2中的至少一者不是H;R1是
‑
NR
1a
R
1b
或
‑
OR
1c
;R
1a
和R
1b
各自独立地是H、低级烷基、低级烯基、低级炔基、
‑
OR
a
、
‑
NR
a
R
b
、碳环、碳环烷基、杂环或杂环烷基,或R
1a
和R
1b
连同它们所连接的氮原子一起形成杂环;R
1c
是H、低级烷基、碳环、杂环、碳环烷基或杂环烷基;并且R2是低级烷基、低级烯基、碳环、杂环、碳环烷基或杂环烷基;其中R
1a
、R
1b
、R
1c
和R2各自独立地任选地被一个或多个卤基、低级烷基、低级卤代烷基、氰基、
‑
OR'、
‑
NR'R”、=O、=S、
‑
S(O)2R'或
‑
S(O)2OR'取代,其中R'和R”各自独立地是H、低级烷基或低级卤代烷基。2.如权利要求1所述的化合物或其药学上可接受的异构体、外消旋物、水合物、溶剂化物、同位素或盐,其中R2是任选地被一个或多个卤基、氰基、
‑
OR'、
‑
NR'R”、=O、=S、
‑
S(O)2R'或
‑
S(O)2OR'取代的低级烷基,其中R'和R”各自独立地是H、低级烷基或低级卤代烷基。3.如权利要求1或权利要求2所述的化合物或其药学上可接受的异构体、外消旋物、水合物、溶剂化物、同位素或盐,其中R2是未被取代的低级烷基。4.如权利要求1
‑
3中任一项所述的化合物或其药学上可接受的异构体、外消旋物、水合物、溶剂化物、同位素或盐,其中R2是甲基、乙基、丙基或丁基。5.如权利要求1
‑
4中任一项所述的化合物,所述化合物具有式(II)的结构:或其药学上可接受的异构体、外消旋物、水合物、溶剂化物、同位素或盐,其中:X1是低级烷基、低级烯基、低级卤代烷基或卤基;X2是低级烷基、低级烯基、低级卤代烷基或卤基;Y1和Y2各自独立地是H、氰基、卤素、低级烷基或低级烷氧基,其中Y1和Y2中的至少一者不是H;R1是
‑
NR
1a
R
1b
或
‑
OR
1c
;R
1a
和R
1b
各自独立地是H、低级烷基、低级烯基、低级炔基、
‑
OR
a
、
‑
NR
a
R
b
、碳环、碳环烷基、
杂环或杂环烷基,或R
1a
和R
1b
连同它们所连接的氮原子一起形成杂环;R
1c
是H、低级烷基、碳环、杂环、碳环烷基或杂环烷基;其中R
1a
、R
1b
和R
1c
各自独立地任选地被一个或多个卤基、氰基、
‑
OR'、
‑
NR'R”、=O、=S、
‑
S(O)2R'或
‑
S(O)2OR'取代,其中R'和R”各自独立地是H、低级烷基或低级卤代烷基。6.如权利要求1
‑
5中任一项所述的化合物,所述化合物具有式(II
‑
A)的结构:或其药学上可接受的异构体、外消旋物、水合物、溶剂化物、同位素或盐,其中:X1是低级烷基、低级烯基、低级卤代烷基或卤基;X2是低级烷基、低级烯基、低级卤代烷基或卤基;Y1和Y2各自独立地是H、氰基、卤素、低级烷基或低级烷氧基,其中Y1和Y2中的至少一者不是H;并且R
1a
和R
1b
各自独立地是H、低级烷基、低级烯基、低级炔基、
‑
OR
a
、
‑
NR
a
R
b
、碳环、碳环烷基、杂环或杂环烷基,或R
1a
和R
1b
连同它们所连接的氮原子一起形成杂环;其中R
1a
和R
1b
各自独立地任选地被一个或多个卤基、氰基、
‑
OR'、
‑
NR'R”、=O、=S、
‑
S(O)2R'或
‑
S(O)2OR'取代,其中R'和R”各自独立地是H、低级烷基或低级卤代烷基。7.如权利要求1
‑
5中任一项所述的化合物,所述化合物具有式(II
‑
B)的结构:或其药学上可接受的异构体、外消旋物、水合物、溶剂化物、同位素或盐,其中:X1是低级烷基、低级烯基、低级卤代烷基或卤基;X2是低级烷基、低级烯基、低级卤代烷基或卤基;Y1和Y2各自独立地是H、氰基、卤素、低级烷基或低级烷氧基,其中Y1和Y2中的至少一者不是H;并且R
1c
是H、低级烷基、碳环、杂环、碳环烷基或杂环烷基;其中R
1c
任选地被一个或多个卤基、氰基、
‑
OR'、
‑
NR'R”、=O、=S、
‑
S(O)2R'或
‑
S(O)2OR'取代,其中R'和R”各自独立地是H、低级烷基或低级卤代烷基。8.如权利要求1所述的化合物,其中R2是碳环烷基或杂环烷基,并且所述化合物具有式(III)的结构:
或其药学上可接受的异构体、外消旋物、水合物、溶剂化物、同位素或盐,其中:X1是低级烷基、低级烯基、低级卤代烷基或卤基;X2是低级烷基、低级烯基、低级卤代烷基或卤基;Y1和Y2各自独立地是H、氰基、卤素、低级烷基或低级烷氧基,其中Y1和Y2中的至少一者不是H;R1是
‑
NR
1a
R
1b
或
‑
OR
1c
;R
1a
和R
1b
各自独立地是H、低级烷基、低级烯基、低级炔基、
‑
OR
a
、
‑
NR
a
R
b
、碳环、碳环烷基、杂环或杂环烷基,或R
1a
和R
1b
连同它们所连接的氮原子一起形成杂环;R
1c
是H、低级烷基、碳环、杂环、碳环烷基或杂环烷基;Q是
–
C(R3R4)
‑
或
–
{C(R3R4)}2‑
;A是芳基或杂芳基;R3和R4各自独立地是H、卤基、氰基、低级烷基、低级烯基、低级炔基、低级卤代烷基、
‑
OR
a
、
‑
NR
a
R
b
、碳环、杂环、碳环烷基或杂环烷基,或R3和R4一起形成=O或=S;每个R5独立地是卤基、氰基、低级烷基、低级烯基、低级炔基、低级卤代烷基、碳环、杂环、碳环烷基、杂环烷基、
‑
OR
a
、
‑
NR
a
R
b
、
‑
C(O)R
a
、
‑
C(O)OR
a
、
‑
C(O)NR
a
R
b
、
‑
NR
a
C(O)R
b
、
‑
S(O)2R
a
或
‑
S(O)2OR
a
;n是0
–
5;并且R
a
和R
b
各自独立地是H、低级烷基或低级卤代烷基;其中R
1a
、R
1b
、R
1c
、R3、R4、R5、R
a
和R
b
各自独立地任选地被一个或多个卤基、氰基、
‑
OR'、
‑
NR'R”、=O、=S、
‑
S(O)2R'或
‑
S(O)2OR'取代,其中R'和R”各自独立地是H、低级烷基或低级卤代烷基。9.如权利要求1或8所述的化合物,所述化合物具有式(III
‑
A)的结构:或其药学上可接受的异构体、外消旋物、水合物、溶剂化物、同位素或盐,其中:X1是低级烷基、低级烯基、低级卤代烷基或卤基;X2是低级烷基、低级烯基、低级卤代烷基或卤基;Y1和Y2各自独立地是H、氰基、卤素、低级烷基或低级烷氧基,其中Y1和Y2中的至少一者不
是H;R
1a
和R
1b
各自独立地是H、低级烷基、低级烯基、低级炔基、
‑
OR
a
、
‑
NR
a
R
b
、碳环、碳环烷基、杂环或杂环烷基,或R
1a
和R
1b
连同它们所连接的氮原子一起形成杂环;Q是
–
C(R3R4)
‑
或
–
{C(R3R4)}2‑
;A是芳基或杂芳基;R3和R4各自独立地是H、卤基、氰基、低级烷基、低级烯基、低级炔基、低级卤代烷基、
‑
OR
a
、
‑
NR
a
R
b
、碳环、杂环、碳环烷基或杂环烷基,或R3和R4一起形成=O或=S;每个R5独立地是卤基、氰基、低级烷基、低级烯基、低级炔基、低级卤代烷基、碳环、杂环、碳环烷基、杂环烷基、
‑
OR
a
、
‑
NR
a
R
b
、
‑
C(O)R
a
、
‑
C(O)OR
a
、
‑
C(O)NR
a
R
b
、
‑
NR
a
C(O)R
b
、
‑
S(O)2R
a
或
‑
S(O)2OR
a
;n是0
–
5;并且R
a
和R
b
各自独立地是H、低级烷基或低级卤代烷基;其中R
1a
、R
1b
、R3、R4、R5、R
a
和R
b
各自独立地任选地被一个或多个卤基、氰基、
‑
OR'、
‑
NR'R”、=O、=S、
‑
S(O)2R'或
‑
S(O)2OR'取代,其中R'和R”各自独立地是H、低级烷基或低级卤代烷基。10.如权利要求1或8所述的化合物,所述化合物具有式(III
‑
B)的结构:或其药学上可接受的异构体、外消旋物、水合物、溶剂化物、同位素或盐,其中:X1是低级烷基、低级烯基、低级卤代烷基或卤基;X2是低级烷基、低级烯基、低级卤代烷基或卤基;Y1和Y2各自独立地是H、氰基、卤素、低级烷基或低级烷氧基,其中Y1和Y2中的至少一者不是H;R
1c
是H、低级烷基、碳环、杂环、碳环烷基或杂环烷基;Q是
–
C(R3R4)
‑
或
–
{C(R3R4)}2‑
;A是芳基或杂芳基;R3和R4各自独立地是H、卤基、氰基、低级烷基、低级烯基、低级炔基、低级卤代烷基、
‑
OR
a
、
‑
NR
a
R
b
、碳环、杂环、碳环烷基或杂环烷基,或R3和R4一起形成=O或=S;每个R5独立地是卤基、氰基、低级烷基、低级烯基、低级炔基、低级卤代烷基、碳环、杂环、碳环烷基、杂环烷基、
‑
OR
a
、
‑
NR
a
R
b
、
‑
C(O)R
a
、
‑
C(O)OR
a
、
‑
C(O)NR
a
R
b
、
‑
NR
a
C(O)R
b
、
‑
S(O)2R
a
或
‑
S(O)2OR
a
;n是0
–
5;并且R
a
和R
b
各自独立地是H、低级烷基或低级卤代烷基;其中R
1c
、R3、R4、R5、R
a
和R
b
各自独立地任选地被一个或多个卤基、氰基、
‑
OR'、
‑
NR'R”、=O、=S、
‑
S(O)2R'或
‑
S(O)2OR'取代,其中R'和R”各自独立地是H、低级烷基或低级卤代烷基。
11.如权利要求1所述的化合物,所述化合物具有式(IV)的结构:或其药学上可接受的异构体、外消旋物、水合物、溶剂化物、同位素或盐,其中:X1是低级烷基、低级烯基、低级卤代烷基或卤基;X2是低级烷基、低级烯基、低级卤代烷基或卤基;Y1和Y2各自独立地是H、氰基、卤素、低级烷基或低级烷氧基,其中Y1和Y2中的至少一者不是H;R1是
‑
NR
1a
R
1b
或
‑
OR
1c
;R
1a
和R
1b
各自独立地是H、低级烷基、低级烯基、低级炔基、
‑
OR
a
、
‑
NR
a
R
b
、碳环、碳环烷基、杂环或杂环烷基,或R
1a
和R
1b
连同它们所连接的氮原子一起形成杂环;R
1c
是H、低级烷基、碳环、杂环、碳环烷基或杂环烷基;A是芳基或杂芳基;R3和R4各自独立地是H、卤基、氰基、低级烷基、低级烯基、低级炔基、低级卤代烷基、
‑
OR
a
、
‑
NR
a
R
b
、碳环、杂环、碳环烷基或杂环烷基,或R3和R4一起形成=O或=S;每个R5独立地是卤基、氰基、低级烷基、低级烯基、低级炔基、低级卤代烷基、碳环、杂环、碳环烷基、杂环烷基、
‑
OR
a
、
‑
NR
a
R
b
、
‑
C(O)R
a
、
‑
C(O)OR
a
、
‑
C(O)NR
a
R
b
、
‑
NR
a
C(O)R
b
、
‑
S(O)2R
a
或
‑
S(O)2OR
a
;n是0
–
5;并且R
a
和R
b
各自独立地是H、低级烷基或低级卤代烷基;其中R
1a
、R
1b
、R
1c
、R3、R4、R5、R
a
和R
b
各自独立地任选地被一个或多个卤基、氰基、
‑
OR'、
‑
NR'R”、=O、=S、
‑
S(O)2R'或
‑
S(O)2OR'取代,其中R'和R”各自独立地是H、低级烷基或低级卤代烷基。12.如权利要求1或11所述的化合物,所述化合物具有式(IV
‑
A)的结构:或其药学上可接受的异构体、外消旋物、水合物、溶剂化物、同位素或盐,其中:X1是低级烷基、低级烯基、低级卤代烷基或卤基;X2是低级烷基、低级烯基、低级卤代烷基或卤基;Y1和Y2各自独立地是H、氰基、卤素、低级烷基或低级烷氧基,其中Y1和Y2中的至少一者不
是H;R
1a
和R
1b
各自独立地是H、低级烷基、低级烯基、低级炔基、
‑
OR
a
、
‑
NR
a
R
b
、碳环、碳环烷基、杂环或杂环烷基,或R
1a
和R
1b
连同它们所连接的氮原子一起形成杂环;A是芳基或杂芳基;R3和R4各自独立地是H、卤基、氰基、低级烷基、低级烯基、低级炔基、低级卤代烷基、
‑
OR
a
、
‑
NR
a
R
b
、碳环、杂环、碳环烷基或杂环烷基,或R3和R4一起形成=O或=S;每个R5独立地是卤基、氰基、低级烷基、低级烯基、低级炔基、低级卤代烷基、碳环、杂环、碳环烷基、杂环烷基、
‑
OR
a
、
‑
NR
a
R
b
、
‑
C(O)R
a
、
‑
C(O)OR
a
、
‑
C(O)NR
a
R
b
、
‑
NR
a
C(O)R
b
、
‑
S(O)2R
a
或
‑
S(O)2OR
a
;n是0
–
5;并且R
a
和R
b
各自独立地是H、低级烷基或低级卤代烷基;其中R
1a
、R
1b
、R3、R4、R5、R
a
和R
b
各自独立地任选地被一个或多个卤基、氰基、
‑
OR'、
‑
NR'R”、=O、=S、
‑
S(O)2R'或
‑
S(O)2OR'取代,其中R'和R”各自独立地是H、低级烷基或低级卤代烷基。13.如权利要求1或11所述的化合物,所述化合物具有式(IV
‑
B)的结构:或其药学上可接受的异构体、外消旋物、水合物、溶剂化物、同位素或盐,其中:X1是低级烷基、低级烯基、低级卤代烷基或卤基;X2是低级烷基、低级烯基、低级卤代烷基或卤基;Y1和Y2各自独立地是H、氰基、卤素、低级烷基或低级烷氧基,其中Y1和Y2中的至少一者不是H;R
1c
是H、低级烷基、碳环、杂环、碳环烷基或杂环烷基;A是芳基或杂芳基;R3和R4各自独立地是H、卤基、氰基、低级烷基、低级烯基、低级炔基、低级卤代烷基、
‑
OR
a
、
‑
NR
a
R
b
、碳环、杂环、碳环烷基或杂环烷基,或R3和R4一起形成=O或=S;每个R5独立地是卤基、氰基、低级烷基、低级烯基、低级炔基、低级卤代烷基、碳环、杂环、碳环烷基、杂环烷基、
‑
OR
a
、
‑
NR
a
R
b
、
‑
C(O)R
a
、
‑
C(O)OR
a
、
‑
C(O)NR
a
R
b
、
‑
NR
a
C(O)R
b
、
‑
S(O)2R
a
或
‑
S(O)2OR
a
;n是0
–
5;并且R
a
和R
b
各自独立地是H、低级烷基或低级卤代烷基;其中R
1c
、R3、R4、R5、R
a
和R
b
各自独立地任选地被一个或多个卤基、氰基、
‑
OR'、
‑
NR'R”、=O、=S、
‑
S(O)2R'或
‑
S(O)2OR'取代,其中R'和R”各自独立地是H、低级烷基或低级卤代烷基。14.如权利要求1所述的化合物,所述化合物具有式(V)的结构:
或其药学上可接受的异构体、外消旋物、水合物、溶剂化物、同位素或盐,其中:Q1、Q2、Q3、Q4和Q5各自独立地是CH、CR5或N;X1是低级烷基、低级烯基、低级卤代烷基或卤基;X2是低级烷基、低级烯基、低级卤代烷基或卤基;Y1和Y2各自独立地是H、氰基、卤素、低级烷基或低级烷氧基,其中Y1和Y2中的至少一者不是H;R1是
‑
NR
1a
R
1b
或
‑
OR
1c
;R
1a
和R
1b
各自独立地是H、低级烷基、低级烯基、低级炔基、
‑
OR
a
、
‑
NR
a
R
b
、碳环、碳环烷基、杂环或杂环烷基,或R
1a
和R
1b
连同它们所连接的氮原子一起形成杂环;R
1c
是H、低级烷基、碳环、杂环、碳环烷基或杂环烷基;R3和R4各自独立地是H、卤基、氰基、低级烷基、低级烯基、低级炔基、低级卤代烷基、
‑
OR
a
、
‑
NR
a
R
b
、碳环、杂环、碳环烷基或杂环烷基,或R3和R4一起形成=O或=S;每个R5独立地是卤基、氰基、低级烷基、低级烯基、低级炔基、低级卤代烷基、碳环、杂环、碳环烷基、杂环烷基、
‑
OR
a
、
‑
NR
a
R
b
、
‑
C(O)R
a
、
‑
C(O)OR
a
、
‑
C(O)NR
a
R
b
、
‑
NR
a
C(O)R
b
、
‑
S(O)2R
a
或
‑
S(O)2OR
a
;n是0
–
5;并且R
a
和R
b
各自独立地是H、低级烷基或低级卤代烷基;其中R
1a
、R
1b
、R
1c
、R3、R4、R5、R
a
和R
b
各自独立地任选地被一个或多个卤基、氰基、
‑
OR'、
‑
NR'R”、=O、=S、
‑
S(O)2R'或
‑
S(O)2OR'取代,其中R'和R”各自独立地是H、低级烷基或低级卤代烷基。15.如权利要求1或14所述的化合物,所述化合物具有式(V
‑
A)的结构:或其药学上可接受的异构体、外消旋物、水合物、溶剂化物、同位素或盐,其中:Q1、Q2、Q3、Q4和Q5各自独立地是CH、CR5或N;X1是低级烷基、低级烯基、低级卤代烷基或卤基;X2是低级烷基、低级烯基、低级卤代烷基或卤基;
Y1和Y2各自独立地是H、氰基、卤素、低级烷基或低级烷氧基,其中Y1和Y2中的至少一者不是H;R
1a
和R
1b
各自独立地是H、低级烷基、低级烯基、低级炔基、
‑
OR
a
、
‑
NR
a
R
b
、碳环、碳环烷基、杂环或杂环烷基,或R
1a
和R
1b
连同它们所连接的氮原子一起形成杂环;R3和R4各自独立地是H、卤基、氰基、低级烷基、低级烯基、低级炔基、低级卤代烷基、
‑
OR
a
、
‑
NR
a
R
b
、碳环、杂环、碳环烷基或杂环烷基,或R3和R4一起形成=O或=S;每个R5独立地是卤基、氰基、低级烷基、低级烯基、低级炔基、低级卤代烷基、碳环、杂环、碳环烷基、杂环烷基、
‑
OR
a
、
‑
NR
a
R
b
、
‑
C(O)R
a
、
‑
C(O)OR
a
、
‑
C(O)NR
a
R
b
、
‑
NR
a
C(O)R
b
、
‑
S(O)2R
a
或
‑
S(O)2OR
a
;n是0
–
5;并且R
a
和R
b
各自独立地是H、低级烷基或低级卤代烷基;其中R
1a
、R
1b
、R3、R4、R5、R
a
和R
b
各自独立地任选地被一个或多个卤基、氰基、
‑
OR'、
‑
NR'R”、=O、=S、
‑
S(O)2R'或
‑
S(O)2OR'取代,其中R'和R”各自独立地是H、低级烷基或低级卤代烷基。16.如权利要求1或14所述的化合物,所述化合物具有式(V
‑
B)的结构:或其药学上可接受的异构体、外消旋物、水合物、溶剂化物、同位素或盐,其中:Q1、Q2、Q3、Q4和Q5各自独立地是CH、CR5或N;X1是低级烷基、低级烯基、低级卤代烷基或卤基;X2是低级烷基、低级烯基、低级卤代烷基或卤基;Y1和Y2各自独立地是H、氰基、卤素、低级烷基或低级烷氧基,其中Y1和Y2中的至少一者不是H;R
1c
是H、低级烷基、碳环、杂环、碳环烷基或杂环烷基;R3和R4各自独立地是H、卤基、氰基、低级烷基、低级烯基、低级炔基、低级卤代烷基、
‑
OR
a
、
‑
NR
a
R
b
、碳环、杂环、碳环烷基或杂环烷基,或R3和R4一起形成=O或=S;每个R5独立地是卤基、氰基、低级烷基、低级烯基、低级炔基、低级卤代烷基、碳环、杂环、碳环烷基、杂环烷基、
‑
OR
a
、
‑
NR
a
R
b
、
‑
C(O)R
a
、
‑
C(O)OR
a
、
‑
C(O)NR
a
R
b
、
‑
NR
a
C(O)R
b
、
‑
S(O)2R
a
或
‑
S(O)2OR
a
;n是0
–
5;并且R
a
和R
b
各自独立地是H、低级烷基或低级卤代烷基;其中R
1c
、R3、R4、R5、R
a
和R
b
各自独立地任选地被一个或多个卤基、氰基、
‑
OR'、
‑
NR'R”、=O、=S、
‑
S(O)2R'或
‑
S(O)2OR'取代,其中R'和R”各自独立地是H、低级烷基或低级卤代烷基。17.如权利要求1所述的化合物,所述化合物具有式(VI)的结构:
或其药学上可接受的异构体、外消旋物、水合物、溶剂化物、同位素或盐,其中:X1是低级烷基、低级烯基、低级卤代烷基或卤基;X2是低级烷基、低级烯基、低级卤代烷基或卤基;Y1和Y2各自独立地是H、氰基、卤素、低级烷基或低级烷氧基,其中Y1和Y2中的至少一者不是H;R1是
‑
NR
1a
R
1b
或
‑
OR
1c
;R
1a
和R
1b
各自独立地是H、低级烷基、低级烯基、低级炔基、
‑
OR
a
、
‑
NR
a
R
b
、碳环、碳环烷基、杂环或杂环烷基,或R
1a
和R
1b
连同它们所连接的氮原子一起形成杂环;R
1c
是H、低级烷基、碳环、杂环、碳环烷基或杂环烷基;R3和R4各自独立地是H、卤基、氰基、低级烷基、低级烯基、低级炔基、低级卤代烷基、
‑
OR
a
、
‑
NR
a
R
b
、碳环、杂环、碳环烷基或杂环烷基,或R3和R4一起形成=O或=S;每个R5独立地是卤基、氰基、低级烷基、低级烯基、低级炔基、低级卤代烷基、碳环、杂环、碳环烷基、杂环烷基、
‑
OR
a
、
‑
NR
a
R
b
、
‑
C(O)R
a
、
‑
C(O)OR
a
、
‑
C(O)NR
a
R
b
、
‑
NR
a
C(O)R
b
、
‑
S(O)2R
a
或
‑
S(O)2OR
a
;n是0
–
5;并且R
a
和R
b
各自独立地是H、低级烷基或低级卤代烷基;其中R
1a
、R
1b
、R
1c
、R3、R4、R5、R
a
和R
b
各自独立地任选地被一个或多个卤基、氰基、
‑
OR'、
‑
NR'R”、=O、=S、
‑
S(O)2R'或
‑
S(O)2OR'取代,其中R'和R”各自独立地是H、低级烷基或低级卤代烷基。18.如权利要求1或17所述的化合物,所述化合物具有式(VI
‑
A)的结构:或其药学上可接受的异构体、外消旋物、水合物、溶剂化物、同位素或盐,其中:X1是低级烷基、低级烯基、低级卤代烷基或卤基;X2是低级烷基、低级烯基、低级卤代烷基或卤基;Y1和Y2各自独立地是H、氰基、卤素、低级烷基或低级烷氧基,其中Y1和Y2中的至少一者不是H;R
1a
和R
1b
各自独立地是H、低级烷基、低级烯基、低级炔基、
‑
OR
a
、
‑
NR
a
R
b
、碳环、碳环烷基、杂环或杂环烷基,或R
1a
和R
1b
连同它们所连接的氮原子一起形成杂环;
R3和R4各自独立地是H、卤基、氰基、低级烷基、低级烯基、低级炔基、低级卤代烷基、
‑
OR
a
、
‑
NR
a
R
b
、碳环、杂环、碳环烷基或杂环烷基,或R3和R4一起形成=O或=S;每个R5独立地是卤基、氰基、低级烷基、低级烯基、低级炔基、低级卤代烷基、碳环、杂环、碳环烷基、杂环烷基、
‑
OR
a
、
‑
NR
a
R
b
、
‑
C(O)R
a
、
‑
C(O)OR
a
、
‑
C(O)NR
a
R
b
、
‑
NR
a
C(O)R
b
、
‑
S(O)2R
a
或
‑
S(O)2OR
a
;n是0
–
5;并且R
a
和R
b
各自独立地是H、低级烷基或低级卤代烷基;其中R
1a
、R
1b
、R3、R4、R5、R
a
和R
b
各自独立地任选地被一个或多个卤基、氰基、
‑
OR'、
‑
NR'R”、=O、=S、
‑
S(O)2R'或
‑
S(O)2OR'取代,其中R'和R”各自独立地是H、低级烷基或低级卤代烷基。19.如权利要求1或17所述的化合物,所述化合物具有式(VI
‑
B)的结构:或其药学上可接受的异构体、外消旋物、水合物、溶剂化物、同位素或盐,其中:X1是低级烷基、低级烯基、低级卤代烷基或卤基;X2是低级烷基、低级烯基、低级卤代烷基或卤基;Y1和Y2各自独立地是H、氰基、卤素、低级烷基或低级烷氧基,其中Y1和Y2中的至少一者不是H;R
1c
是H、低级烷基、碳环、杂环、碳环烷基或杂环烷基;R3和R4各自独立地是H、卤基、氰基、低级烷基、低级烯基、低级炔基、低级卤代烷基、
‑
OR
a
、
‑
NR
a
R
b
、碳环、杂环、碳环烷基或杂环烷基,或R3和R4一起形成=O或=S;每个R5独立地是卤基、氰基、低级烷基、低级烯基、低级炔基、低级卤代烷基、碳环、杂环、碳环烷基、杂环烷基、
‑
OR
a
、
‑
NR
a
R
b
、
‑
C(O)R
a
、
‑
C(O)OR
a
、
‑
C(O)NR
a
R
b
、
‑
NR
a
C(O)R
b
、
‑
S(O)2R
a
或
‑
S(O)2OR
a
;n是0
–
5;并且R
a
和R
b
各自独立地是H、低级烷基或低级卤代烷基;其中R
1c
、R3、R4、R5、R
a
和R
b
各自独立地任选地被一个或多个卤基、氰基、
‑
OR'、
‑
NR'R”、=O、=S、
‑
S(O)2R'或
‑
S(O)2OR'取代,其中R'和R”各自独立地是H、低级烷基或低级卤代烷基。20.如权利要求1所述的化合物,所述化合物具有式(VII)的结构:或其药学上可接受的异构体、外消旋物、水合物、溶剂化物、同位素或盐,其中:
X1是低级烷基、低级烯基、低级卤代烷基或卤基;X2是低级烷基、低级烯基、低级卤代烷基或卤基;Y1和Y2各自独立地是H、氰基、卤素、低级烷基或低级烷氧基,其中Y1和Y2中的至少一者不是H;R1是
‑
NR
1a
R
1b
或
‑
OR
1c
;R
1a
和R
1b
各自独立地是H、低级烷基、低级烯基、低级炔基、
‑
OR
a
、
‑
NR
a
R
b
、碳环、碳环烷基、杂环或杂环烷基,或R
1a
和R
1b
连同它们所连接的氮原子一起形成杂环;R
1c
是H、低级烷基、碳环、杂环、碳环烷基或杂环烷基;A是芳基或杂芳基;每个R5独立地是卤基、氰基、低级烷基、低级烯基、低级炔基、低级卤代烷基、碳环、杂环、碳环烷基、杂环烷基、
‑
OR
a
、
‑
NR
a
R
b
、
‑
C(O)R
a
、
‑
C(O)OR
a
、
‑
C(O)NR
a
R
b
、
‑
NR
a
C(O)R
b
、
‑
S(O)2R
a
或
‑
S(O)2OR
a
;n是0
–
5;并且R
a
和R
b
各自独立地是H、低级烷基或低级卤代烷基;其中R
1a
、R
1b
、R
1c
、R5、R
a
和R
b
各自独立地任选地被一个或多个卤基、氰基、
‑
OR'、
‑
NR'R”、=O、=S、
‑
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