适用于PFM控制芯片的频率控制电路及相关装置制造方法及图纸

本申请提供了一种适用于PFM控制芯片的频率控制电路及相关装置，该频率控制电路中运放电路的正输入端接入系统检测输出后反馈的反馈电压、负输入端接入第一电流源，通过第一电阻连接比较器的负输入端，通过第一电阻和第二电阻连接第一NMOS管的源极；运放电路的输出端连接第一NMOS管的栅极；第一NMOS管的漏极连接第一PMOS管的漏极和栅极；第一PMOS管的源极和衬底与第二PMOS管的源极和衬底连接外部电源；第一PMOS管的栅极连接第二PMOS管的栅极；第二PMOS管的漏极连接第二NMOS管的漏极；第二NMOS管的栅极连接脉冲电路；比较器连接脉冲电路的输入端。本申请实施例能够降频点出现的可闻噪声问题。声问题。声问题。

【技术实现步骤摘要】
适用于PFM控制芯片的频率控制电路及相关装置


[0001]本申请涉及电子
，具体涉及一种适用于PFM控制芯片的频率控制电路及相关装置。

技术介绍

[0002]在目前流行的开关电源控制芯片中，常见的主要控制技术可以分为三种，脉冲宽度调制（PWM，Pulse Width Modulation）、脉冲频率调制（PFM，Pulse Frequency Modulation）和（PSM，Pulse Skip Modulation）。
[0003]实际应用中，在PFM控制方式下，通过使用频率控制电路检测反馈电压（FB），进而调节频率大小的输出。但是，在降频点附近，频率的变化受FB的影响最大，将会引入以下风险：环路稳定性不好设计，容易不稳定，出现可闻噪声，对于有谷底锁定电路，谷底锁定失效，因此，如何解决在PFM控制方式下带来的上述缺陷的问题亟待解决。

技术实现思路

[0004]本申请实施例提供了一种适用于PFM控制芯片的频率控制电路及相关装置，能够解决在PFM控制方式下，降频点出现的可闻噪声问题、优化谷底锁定问题、以及降频点附近本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种适用于PFM控制芯片的频率控制电路，其特征在于，所述频率控制电路包括：运放电路、第一电流源、第二电流源、第一NMOS管、第二NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、比较器和脉冲电路，其中，所述运放电路的正输入端用于接入系统检测输出后反馈的反馈电压，所述运放电路的负输入端用于接入所述第一电流源，且通过第一电阻连接所述比较器的负输入端，以及通过所述第一电阻和第二电阻连接所述第一NMOS管的源极；所述运放电路的输出端连接所述第一NMOS管的栅极；所述第一电流源连接外部电源；所述第一NMOS管的源极通过第三电阻接地；所述第一NMOS管的漏极连接第一PMOS管的漏极和栅极；所述第一NMOS管的漏极通过所述第二电流源接地；所述第一PMOS管的源极和衬底与所述第二PMOS管的源极和衬底均连接所述外部电源；所述第一PMOS管的栅极连接所述第二PMOS管的栅极；所述第二PMOS管的漏极连接所述比较器的正输入端以及通过电容接地，所述第二PMOS管的漏极连接所述第二NMOS管的漏极；所述第二NMOS管的栅极连接所述脉冲电路的输出端，所述第二NMOS管的源极接地；所述比较器的输出端连接所述脉冲电路的输入端，所述脉冲电路的输出端用于输出频率信号。2.根据权利要求1所述的频率控制电路，其特征在于，所述频率控制电路用于实现如下功能：通过所述运放电路、所述第三电阻和所述第一NMOS管产生一个与所述反馈电压相关的第一控制电流；将所述第一控制电流通过所述第一PMOS管、所述第二PMOS管缩小1/K倍后，得到第二控制电流，该第二控制电流用于给所述电容充电，所述第二控制电流为一斜坡信号，K为大于1；通过所述第一电流源和所述第一电阻产生一固定电压；将所述反馈电压与所述固定电压之间的...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜得喜，江力，张涛，
申请(专利权)人：深圳英集芯科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：