一种微波制备莫来石结合碳化硅陶瓷的方法技术

本发明专利技术提供了一种微波制备莫来石结合碳化硅陶瓷的方法，按照二氧化硅、氧化铝和碳化硅的摩尔比为2:3:5～100称取硅源、铝源和碳化硅，将其均匀混合后按照一定的成型方法制得坯体；将成型后的坯体置于微波烧结炉中，在烧结气氛保护下，以0.1～3KW/min的速度提升输入功率，升温至900～1300℃后，保温0～1h，得到莫来石结合碳化硅陶瓷。本发明专利技术借助微波烧结时碳化硅自身的发热实现烧结，莫来石在高温下可提高制品的抗氧化性能；加热过程能耗低，莫来石产生迅速，结合均匀度好，烧成温度低，保温时间短；制备的莫来石结合碳化硅制品强度高，市场前景广阔。前景广阔。前景广阔。

【技术实现步骤摘要】
一种微波制备莫来石结合碳化硅陶瓷的方法


[0001]本专利技术属于陶瓷材料
，具体涉及一种微波制备莫来石结合碳化硅陶瓷的方法。

技术介绍

[0002]SiC陶瓷由于具有热膨胀系数低，耐磨性能高，硬度高，化学稳定性好，热导率高，在高温下仍具有良好力学性能和抗氧化性能等特点，被广泛应用于制造保险柜，密封环，运钞车的防护等相关领域；是极有发展前景的结构陶瓷。
[0003]然而，Si
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C的共价性质键是极强的，因此SiC的烧结需升高至2000℃以上，造成了极大的能源消耗。
[0004]为了降低烧成温度，研究人员尝试加入烧结助剂进行SiC陶瓷的烧成，其中，莫来石具有良好的抗氧化性，高温稳定性，其热膨胀系数(5.3
×
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6/K在0～1000℃)与SiC(4.7
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10
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6/K在0～1000℃)相近；但是，目前莫来石结合碳化硅的烧成温度普遍在1500℃以上，且保温时间一般在3h以上，不仅增加能耗，且制品在传统加热方式的作用下，材料受热不均匀本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种微波制备莫来石结合碳化硅陶瓷的方法，其特征在于具体包括以下步骤：按照二氧化硅、氧化铝和碳化硅的摩尔比为2:3:5～100称取硅源、铝源和碳化硅，将其混合形成混合粉体，在混合粉体中加入结合剂进行混料，困料24h后采用干压成型或等静压成型或凝胶成型或挤出成型的方式制得坯体，将坯体置于微波烧结炉中，在烧结气氛保护下，以0.1～3KW/min的速度提升输入功率，升温至900～1300℃后，保温0～1h，得到莫来石结合碳化硅陶瓷。2.一种微波制备莫来石结合碳化硅陶瓷的方法，其特征在于具体包括以下步骤：按照二氧化硅、氧化铝和碳化硅的摩尔比为2:3:5～100称取硅源、铝源和碳化硅，将其球磨混合后制得陶瓷浆料，将陶瓷浆料加入搅拌桶中并加入固化剂，搅拌20～30min后浇注到模具中，经空气气氛干燥3d后脱模，得到坯体，将坯体在80～120℃下烘烤干燥，然后置于微波烧结炉中，在烧结气氛保护下，以0.1～3KW/min的速度提升输入功率，升温至900～1300℃后，保温0～1h，得到莫来石结合碳化硅陶瓷。3.一种微波制备莫来石结合碳化硅陶瓷的方法，其特征在于具体包括以下步骤：按照二氧化硅、氧化铝和碳化硅的摩尔比为2:3:5～100称取硅源、铝源和碳化硅，将硅源、铝源和碳化硅形成的混合物置于球磨罐中并加入水、凝胶单体、交联剂、发泡剂，球磨混料后制得陶瓷浆料，将陶瓷浆料置于搅拌桶中，搅拌的同时加入引发剂、催化剂，继续搅拌后将浆料浇注于模具中，经空气气氛干燥3d后脱模，得到坯体，将坯体在80～120℃下烘烤干燥，然后置于微波烧结炉中，在烧结气氛保护下，以0.1～3KW/min的速度提升输入功率，升温至900～1300℃后，保温0～1h，得到莫来石结合碳化硅陶瓷。4.如权利要求1
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3任一所述的一种微波制备...

【专利技术属性】
技术研发人员：董宾宾，张锐，闵志宇，王刚，袁波，关莉，王黎，殷超凡，王青峰，郑希辰，
申请(专利权)人：洛阳理工学院，
类型：发明
国别省市：