太阳能电池及其制备方法、光伏组件技术

本申请实施例涉及太阳能电池技术领域，特别涉及一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件，太阳能电池包括：位于基底的第一表面且依次设置的隧穿氧化层、掺杂导电层以及第一钝化层；第一金属电极以及第二金属电极，第一金属电极贯穿第一钝化层与掺杂导电层电连接，第二金属电极连接于第一金属电极朝向基底的表面，第二金属电极与隧穿氧化层朝向基底的表面齐平；第二金属电极贯穿隧穿氧化层与基底接触，第二金属电极的宽度小于第一金属电极的宽度；局部掺杂区位于基底内，且局部掺杂区与第二金属电极接触，局部掺杂区与基底具有相同导电类型的掺杂元素，且局部掺杂区的掺杂浓度大于基底的掺杂浓度。本申请实施例有利于减小太阳能电池的串联电阻。电池的串联电阻。电池的串联电阻。

【技术实现步骤摘要】
太阳能电池及其制备方法、光伏组件


[0001]本申请实施例涉及太阳能电池领域，特别涉及一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件。

技术介绍

[0002]太阳能电池具有较好的光电转换能力，为了抑制太阳能电池中基底表面的载流子复合以及增强对基底的钝化效果，通常会在基底表面制备隧穿氧化层以及掺杂导电层。其中，隧穿氧化层具有较好的化学钝化效果，掺杂导电层具有较好的场钝化效果。此外，为了对太阳能电池产生的光生载流子进行传输并收集，还会在部分基底表面制备电极。
[0003]然而，目前制备的太阳能电池存在串联电阻较高的问题。

技术实现思路

[0004]本申请实施例提供一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件，至少有利于减小太阳能电池的串联电阻。
[0005]本申请实施例提供一种太阳能电池，包括：基底；位于基底的第一表面且在远离基底的方向上依次设置的隧穿氧化层、掺杂导电层以及第一钝化层；第一金属电极以及第二金属电极，第一金属电极贯穿第一钝化层与掺杂导电层电连接，第二金属电极连接于第一金属电极朝向基底的表面，且第二金属电极与隧穿氧化层朝向基底的表面齐平；第二金属电极贯穿隧穿氧化层与基底接触，且第二金属电极的宽度小于第一金属电极的宽度；局部掺杂区，局部掺杂区位于基底内，且局部掺杂区与第二金属电极接触，局部掺杂区与基底具有相同导电类型的掺杂元素，且局部掺杂区的掺杂浓度大于基底的掺杂浓度。
[0006]另外，第二金属电极与第一金属电极的接触面积与第一金属电极的截面积之比为1:16～2:3。
[0007]另外，第二金属电极包括：多个间隔排布的子电极，且在沿隧穿氧化层指向基底的方向上，子电极的宽度逐渐变小。
[0008]另外，局部掺杂区的掺杂浓度与基底的掺杂浓度之比为10000:1～200000:1。
[0009]另外，局部掺杂区的掺杂浓度为1
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atoms/cm3～2
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atoms/cm3。
[0010]另外，基底包括：沿隧穿氧化层指向基底方向排布的第一区以及第二区，第一区与第二区的交界线与局部掺杂区远离第二金属电极的顶面齐平，其中，第一区的掺杂浓度大于第二区的掺杂浓度，且局部掺杂区的掺杂浓度大于第一区的掺杂浓度。
[0011]相应地，本申请实施例还提供一种光伏组件，包括电池串，电池串由多个上述任一项所述的太阳能电池连接而成；封装层，封装层用于覆盖电池串的表面盖板，盖板用于覆盖封装层远离电池串的表面。
[0012]相应地，本申请实施例还提供一种太阳能电池的制备方法包括：提供基底；在基底的第一表面且在远离基底的方向上依次形成隧穿氧化层、掺杂导电层以及第一钝化层；形成第一金属电极以及第二金属电极，第一金属电极贯穿第一钝化层与掺杂导电层电连接，
第二金属电极连接于第一金属电极朝向基底的表面，且第二金属电极与隧穿氧化层朝向基底的表面齐平；第二金属电极贯穿隧穿氧化层与基底接触，且第二金属电极的宽度小于第一金属电极的宽度；在基底内形成局部掺杂区，局部掺杂区与第二金属电极接触，局部掺杂区与基底具有相同导电类型的掺杂元素，且局部掺杂区的掺杂浓度大于基底的掺杂浓度。
[0013]另外，形成第一金属电极以及第二金属电极的方法包括：对基底的部分第一钝化层进行激光工艺以形成激光处理区域，激光处理区域与待形成第二金属电极区域对应，第一钝化层中，激光处理区域以外的区域为平坦区，平坦区包括待形成第一金属电极区域，激光处理区域位于待形成第一金属电极区域内；在第一表面的激光处理区域以及待形成第一金属电极区域印刷导电浆料，导电浆料包括第一掺杂离子，第一掺杂离子与基底的掺杂离子类型相同；对导电浆料进行烧结处理，形成第二金属电极以及第一金属电极。
[0014]另外，对基底的部分第一钝化层进行激光工艺以形成激光处理区域的方法包括：采用激光工艺对待形成激光处理区域的第一钝化层进行激光刻蚀直至露出掺杂导电层的部分表面，以形成激光处理区域。
[0015]另外，对基底的部分第一钝化层进行激光工艺以形成激光处理区域的方法包括：采用激光工艺对待形成激光处理区域的第一钝化层进行激光刻蚀，待形成激光处理区域包括：第一待形成激光处理区域、第二待形成激光处理区域，其中，对第一待形成激光处理区域进行激光刻蚀以露出掺杂导电层的部分表面，对第二待形成激光处理区域进行激光刻蚀，以形成具有预设厚度的第二钝化层。
[0016]另外，第二钝化层的厚度与第一钝化层的厚度之比为1:10～2:3。
[0017]本申请实施例提供的技术方案至少具有以下优点：
[0018]本申请实施例提供的太阳能电池的技术方案中，在位于基底的第一表面且在远离基底的方向上依次设置隧穿氧化层、掺杂导电层以及第一钝化层，并设置第一金属电极以及第二金属电极，第一金属电极贯穿第一钝化层与掺杂导电层电连接，第二金属电极连接于第一金属电极朝向基底的表面，且第二金属电极与隧穿氧化层朝向基底的表面齐平，即第二金属电极不位于基底内，从而可以保持基底的完整性，且第二金属电极贯穿隧穿氧化层与基底接触，如此，使得第二金属电极对载流子的传输不受隧穿氧化层的限制，具有较高的传输效率，并且第一金属电极未贯穿隧穿氧化层，使得隧穿氧化层保持较好的钝化效果，且第二金属电极的宽度小于第一金属电极的宽度，即设置较少的第二金属电极贯穿隧穿氧化层，使得第二金属电极处的复合损失不大幅增加；还设置局部掺杂区，局部掺杂区位于基底内，且局部掺杂区与第二金属电极接触，局部掺杂区与基底具有相同导电类型的掺杂元素，且局部掺杂区的掺杂浓度大于基底的掺杂浓度。局部掺杂区的浓度大于基底的浓度，即形成重掺杂区，该重掺杂区与基底形成高低结，一方面起到较好的界面钝化效果，可以减少载流子的复合，另一方面，局部掺杂区与第二金属电极形成欧姆接触，降低太阳能电池的串联电阻，从而实现在提高载流子传输能力的同时，保持较好的钝化效果。
附图说明
[0019]一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明，这些示例性说明并不构成对实施例的限定，除非有特别申明，附图中的图不构成比例限制。
[0020]图1为本申请一实施例提供的太阳能电池的一种结构示意图；
[0021]图2为本申请一实施例提供的太阳能电池的另一种结构示意图；
[0022]图3为本申请一实施例提供的太阳能电池的又一种结构示意图；
[0023]图4为本申请一实施例提供的太阳能电池的再一种结构示意图；
[0024]图5为本申请一实施例提供的光伏组件的一种结构示意图；
[0025]图6为本申请另一实施例提供的一种太阳能电池的制备方法中提供的基底对应的结构示意图；
[0026]图7为本申请另一实施例提供的一种太阳能电池的制备方法中形成发射极的步骤对应的结构示意图；
[0027]图8为本申请另一实施例提供的一种太阳能电池的制备方法中形成隧穿氧化层以及掺杂导电层的步骤对应的结构示意图；
[00本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：基底；位于所述基底的第一表面且在远离所述基底的方向上依次设置的隧穿氧化层、掺杂导电层以及第一钝化层；第一金属电极以及第二金属电极，所述第一金属电极贯穿所述第一钝化层与所述掺杂导电层电连接，所述第二金属电极连接于所述第一金属电极朝向所述基底的表面，且所述第二金属电极与所述隧穿氧化层朝向所述基底的表面齐平；所述第二金属电极贯穿所述隧穿氧化层与所述基底接触，且所述第二金属电极的宽度小于所述第一金属电极的宽度；局部掺杂区，所述局部掺杂区位于所述基底内，且所述局部掺杂区与所述第二金属电极接触，所述局部掺杂区与所述基底具有相同导电类型的掺杂元素，且所述局部掺杂区的掺杂浓度大于所述基底的掺杂浓度。2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二金属电极与所述第一金属电极的接触面积与所述第一金属电极的截面积之比为1:16～2:3。3.根据权利要求1或2所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二金属电极包括：多个间隔排布的子电极，且在沿所述隧穿氧化层指向所述基底的方向上，所述子电极的宽度逐渐变小。4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述局部掺杂区的掺杂浓度与所述基底的掺杂浓度之比为10000:1～200000:1。5.根据权利要求4所述的太阳能电池，其特征在于，所述局部掺杂区的掺杂浓度为1
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atoms/cm3。6.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述基底包括：沿所述隧穿氧化层指向所述基底方向排布的第一区以及第二区，所述第一区与所述第二区的交界线与所述局部掺杂区远离所述第二金属电极的顶面齐平，其中，所述第一区的掺杂浓度大于所述第二区的掺杂浓度，且所述局部掺杂区的掺杂浓度大于所述第一区的掺杂浓度。7.一种光伏组件，其特征在于，包括：电池串，所述电池串由多个权利要求1至6中任一项所述的太阳能电池连接而成；封装层，所述封装层用于覆盖所述电池串的表面；盖板，所述盖板用于覆盖所述封装层远离所述电池串的表面。8.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底的第一表面且在远离...

【专利技术属性】
技术研发人员：金井升，张彼克，褚洪傲，张昕宇，
申请(专利权)人：浙江晶科能源有限公司，
类型：发明
国别省市：