一种碳化硅晶体制备用加热电源制造技术

本实用新型专利技术公开了一种碳化硅晶体制备用加热电源，具体涉及碳化硅晶体制备技术领域，包括加热电源盒，所述加热电源盒的下端设有底座，所述底座的内端设有五组第一螺纹杆，五组所述第一螺纹杆的外端设有连接螺纹筒。本实用新型专利技术通过将固定座利用耳板和定位螺丝安装在碳化硅晶体制备装置的内端，再将底座通过中央一组第一螺纹杆前端的六角槽转动，利用第一螺纹杆外端用定位环连接的连接螺纹筒转动，通过连接皮带带动其他四组第一螺纹杆转动，从而便于第一螺纹杆的后端嵌入在固定座内的定位螺纹筒中，保证了安装的稳定，不会倾斜，再利用卡板连接的遮盖板与底座的前端相互卡嵌，利用固定装置，对于定位槽口和贯穿孔之间贯穿连接。对于定位槽口和贯穿孔之间贯穿连接。对于定位槽口和贯穿孔之间贯穿连接。

【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅晶体制备用加热电源


[0001]本技术涉及碳化硅晶体制备
，具体涉及一种碳化硅晶体制备用加热电源。

技术介绍

[0002]碳化硅作为碳和硅稳定的化合物，其晶格结构由致密排列的两个亚晶格组成，每个硅(或碳)原子与周边包围的碳(硅)原子通过定向的强四面体sp3键结合，虽然碳化硅的四面体键很强，但层错形成能量却很低，这一特点决定了碳化硅的多型体现象，已经发现碳化硅具有 250多种多型体，每种多型体的碳/硅双原子层的堆垛次序不同。最常见的多型体为立方密排的3碳
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碳化硅和六角密排的4H、6H
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碳化硅。不同的多型体具有不同的电学性能与光学性能。碳化硅的禁带宽度为硅的2
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3倍，热导率约为硅的4.4倍，临界击穿电场约为硅的8倍，电子的饱和漂移速度为硅的2倍。另外，采用碳化硅所制备的发光二极管的辐射波长可以覆盖从蓝光到紫光的波段，在光信息显示系统及光集成电路等领域中具有广阔的应用前景。
[0003]现有的用于碳化硅晶体制备的装置中需要使用到的加热电源，在安装的过程中，不能保证电源本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅晶体制备用加热电源，包括加热电源盒(1)，其特征在于：所述加热电源盒(1)的下端设有底座(2)，所述底座(2)的内端设有五组第一螺纹杆(3)，五组所述第一螺纹杆(3)的外端设有连接螺纹筒(4)，所述连接螺纹筒(4)的内端设有定位环(5)，所述连接螺纹筒(4)的外端设有连接皮带(6)，中央一组所述第一螺纹杆(3)的外端设有六角槽(7)，五组所述第一螺纹杆(3)的尾端设有定位螺纹筒(11)，所述定位螺纹筒(11)的外端设有固定座(8)，所述固定座(8)的外端设有耳板(9)，所述耳板(9)的外端设有定位螺丝(10)，所述底座(2)的前端设有遮盖板(12)，所述遮盖板(12)的后端设有卡板(13)，所述卡板(13)的外端设有贯穿孔(14)，所述贯穿孔(14)的外端设有定位槽口(15)。2.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶体制备用加热电源，其特征在于：所述加热电源盒(1)的下端与底座(2)之间固定连接，所述底座(2)的内端与五组第一螺纹杆(3)之间螺纹连接，所述连接螺纹筒(4)的数量设置为五组，五组所述连接螺纹筒(4)与五组第一螺纹杆(3)之间活动连接，所述连接螺纹筒(4)沿着定位环(5)转动，所述定位环(5)固定安装在底座(2)的外端，所述连接螺纹筒(4)的外端与连接皮带(6)之间活动连接。3.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶体制备用加热电源，其特征在于：所述六角槽(7)嵌入安装在中央一组第一螺纹杆(3)的前端外表面，所述定位螺纹筒(11)嵌入安装在固定座(8)的内端，所述固定座(8)的两端与耳板(9)之间固定连接，所述耳板(9)与定位螺丝(10)之间固定连接，五组所述第一螺纹杆(3)与定位螺纹筒(11)之间活动连接，所述底座(2)的前端通过卡板(13)与遮盖板(12)之间卡嵌连接。4.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶体制备用加热电源，...

【专利技术属性】
技术研发人员：李国栋，虞大力，
申请(专利权)人：江苏东方四通科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：