硅光子封装件制造技术

本实用新型专利技术的实施例提供了一种硅光子封装件，包括：光子集成电路，包括位于有源面上的第一焊盘；线路结构，位于光子集成电路的有源面上，线路结构具有第一开口，第一开口暴露第一焊盘的部分和有源面的部分，光子集成电路的传感器位于有源面由第一开口暴露的部分上；光纤阵列单元，位于第一开口和电子集成电路上方。本实用新型专利技术的目的在于提供一种硅光子封装件，以至少减短光纤阵列单元和光子集成电路的传感器之间的光路径。传感器之间的光路径。传感器之间的光路径。

【技术实现步骤摘要】
硅光子封装件


[0001]本技术的实施例涉及硅光子封装件。

技术介绍

[0002]参见图1，现有的硅光子(SiPh)封装件中，光子集成电路(PIC)12的输入/输出(I/O)数较少、电性能较差，不足以满足多功能、高频和高I/O的要求。
[0003]参见图2，现有的硅光子(SiPh)封装件集成了重分布层(RDL)20，增加了输入/输出(I/O)数，但其光纤阵列单元(FAU)10与光子集成电路(PIC)12的光传感器(Photo sensor)14之间的光路径17需要通过镜子16转向，镜子16占据体积较大，使得光纤阵列单元(FAU)10与光传感器(Photo sensor)14之间的光路径17、以及电子集成电路(EIC)18与光传感器(Photo sensor)14之间的电路径太长。
[0004]参见图3，现有技术还包括光子集成电路(PIC)12通过导电柱32与衬底30连接的实施例，仍然存在光纤阵列单元(FAU)10与光传感器(Photo sensor)14之间的光路径17、以及电子集成电路(EIC)18与光传感器(Photo sensor)14之间的电路径太长的缺陷，此外，还存在如箭头A所指的位置处导电柱32损坏的问题。

技术实现思路

[0005]针对相关技术中存在的问题，本技术的目的在于提供一种硅光子封装件，以至少减短光纤阵列单元和光子集成电路的传感器之间的光路径。
[0006]为实现上述目的，本技术的实施例提供了一种硅光子封装件，包括：光子集成电路，包括位于有源面上的第一焊盘；线路结构，位于光子集成电路的有源面上，线路结构具有第一开口，第一开口暴露第一焊盘的部分和有源面的部分，光子集成电路的传感器位于有源面由第一开口暴露的部分上；光纤阵列单元，位于第一开口和电子集成电路上方。
[0007]在一些实施例中，电子集成电路与传感器相邻。
[0008]在一些实施例中，暴露第一焊盘与传感器的第一开口是连续的开口。
[0009]在一些实施例中，由第一开口暴露的第一焊盘与电子集成电路的有源区电连接。
[0010]在一些实施例中，线路结构包括位于第一开口中的第一焊盘上的底部焊盘，电子集成电路倒装芯片接合于底部焊盘，从而与底部焊盘直接电连接。
[0011]在一些实施例中，电子集成电路的无源面通过第二粘合层贴附在光子集成电路的有源面由第一开口暴露的部分上，电子集成电路的有源面通过第二引线电连接于由第一开口暴露的第一焊盘。
[0012]在一些实施例中，硅光子封装件还包括：多层结构，光子集成电路的无源面设置在多层结构上。
[0013]在一些实施例中，位于光子集成电路上的线路结构通过第一引线电连接于多层结构。
[0014]在一些实施例中，多层结构是重分布层(RDL)。
[0015]在一些实施例中，多层结构是半导体衬底。
[0016]在一些实施例中，硅光子封装件还包括：模塑料，位于多层结构上，模塑料包括暴露传感器的第二开口，模塑料与传感器隔开。
[0017]在一些实施例中，模塑料包覆电子集成电路。
[0018]在一些实施例中，第二开口还暴露电子集成电路，模塑料与电子集成电路隔开。
[0019]在一些实施例中，第二开口还暴露线路结构的部分上表面。
[0020]在一些实施例中，光纤阵列单元通过第一粘合层粘附于模塑料的上表面。
[0021]在一些实施例中，电子集成电路的上表面与模塑料的上表面齐平，第一粘合层还位于光纤阵列单元和电子集成电路之间。
[0022]在一些实施例中，模塑料的侧壁与多层结构的侧壁齐平。
[0023]在一些实施例中，来自于光纤阵列单元的光通过第二开口直接到达传感器。
[0024]在一些实施例中，模塑料包括高分子树脂材料。
[0025]在一些实施例中，沿从上到下的方向，第二开口的横向尺寸逐渐减小。
附图说明
[0026]当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本技术的各个方面。应该指出，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。
[0027]图1至图3示出了现有的硅光子封装件的结构示意图。
[0028]图4至图29示出了根据本申请的实施例的硅光子封装件的形成过程。
[0029]图30至图36示出了根据本申请不同实施例的硅光子封装件。
具体实施方式
[0030]为更好的理解本申请实施例的精神，以下结合本申请的部分优选实施例对其作进一步说明。
[0031]本申请的实施例将会被详细的描示在下文中。在本申请说明书全文中，将相同或相似的组件以及具有相同或相似的功能的组件通过类似附图标记来表示。在此所描述的有关附图的实施例为说明性质的、图解性质的且用于提供对本申请的基本理解。本申请的实施例不应该被解释为对本申请的限制。
[0032]如本文中所使用，术语“大致”、“大体上”、“实质”及“约”用以描述及说明小的变化。当与事件或情形结合使用时，所述术语可指代其中事件或情形精确发生的例子以及其中事件或情形极近似地发生的例子。举例来说，当结合数值使用时，术语可指代小于或等于所述数值的
±
10％的变化范围，例如小于或等于
±
5％、小于或等于
±
4％、小于或等于
±
3％、小于或等于
±
2％、小于或等于
±
1％、小于或等于
±
0.5％、小于或等于
±
0.1％、或小于或等于
±
0.05％。举例来说，如果两个数值之间的差值小于或等于所述值的平均值的
±
10％(例如小于或等于
±
5％、小于或等于
±
4％、小于或等于
±
3％、小于或等于
±
2％、小于或等于
±
1％、小于或等于
±
0.5％、小于或等于
±
0.1％、或小于或等于
±
0.05％)，那么可认为所述两个数值“大体上”相同。
[0033]在本说明书中，除非经特别指定或限定之外，相对性的用词例如：“中央的”、“纵向
的”、“侧向的”、“前方的”、“后方的”、“右方的”、“左方的”、“内部的”、“外部的”、“较低的”、“较高的”、“水平的”、“垂直的”、“高于”、“低于”、“上方的”、“下方的”、“顶部的”、“底部的”以及其衍生性的用词(例如“水平地”、“向下地”、“向上地”等等)应该解释成引用在讨论中所描述或在附图中所描示的方向。这些相对性的用词仅用于描述上的方便，且并不要求将本申请以特定的方向建构或操作。
[0034]另外，有时在本文中以范围格式呈现量、比率和其它数值。应理解，此类范.围格式是用于便利及简洁起见，且应灵活地理解，不仅包含明确地指定为范围限制本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅光子封装件，其特征在于，包括：光子集成电路，包括位于有源面上的第一焊盘；线路结构，位于所述光子集成电路的所述有源面上，所述线路结构具有第一开口，所述第一开口暴露所述第一焊盘的部分和所述有源面的部分，所述光子集成电路的传感器位于所述有源面由所述第一开口暴露的部分上；电子集成电路，位于由所述第一开口暴露的所述第一焊盘上方；光纤阵列单元，位于所述第一开口和所述电子集成电路上方。2.根据权利要求1所述的硅光子封装件，其特征在于，所述电子集成电路与所述传感器相邻。3.根据权利要求2所述的硅光子封装件，其特征在于，由所述第一开口暴露的所述第一焊盘与所述电子集成电路的有源区电连接。4.根据权利要求3所述的硅光子封装件，其特征在于，所述线路结构包括位于所述第一开口中的所述第一焊盘上的底部焊盘，所述电子集成电路倒装芯片接合于...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕文隆，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：