带隙基准电路、温度传感电路和电子装置制造方法及图纸

一种带隙基准电路、温度传感电路和电子装置。该带隙基准电路包括正温度系数电流产生模块、参考电压产生模块和正温度系数电压缩放模块。正温度系数电流产生模块配置为产生正温度系数电流以及第一正温度系数电压。参考电压产生模块配置为基于正温度系数电流产生参考电压。正温度系数电压缩放模块配置为基于正温度系数电流产生相对于第一正温度系数电压进行缩放的第二正温度系数电压。该带隙基准电路通过将正温度系数电压放大后进行后续运算，进而扩大了温度系数的动态范围。扩大了温度系数的动态范围。扩大了温度系数的动态范围。

【技术实现步骤摘要】
带隙基准电路、温度传感电路和电子装置


[0001]本技术涉及一种带隙基准电路、温度传感电路和电子装置。

技术介绍

[0002]温度传感器广泛应用于现代工业、医疗、交通、智能家居等领域。集成式的CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半导体)温度传感器广泛用于各类片上系统(SoC)、工业物联网以及无线传感网络等应用场景。温度传感器的电路可以包括带隙基准电路。由于带隙基准电路对外部环境因素变化不敏感，可以用于减少或防止温度传感器的电路的异常操作并确保其可靠性。

技术实现思路

[0003]针对所存在的问题，本技术至少一实施例提供一种带隙基准电路，该带隙基准电路能产生放大后的正温度系数电压，进而扩大了温度系数μ的动态范围。
[0004]本技术至少一实施例提供一种带隙基准电路，该带隙基准电路包括：正温度系数电流产生模块，配置为产生正温度系数电流以及第一正温度系数电压；参考电压产生模块，配置为基于所述正温度系数电流，产生参考电压；正温度系数电压缩放模块，配置为基于所述正温度系数电流，产生相对于所述第一正温度系数电压进行缩放的第二正温度系数电压。
[0005]例如，在本技术至少一实施例提供的带隙基准电路中，所述正温度系数电流产生模块包括第一三极管、第二三极管和第一电阻，所述第一三极管的发射极与第一节点电连接，所述第一三极管的基极和集电极接第一公共电压，所述第一电阻的第一端电连接第二节点，所述第一电阻的第二端与所述第二三极管的发射极电连接，所述第二三极管的基极和集电极接所述第一公共电压，所述第一节点和所述第二节点相对于所述第一公共电压的电位被设置为相等，其中，所述正温度系数电流为所述第一电阻上产生的电流，所述第一正温度系数电压为所述第一电阻两端的电压。
[0006]例如，在本技术至少一实施例提供的带隙基准电路中，所述第一三极管和所述第二三极管为PNP型三极管。
[0007]例如，在本技术至少一实施例提供的带隙基准电路中，所述正温度系数电流产生模块还包括钳位电路子模块，所述钳位电路子模块电连接公共电压端、所述第一节点和所述第二节点，所述钳位电路子模块将所述第一节点和所述第二节点相对于所述第一公共电压的电位被设置为相等。
[0008]例如，在本技术至少一实施例提供的带隙基准电路中，钳位电路子模块包括第一开关晶体管、第二开关晶体管以及比较电路，所述第一开关晶体管和所述第二开关晶体管的栅极直接电连接且与第五节点电连接，所述第一开关晶体管电连接在所述第二公共电压端和所述第一节点之间，所述第二开关晶体管电连接在所述第二公共电压端和所述第二节点之间，所述比较电路的第一输入端与所述第一节点电连接，所述比较电路的第二输
入端与所述第二节点电连接，所述比较电路的输出端与所述第五节点电连接，所述第一开关晶体管、所述第二开关晶体管以及所述比较电路构成负反馈电路，将所述第一节点和所述第二节点相对于所述第一公共电压的电位调节为相等。
[0009]例如，在本技术至少一实施例提供的带隙基准电路中，所述比较电路为运算放大器。
[0010]例如，在本技术至少一实施例提供的带隙基准电路中，所述参考电压产生模块包括第一镜像电路模块和第一电压产生模块，所述第一镜像电路模块配置为按第一比例复制所述正温度系数电流得到第一复制电流，所述第一电压产生模块配置为根据所述第一复制电流产生所述参考电压。
[0011]例如，在本技术至少一实施例提供的带隙基准电路中，所述参考电压产生模块包括第一镜像电路模块和第一电压产生模块，所述第一镜像电路模块包括第三开关晶体管，所述第三开关晶体管的栅极与所述第五节点电连接，所述第三开关晶体管电连接在所述第二公共电压端和第三节点之间，用于按第一比例复制所述正温度系数电流得到第一复制电流，所述第一电压产生模块包括第二电阻和第三三极管，所述第二电阻的第一端电连接所述第三节点，所述第二电阻的第二端与所述第三三极管的发射极电连接，所述第三三极管的基极和集电极接所述第一公共电压。
[0012]例如，在本技术至少一实施例提供的带隙基准电路中，所述第三三极管与所述第一三极管类型相同。
[0013]例如，在本技术至少一实施例提供的带隙基准电路中，所述正温度系数电压缩放模块包括第二镜像电路模块和第二电压产生模块，所述第二镜像电路模块配置为按第二比例复制正温度系数电流得到第二复制电流，所述第二电压产生模块配置为根据所述第二复制电流产生相对于所述第一正温度系数电压缩放后的所述第二正温度系数电压。
[0014]例如，在本技术至少一实施例提供的带隙基准电路中，所述正温度系数电压缩放模块包括第二镜像电路模块和第二电压产生模块，所述第二镜像电路模块包括第四开关晶体管，所述第四开关晶体管的栅极与所述第五节点电连接，所述第四开关晶体管电连接在所述第二公共电压端和第四节点之间，用于按第二比例复制所述正温度系数电流得到第二复制电流，所述第二电压产生模块包括第三电阻，所述第三电阻的第一端电连接所述第四节点，所述第三电阻的第二端接所述第一公共电压。
[0015]例如，在本技术至少一实施例提供的带隙基准电路中，所述第一公共电压为接地电压，所述第二公共电压为电源电压。
[0016]本技术至少一实施例还提供一种温度传感电路，该温度传感电路包括：本技术任一实施例提供的带隙基准电路；计算模块，配置为接收所述参考电压和所述第二正温度系数电压，基于所述参考电压和所述第二正温度系数电压输出与待测温度相关的感测结果。
[0017]本技术至少一实施例还提供一种电子装置，该电子装置包括本技术任一实施例提供的温度传感电路。
附图说明
[0018]为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单
地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本技术的一些实施例，而非对本技术的限制。
[0019]图1A为一种产生正温度系数电压的示例电路的电路图；
[0020]图1B为一种温度传感器的结构示意图；
[0021]图1C为一种温度传感电路产生的温度系数与温度的关系图；
[0022]图2为本技术至少一实施例提供的带隙基准电路的示意图；
[0023]图3为本技术至少一实施例提供的带隙基准电路的示例性电路图；
[0024]图4为本技术至少一实施例提供的温度传感电路的示意图；
[0025]图5为本技术至少一实施例提供的温度传感电路产生的一个示例的温度系数与温度的关系图；
[0026]图6为本技术至少一实施例提供的电子装置的示意图。
具体实施方式
[0027]为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例的附图，对本技术实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本技术的一部分实施例，而不是全部的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种带隙基准电路，其特征在于，包括：正温度系数电流产生模块，配置为产生正温度系数电流以及第一正温度系数电压；参考电压产生模块，配置为基于所述正温度系数电流产生参考电压；正温度系数电压缩放模块，配置为基于所述正温度系数电流产生相对于所述第一正温度系数电压进行缩放的第二正温度系数电压。2.根据权利要求1所述的带隙基准电路，其特征在于，所述正温度系数电流产生模块包括第一三极管、第二三极管和第一电阻，所述第一三极管的发射极与第一节点电连接，所述第一三极管的基极和集电极接第一公共电压，所述第一电阻的第一端电连接第二节点，所述第一电阻的第二端与所述第二三极管的发射极电连接，所述第二三极管的基极和集电极接所述第一公共电压，所述第一节点和所述第二节点相对于所述第一公共电压的电位被设置为相等，其中，所述正温度系数电流为所述第一电阻上产生的电流，所述第一正温度系数电压为所述第一电阻两端的电压。3.根据权利要求2所述的带隙基准电路，其特征在于，所述第一三极管和所述第二三极管为PNP型三极管。4.根据权利要求2所述的带隙基准电路，其特征在于，所述正温度系数电流产生模块还包括钳位电路子模块，所述钳位电路子模块电连接第二公共电压端、所述第一节点和所述第二节点，所述钳位电路子模块将所述第一节点和所述第二节点相对于所述第一公共电压的电位设置为相等。5.根据权利要求4所述的带隙基准电路，其特征在于，所述钳位电路子模块包括第一开关晶体管、第二开关晶体管以及比较电路，所述第一开关晶体管和所述第二开关晶体管的栅极直接电连接且与第五节点电连接，所述第一开关晶体管电连接在所述第二公共电压端和所述第一节点之间，所述第二开关晶体管电连接在所述第二公共电压端和所述第二节点之间，所述比较电路的第一输入端与所述第一节点电连接，所述比较电路的第二输入端与所述第二节点电连接，所述比较电路的输出端与所述第五节点电连接，所述第一开关晶体管、所述第二开关晶体管以及所述比较电路构成负反馈电路，将所述第一节点和所述第二节点相对于所述第一公共电压的电位调节为相等。6.根据权利要求5所述的带隙基准电路，其特征在于，所述比较电路为运算放大器。7.根据权利要求1
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4任一所述的带隙基准电路，其特征在于，所述参考电压产生模块包括第一镜像电路模块和第一电压产生...

【专利技术属性】
技术研发人员：ꢀ七四专利代理机构，
申请(专利权)人：上海壁仞智能科技有限公司，
类型：新型
国别省市：