一种耐酸硫杆菌应用方法技术

针对现有浸矿菌株在高酸环境下氧化活性低、生长繁殖速度慢等问题，本发明专利技术提供了一株耐酸硫杆菌应用方法，该菌株可以在H2SO4浓度为40g/L时生长繁殖速度快，氧化亚铁的速率可以达到1g/L

【技术实现步骤摘要】
一种耐酸硫杆菌应用方法


[0001]本专利技术属于湿法冶金
，具体涉及一种耐酸硫杆菌应用方法。

技术介绍

[0002]生物浸出是利用某些细菌或其代谢产物可以从矿石中浸出有用金属，如铀、铜等，该技术具有充分利用资源、生产成本低和基本无环境污染等优点。
[0003]目前常用的浸矿微生物主要是嗜酸化能自养菌，包括ThiobaciLLusferrooxidans(氧化亚铁硫杆菌)，ThiobaciLLusthiooxidans(氧化硫硫杆菌)，FerrobaciLLusferrooxidans(氧化铁铁杆菌)，LeptospiriLLumferrooxidans(氧化亚铁钩端螺璇菌)等，这类细菌适宜生存的pH为2.0～3.5，当环境介质pH在该范围内，在适宜的温度下，细菌生长繁殖速度快，氧化活性高，氧化亚铁的速率可以达到9g/L
·
d。随着体系中硫酸浓度的升高，氧化亚铁速度下降，当硫酸浓度为20g/L时，细菌氧化亚铁的速率为0.5g/L
·
d，
[0004]当矿山吸附尾液中硫酸浓度较高时，细菌氧化亚铁的速度较慢，从而影响铀或其他金属的浸出效果。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于：提供可在高酸环境中生长的硫杆菌。
[0006]本专利技术的技术方案如下：一种耐酸硫杆菌应用方法，包括以下步骤:
[0007]S1：配置溶液,包括H2SO440g/L，FeSO4·
7H2O15g/L，(NH4)2SO43g/L；
[0008]S2：取S1中配置的溶液放置于锥形瓶中；
[0009]S3：取细菌SWU3培养液于S2中的锥形瓶中，混合均匀；
[0010]S4：将S3所得的锥形瓶放置在恒温摇床中。
[0011]所述S2中，取S1中配置的80ml溶液放置于锥形瓶中。
[0012]所述S2中，取S1中配置的80ml溶液放置于200ml锥形瓶中。
[0013]所述S3中，取20ml细菌SWU3培养液于S2中的锥形瓶中。
[0014]所述S4中，将S3所得的锥形瓶放置在30℃恒温摇床中。
[0015]所述S4中，将S3所得的锥形瓶放置在30℃恒温摇床中，转速为120r/min。
[0016]所述S3中，所述的细菌SWU3为革兰氏阴性。
[0017]所述S3中，所述的细菌SWU3光学显微镜下菌体小，杆状，能运动，大小为0.3
‑
0.5μm
×
1.2
‑
1.9μm。
[0018]所述S3中，所述的细菌SWU3是嗜酸性化能自养菌。
[0019]所述S3中，所述的细菌SWU3适宜的生长温度为20℃～35℃，生长pH为<2.0。
[0020]本专利技术的显著效果在于：本专利技术的硫杆菌(AcidithiobacillusferrooxidansSWU3)具有较强的耐高酸性能，在硫酸浓度为40g/L环境下能较好生长，氧化亚铁的速率可以达到1g/L
·
d。该菌株可以在铀矿、铜矿浸出中得到广泛应用。
具体实施方式
[0021]以下结合实施例对本专利技术作出进一步的说明，但本专利技术的内容并不限于所述范围。
[0022]本专利技术的目的是提供一株可在高酸环境中生长、具有较高活性和氧化效率的硫杆菌及其应用方法。
[0023]本专利技术所述的化能自养菌(SWU3)，已于2019年5月23日保藏在中国微生物菌种保藏管理委员会普通微生物中心，地址：北京市朝阳区北辰西路1号院3号，中国科学院微生物研究所，保藏号CGMCC No.17692，保藏名称Acidithiobacillus ferrooxidans SWU3；
[0024]建议分类命名:氧化亚铁硫杆菌Thiobacillus ferrooxidans。
[0025]该化能自养硫杆菌(SWU3)为革兰氏阴性，光学显微镜下菌体小，杆状，能运动，大小为0.3
‑
0.5μm
×
1.2
‑
1.9μm。
[0026]该硫杆菌是典型嗜酸性化能自养菌，通过氧化Fe
2+
或硫化物而获得能量生长，产物为Fe
3+
、硫酸、硫酸盐，利用CO2为碳源，适宜的生长温度为20℃～35℃，生长pH为<2.0。
[0027]该化能自养硫杆菌具有较强的耐高酸性能，在硫酸浓度为40g/L环境下能较好生长，氧化亚铁的速率可以达到1g/L
·
d。
[0028]本专利技术的化能自养硫杆菌(SWU3)可用于从含Fe
2+
或硫化物的矿石中回收铀、铜等金属
[0029]对比例
[0030]试验用溶液主要组成由：H2SO
4 40g/L，FeSO4·
7H2O 15g/L，(NH4)2SO
4 3g/L。所用锥形瓶、量筒等均灭菌。
[0031]在实验室采用常用的在ρ(H2SO4)2g/L的菌株M1，具体步骤如下：
[0032](1)取80ml溶液放置于200ml锥形瓶中；
[0033](2)取20ml细菌M1培养液于步骤(1)中的锥形瓶中，混合均匀；
[0034](3)将步骤(2)所得的锥形瓶放置在30℃恒温摇床中，转速为120r/min，每天测量溶液氧化还原电位，定期在显微镜下观察溶液中的细菌。
[0035]结果表明：经过10天培养，锥形瓶中溶液氧化还原电位在400mv，显微镜下观察细菌数量很少，说明细菌活性很低。
[0036]实施例1
[0037]试验用溶液主要组成由：H2SO
4 40g/L，FeSO4·
7H2O 15g/L，(NH4)2SO
4 3g/L。所用锥形瓶、量筒等均灭菌。
[0038]在实验室采用本专利技术菌株SWU3，具体步骤如下：
[0039](1)取80ml溶液放置于200ml锥形瓶中；
[0040](2)取20ml细菌SWU3培养液于步骤(1)中的锥形瓶中，混合均匀；
[0041](3)将步骤(2)所得的锥形瓶放置在30℃恒温摇床中，转速为120r/min，测量溶液氧化还原电位，定期在显微镜下观察溶液中的细菌。
[0042]结果表明：经过3天培养，锥形瓶中溶液氧化还原电位升高到560mv，显微镜下观察细菌数量很多，说明细菌活性高。
[0043]实施例2
[0044]试验用溶液主要组成由：H2SO
4 40g/L，FeSO4·
7H2O 15g/L，(NH4)2SO
4 3g/L。所用
玻璃容器、量筒等均灭菌。
[0045]在实验室采用本专利技术菌株SWU3，具体步骤如下：
[0046](1)取1600ml溶液放置于广口瓶中；
[0047](2)取400ml细菌SWU3培养液于步骤(1)中的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种耐酸硫杆菌应用方法，其特征在于：包括以下步骤:S1：配置溶液,包括H2SO
4 40g/L，FeSO4·
7H2O 15g/L，(NH4)2SO
4 3g/L；S2：取S1中配置的溶液放置于锥形瓶中；S3：取细菌SWU3培养液于S2中的锥形瓶中，混合均匀；S4：将S3所得的锥形瓶放置在恒温摇床中。2.根据权利要求1所述的一种耐酸硫杆菌应用方法，其特征在于：所述S2中，取S1中配置的80ml溶液放置于锥形瓶中。3.根据权利要求2所述的一种耐酸硫杆菌应用方法，其特征在于：所述S2中，取S1中配置的80ml溶液放置于200ml锥形瓶中。4.根据权利要求1所述的一种耐酸硫杆菌应用方法，其特征在于：所述S3中，取20ml细菌SWU3培养液于S2中的锥形瓶中。5.根据权利要求1所述的一种耐酸硫杆菌应用方法，其特征在于：所述S4中，将S3所得的锥形瓶放置在...

【专利技术属性】
技术研发人员：孟运生，张静敏，刘辉，郑英，
申请(专利权)人：核工业北京化工冶金研究院，
类型：发明
国别省市：