可调节阈值电压的施密特触发器制造技术

可调节阈值电压的施密特触发器，属于集成电路技术领域，为解决现有CMOS施密特触发器在流片之后无法改变阈值电压的问题。它包括PMOS管P1～P5、NMOS管N1～N5、反相器F、PMOS传输管SP1～SP2和NMOS传输管SN1～SN2；P4与SP1串联，P5与SP2串联，P2与P3串联，P4的串联支路、P5的串联支路、P2的串联支路与P1并联，N4与SN1串联，N5与SN2串联，N2与N3串联，N4的串联支路、N5的串联支路、N2的串联支路与N1并联，SP1～SP4的栅极分别连接使能输入端in1～in4，通过使能输入端控制P4、P5、N4、N5的导通/截止。用于集成电路的施密特触发电路。电路的施密特触发电路。电路的施密特触发电路。

【技术实现步骤摘要】
可调节阈值电压的施密特触发器


[0001]本技术涉及一种可调节阈值电压的施密特触发器，属于集成电路


技术介绍

[0002]施密特触发器能够将外界带干扰的信号整形成为标准的方波，将外界的模拟信号转变成为数字电路可以识别的方波，施密特触发器由于具有这种独特的电路特性被广泛应用在集成电路中。
[0003]施密特触发器有多种实现方法，运放、比较器、晶体管都可以构成施密特触发器电路，其中CMOS施密特触发器具有体积小、便于集成的优点，在越来越复杂的集成电路中相较其它施密特触发器具有更大的优势。
[0004]在实际应用中，由于电路参数或者应用场景的影响，施密特触发器需要有不同的阈值电压。但是，传统的CMOS施密特触发器在流片之后无法改变阈值电压，有很大的局限性。若是电路参数发生变化，要想改变施密特触发器的阈值电压只能设置新的宽长比，重新流片，无法做到流片后改变阈值电压。

技术实现思路

[0005]本技术目的是为了解决CMOS施密特触发器在流片之后无法改变阈值电压的问题，提供了一种可调节阈值电压的施密特触发器。
[0006]本技术所述的可调节阈值电压的施密特触发器，它包括PMOS管P1～P5、NMOS管N1～N5、反相器F、PMOS传输管SP1～SP2和NMOS传输管SN1～SN2；
[0007]输入端Vin同时连接PMOS管P1的栅极和NMOS管N1的栅极，
[0008]PMOS管P4与PMOS传输管SP1串联，
[0009]PMOS管P5与PMOS传输管SP2串联，
[0010]PMOS管P2与PMOS管P3串联，
[0011]PMOS管P4的串联支路、PMOS管P5的串联支路、PMOS管P2的串联支路与PMOS管P1并联连接，
[0012]PMOS管P4的栅极和连接输入端Vin，PMOS传输管SP1的栅极连接使能输入端in1，
[0013]PMOS管P5的栅极连接输入端Vin，PMOS传输管SP2的栅极连接使能输入端in2，
[0014]NMOS管N4与NMOS传输管SN1串联，
[0015]NMOS管N5与NMOS传输管SN2串联，
[0016]NMOS管N2与NMOS管N3串联，
[0017]NMOS管N4的串联支路、NMOS管N5的串联支路、NMOS管N2的串联支路与NMOS管N1并联连接，
[0018]NMOS管N4的栅极连接输入端Vin，NMOS传输管SN1的栅极连接使能输入端in3，
[0019]NMOS管N5的栅极连接输入端Vin，NMOS传输管SN2的栅极连接使能输入端in4，
[0020]反相器F的共栅极同时连接PMOS管P1的漏极和NMOS管N1的漏极，反相器F的PMOS源
极连接PMOS管P1的源极，反相器F的NMOS源极连接NMOS管N1的源极，反相器F的共漏极连接输出端Out。
[0021]优选的，当使能输入端in1为低电平时，PMOS传输管SP1导通，PMOS管P4有效并联；
[0022]当使能输入端in1为高电平时，PMOS传输管SP1截止，PMOS管P4无效并联。
[0023]优选的，当使能输入端in2为低电平时，PMOS传输管SP2导通，PMOS管P5有效并联；
[0024]当使能输入端in2为高电平时，PMOS传输管SP2截止，PMOS管P5无效并联。
[0025]优选的，当使能输入端in3为高电平时，NMOS传输管SN1导通，NMOS管N4有效并联；
[0026]当使能输入端in3为低电平时，NMOS传输管SN1截止，NMOS管N4无效并联。
[0027]优选的，当使能输入端in4为高电平时，NMOS传输管SN2导通，NMOS管N5有效并联；
[0028]当使能输入端in4为低电平时，NMOS传输管SN2截止，NMOS管N5无效并联。
[0029]本技术的优点：本技术提出的可调节阈值电压的施密特触发器，通过使能端和控制电路来控制施密特触发器中并联的晶体管的导通数量，通过改变使能端的电压来改变并联管导通数量从而改变施密特触发器的正向阈值电压和负向阈值电压。具有如下优点：
[0030]1、可以根据实际需要的阈值电压，设置合适的宽长比，在流片之后，通过改变使能端in1～in4的电压便可以改变施密特触发器的阈值电压，可以满足单一芯片适应不同阈值电压要求；使得可阈值电压可调节施密特触发器在芯片成型之后，仍然可以在一定范围内调节施密特触发器的阈值电压，使施密特触发器有更加宽泛使用环境。
[0031]2、只存在动态功耗，其传输延迟几乎不受负载电容的影响。更广泛地应用在低电压、低功耗、高速集成电路中。
[0032]3、不仅使电路性能变得更灵活，还减小了重新流片的成本，并且与其它的阈值可调节施密特触发器相比较，结构简单，更加便于集成。
附图说明
[0033]图1是本技术所述可调节阈值电压的施密特触发器的结构示意图。
具体实施方式
[0034]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本技术保护的范围。
[0035]需要说明的是，在不冲突的情况下，本技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0036]下面结合附图和具体实施例对本技术作进一步说明，但不作为本技术的限定。
[0037]实施例1：
[0038]下面结合图1说明本实施方式，本实施方式所述可调节阈值电压的施密特触发器，它包括PMOS管P1～P5、NMOS管N1～N5、反相器F、PMOS传输管SP1～SP2和NMOS传输管SN1～SN2；
[0039]输入端Vin同时连接PMOS管P1的栅极和NMOS管N1的栅极，
[0040]PMOS管P4与PMOS传输管SP1串联，
[0041]PMOS管P5与PMOS传输管SP2串联，
[0042]PMOS管P2与PMOS管P3串联，
[0043]PMOS管P4的串联支路、PMOS管P5的串联支路、PMOS管P2的串联支路与PMOS管P1并联连接，
[0044]PMOS管P4的栅极和连接输入端Vin，PMOS传输管SP1的栅极连接使能输入端in1，
[0045]PMOS管P5的栅极连接输入端Vin，PMOS传输管SP2的栅极连接使能输入端in2，
[0046]NMOS管N4与NMOS传输管SN1串联，
[0047]NMOS管N5与NMOS传输管SN2串联，
[0048]NMOS管N2与NMOS管N3串联，
[0049]NMOS管N4的串联支路、NMOS管N5的串联支路、N本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.可调节阈值电压的施密特触发器，其特征在于：它包括PMOS管P1～P5、NMOS管N1～N5、反相器F、PMOS传输管SP1～SP2和NMOS传输管SN1～SN2；输入端Vin同时连接PMOS管P1的栅极和NMOS管N1的栅极，PMOS管P4与PMOS传输管SP1串联，PMOS管P5与PMOS传输管SP2串联，PMOS管P2与PMOS管P3串联，PMOS管P4的串联支路、PMOS管P5的串联支路、PMOS管P2的串联支路与PMOS管P1并联连接，PMOS管P4的栅极和连接输入端Vin，PMOS传输管SP1的栅极连接使能输入端in1，PMOS管P5的栅极连接输入端Vin，PMOS传输管SP2的栅极连接使能输入端in2，NMOS管N4与NMOS传输管SN1串联，NMOS管N5与NMOS传输管SN2串联，NMOS管N2与NMOS管N3串联，NMOS管N4的串联支路、NMOS管N5的串联支路、NMOS管N2的串联支路与NMOS管N1并联连接，NMOS管N4的栅极连接输入端Vin，NMOS传输管SN1的栅极连接使能输入端in3，NMOS管N5的栅极连接输入端Vin，NMOS传输管SN2的栅极连接使能输入端in4，反相器F的共栅极同时连接PMOS管P1的漏极和N...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘倩，吴刚，许翰文，吴宇恒，张宏博，
申请(专利权)人：哈尔滨理工大学，
类型：新型
国别省市：