太阳电池的制备方法、太阳电池镀膜载板及其应用技术

本发明专利技术提供了一种太阳电池的制备方法、太阳电池镀膜载板及应用。该太阳电池的制备方法包括如下步骤：提供镀膜载板；及将待制备为太阳电池的基片置于镀膜载板上，于基片表面沉积透明导电薄膜；其中，镀膜载板的制备方法包括：在载板基材上沉积金属层，再对金属层进行氧化处理，形成位于金属层上的第一金属氧化层。该太阳电池的制备方法能够使生产的太阳电池片的初始表面方阻更低、同时更快速地达到稳定值。值。值。

【技术实现步骤摘要】
太阳电池的制备方法、太阳电池镀膜载板及其应用


[0001]本专利技术涉及太阳电池
，特别是涉及一种太阳电池的制备方法、太阳电池镀膜载板及其应用。

技术介绍

[0002]太阳电池是一种能够利用太阳能转化为电能的装置，太阳能是一种取之不尽的清洁能源，因而太阳电池具有极高的商业价值和广阔的应用前景。
[0003]异质结电池是太阳电池的其中一种具体的种类。异质结电池的制作流程包括：首先对N型单晶硅片进行制绒清洗处理，然后在硅片正面沉积本征非晶硅和N型非晶硅薄膜，在硅片背面沉积本征非晶硅和P型非晶硅薄膜，然后在非晶硅上镀透明导电薄膜，最后再于透明导电薄膜上制备栅线电极。其中，透明导电薄膜能够起到收集、传输电流和减反射的作用，因此其光电特性直接影响太阳电池的具体性能，特别是太阳电池的填充因子。
[0004]透明导电薄膜通常通过镀膜的方式进行制备，异质结太阳电池在生产过程中通常会使用到用于承载太阳电池片的镀膜载板。在沉积诸如ITO等透明导电薄膜时，会有部分透明导电薄膜的材料沉积于镀膜载板表面，当达到一定厚度之后载板需要进行清洗以去除沉积的透明导电薄膜的材料，便于后续使用。然而，在实际的生产过程中发现，当镀膜载板初次使用、或在清洗掉表面沉积物并再投入使用之后，制备的太阳电池表面的方阻在最初始时会偏大，随着参与镀膜次数的增加，制备的太阳电池表面的方阻会逐渐减小并最终趋于稳定。这个稳定的过程需要较长的时间，在此期间太阳电池片的方阻会逐渐变化，这不利于控制产品质量的稳定性。

技术实现思路

[0005]基于此，为了降低太阳电池片在生产过程中表面的方阻趋于稳定所需的时间、以提高的产品质量的稳定性，有必要提供一种太阳电池的制备方法。
[0006]根据本专利技术的一个实施例，一种太阳电池的制备方法，其包括如下步骤：
[0007]提供镀膜载板；及
[0008]将待制备为所述太阳电池的基片置于所述镀膜载板上，于所述基片表面沉积透明导电薄膜；
[0009]其中，所述镀膜载板的制备方法包括：
[0010]在载板基材上沉积金属层，再对所述金属层进行氧化处理，形成位于所述金属层上的第一金属氧化层。
[0011]在其中一个实施例中，对所述金属层进行氧化处理的步骤包括：将沉积有所述金属层的载板基材静置于第一潮湿环境中吸附水汽，通过水汽氧化所述金属层，控制所述第二潮湿环境的湿度为30％～50％，温度为20℃～25℃。
[0012]在其中一个实施例中，在沉积所述金属层之前，还包括：将所述载板基材置于含有氧化性物质的环境中，使其表面附着氧化性物质，在附着的氧化性物质的作用下，使后续沉
积的所述金属层靠近所述载板基材的一侧表面上形成第二金属氧化层。
[0013]在其中一个实施例中，在将所述载板基材置于含有氧化性物的环境中包括：将所述载板基材置于第二潮湿环境中吸附水汽，控制所述第二潮湿环境的湿度为30％～50％，温度为20℃～25℃。
[0014]在其中一个实施例中，所述镀膜载板的制备方法还包括：于所述第一金属氧化层上沉积第一透明导电膜层。
[0015]在其中一个实施例中，在沉积所述金属层之前，于所述载板基材上沉积第二透明导电膜层。
[0016]在其中一个实施例中，在沉积所述第一透明导电膜层时，所用的靶材为氧化铟锡靶材，沉积过程中通入50sccm～100sccm流量的氧气；在沉积所述第二透明导电膜层时，所用的靶材为氧化铟锡靶材，沉积过程中通入50sccm～100sccm流量的氧气。
[0017]在其中一个实施例中，通过磁控溅射的方式沉积所述金属层，在沉积所述金属层时，控制溅射功率为8.5kW～13.5kW，控制沉积温度为120℃～150℃。
[0018]又一方面，本专利技术还提供了一种太阳电池镀膜载板，其包括：载板基材、金属层和第一金属氧化层，所述金属层设置于所述载板基材上，所述第一金属氧化层设置于所述金属层远离所述载板基材的一侧表面，所述第一金属氧化层是由所述金属层氧化所得的金属氧化层。
[0019]在其中一个实施例中，还包括第二金属氧化层，所述第二金属氧化层设置于所述金属层远离所述第一金属氧化层的一侧表面上。
[0020]在其中一个实施例中，还包括第一透明导电膜层和/或第二透明导电膜层，所述第一透明导电膜层设置于所述第一金属氧化层远离所述金属层的一侧表面上，所述第二透明导电膜层设置于所述载板基材和所述金属层之间。
[0021]在其中一个实施例中，所述第一金属氧化层、所述金属层和所述第二金属氧化层的总厚度为300nm～1000nm。
[0022]在其中一个实施例中，所述第一透明导电膜层的厚度为300nm～800nm；所述第二透明导电膜层的厚度为300nm～800nm。
[0023]在其中一个实施例中，所述金属层的材料选自铜、银和铝中的一种或多种，所述第一金属氧化层和所述第二金属氧化层的材料选自氧化铜、氧化银和氧化铝中的一种或多种。
[0024]在其中一个实施例中，所述第二透明导电膜层的厚度为300nm～800nm。
[0025]在其中一个实施例中，所述金属层的材料选自铜、银和铝中的一种或多种，所述第一金属氧化层和所述第二金属氧化层的材料选自氧化铜、氧化银和氧化铝中的一种或多种。
[0026]在其中一个实施例中，所述第一透明导电膜层的材料选自氧化铟锡和铝掺杂氧化锌中的一种或多种。
[0027]在其中一个实施例中，所述第二透明导电膜层的材料选自氧化铟锡和铝掺杂氧化锌中的一种或多种。
[0028]在其中一个实施例中，所述第一透明导电膜层和所述第二透明导电膜层的材料均选自氧化铟锡。
[0029]在其中一个实施例中，在所述第一透明导电膜层的组分中，氧化铟与氧化锡的质量比为(85～95):(5～15)；在所述第二透明导电膜层的组分中，氧化铟与氧化锡的质量比为(96～98):(2～4)。
[0030]进一步地，本专利技术的再一实施例还提供了如上述任一实施例所述的太阳电池镀膜载板在制备太阳电池中的应用。
[0031]该太阳电池的制备方法包括提供镀膜载板及在镀膜载板上于基片表面沉积透明导电薄膜。其中，镀膜载板的制备方法包括：在载板基材上沉积金属层，再对所述金属层进行氧化处理，形成位于所述金属层上的第一金属氧化层。通过在载板基材上形成金属层和第一金属氧化层，金属氧化层能够起到阻隔作用，减少空气中的水汽渗入。即使存在微量透过的水汽，也会被第一金属氧化层下的金属层吸附并反应。因此，形成的镀膜载板能够有效地减少环境因素带来的影响，使得载板对于环境变化的敏感性降低，进而在制备太阳电池片时降低其表面方阻趋于稳定所需的时间，提高的产品质量的稳定性。
[0032]实验证明，在其中至少一个实施例中，相较于使用未经特殊处理的太阳电池镀膜载板制备太阳电池，采用上述太阳电池制备方法可以取得如下有益效果：提供该镀膜载板用于制备太阳电池之后、能够使生产的太阳电池片的初始表面方阻更低、同时更快速地达到稳定值本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种太阳电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供镀膜载板；及将待制备为所述太阳电池的基片置于所述镀膜载板上，于所述基片表面沉积透明导电薄膜；其中，所述镀膜载板的制备方法包括：在载板基材上沉积金属层，再对所述金属层进行氧化处理，形成位于所述金属层上的第一金属氧化层。2.根据权利要求1所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，对所述金属层进行氧化处理的步骤包括：将沉积有所述金属层的载板基材静置于第一潮湿环境中吸附水汽，通过水汽氧化所述金属层，控制所述第二潮湿环境的湿度为30％～50％，温度为20℃～25℃。3.根据权利要求1所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，在沉积所述金属层之前，还包括：将所述载板基材置于含有氧化性物质的环境中，使其表面附着氧化性物质，在附着的氧化性物质的作用下，使后续沉积的所述金属层靠近所述载板基材的一侧表面上形成第二金属氧化层。4.根据权利要求3所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，在将所述载板基材置于含有氧化性物的环境中包括：将所述载板基材置于第二潮湿环境中吸附水汽，控制所述第二潮湿环境的湿度为30％～50％，温度为20℃～25℃。5.根据权利要求1～4任一项所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述镀膜载板的制备方法还包括：于所述第一金属氧化层上沉积第一透明导电膜层；和/或在沉积所述金属层之前，于所述载板基材上沉积第二透明导电膜层。6.根据权利要求5所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，在沉积所述第一透明导电膜层时，所用的靶材为氧化铟锡靶材，沉积过程中通入50sccm～100sccm流量的氧气；在沉积所述第二透明导电膜层时，所用的靶材为氧化铟锡靶材，沉积过程中通入50sccm～100sccm流量的氧气。7.根据权利要求1～4及6任一项所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，通过磁控溅射的方式沉积所述金属层，在沉积所述金属层时，控制溅射功率为8.5kW～13.5kW，控制沉积温度为...

【专利技术属性】
技术研发人员：薛建锋，王永洁，余义，苏世杰，
申请(专利权)人：通威太阳能安徽有限公司，
类型：发明
国别省市：