半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种半导体装置，包括：基板；电子元件，设置于该基板上；盖体，设置于该基板上并覆盖该电子元件；以及液态金属，形成于该盖体与该电子元件之间。采用这种方式可以避免在液态金属与盖体之间产生可能存在的空隙或间隙，从而使热量更高效的从电子元件、液态金属传递到盖体，提高散热效率。提高散热效率。提高散热效率。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种半导体装置及其制造方法。

技术介绍

[0002]传统的半导体装置包括基板和设置在基板上的电子元件。然而，电子元件在操作过程中不可避免地会产生热量。因此，如何将电子元件的热量散发出去，已成为业界的一项重要课题。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本专利技术提供一种半导体装置及其制造方法，以解决上述问题。
[0004]根据本专利技术的第一方面，公开一种半导体装置，包括：
[0005]基板；
[0006]电子元件，设置于该基板上；
[0007]盖体，设置于该基板上并覆盖该电子元件；以及
[0008]液态金属，形成于该盖体与该电子元件之间。
[0009]根据本专利技术的第二方面，公开一种半导体装置的制造方法，包括：
[0010]将电子元件设置在基板上；
[0011]在该基板上设置盖体以覆盖该电子元件；以及
[0012]在该盖体和该电子元件之间形成液态金属。
[0013]本专利技术的半导体装置由于包括：基板；电子元件，设置于该基板上；盖体，设置于该基板上并覆盖该电子元件；以及液态金属，形成于该盖体与该电子元件之间。采用这种方式可以避免在液态金属与盖体之间产生可能存在的空隙或间隙，从而使热量更高效的从电子元件、液态金属传递到盖体，提高散热效率。
附图说明
[0014]图1A示出了根据本专利技术实施例的半导体装置的俯视图的示意图；
[0015]图1B绘示图1A的半导体装置沿方向1B
‑
1B'的剖面图；
[0016]图1C示出了图1B的盖子(或盖板、盖体)的仰视图的示意图；以及
[0017]图2A到2E示出了图1B的半导体装置的制造制程。
具体实施方式
[0018]在下面对本专利技术的实施例的详细描述中，参考了附图，这些附图构成了本专利技术的一部分，并且在附图中通过图示的方式示出了可以实践本专利技术的特定的优选实施例。对这些实施例进行了足够详细的描述，以使本领域技术人员能够实践它们，并且应当理解，在不脱离本专利技术的精神和范围的情况下，可以利用其他实施例，并且可以进行机械，结构和程序上的改变。本专利技术。因此，以下详细描述不应被理解为限制性的，并且本专利技术的实施例的范
围仅由所附权利要求限定。
[0019]将理解的是，尽管术语“第一”、“第二”、“第三”、“主要”、“次要”等在本文中可用于描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、这些层和/或部分不应受到这些术语的限制。这些术语仅用于区分一个元件、组件、区域、层或部分与另一区域、层或部分。因此，在不脱离本专利技术构思的教导的情况下，下面讨论的第一或主要元件、组件、区域、层或部分可以称为第二或次要元件、组件、区域、层或部分。
[0020]此外，为了便于描述，本文中可以使用诸如“在...下方”、“在...之下”、“在...下”、“在...上方”、“在...之上”之类的空间相对术语，以便于描述一个元件或特征与之的关系。如图所示的另一元件或特征。除了在图中描述的方位之外，空间相对术语还意图涵盖设备在使用或运行中的不同方位。该装置可以以其他方式定向(旋转90度或以其他定向)，并且在此使用的空间相对描述语可以同样地被相应地解释。另外，还将理解的是，当“层”被称为在两层“之间”时，它可以是两层之间的唯一层，或者也可以存在一个或多个中间层。
[0021]术语“大约”、“大致”和“约”通常表示规定值的
±
20％、或所述规定值的
±
10％、或所述规定值的
±
5％、或所述规定值的
±
3％、或规定值的
±
2％、或规定值的
±
1％、或规定值的
±
0.5％的范围内。本专利技术的规定值是近似值。当没有具体描述时，所述规定值包括“大约”、“大致”和“约”的含义。本文所使用的术语仅出于描述特定实施例的目的，并不旨在限制本专利技术。如本文所使用的，单数术语“一”，“一个”和“该”也旨在包括复数形式，除非上下文另外明确指出。本文所使用的术语仅出于描述特定实施例的目的，并不旨在限制本专利技术构思。如本文所使用的，单数形式“一个”、“一种”和“该”也旨在包括复数形式，除非上下文另外明确指出。
[0022]将理解的是，当将“元件”或“层”称为在另一元件或层“上”、“连接至”、“耦接至”或“邻近”时，它可以直接在其他元件或层上、与其连接、耦接或相邻、或者可以存在中间元件或层。相反，当元件称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接至”、“直接耦接至”或“紧邻”另一元件或层时，则不存在中间元件或层。
[0023]注意：(i)在整个附图中相同的特征将由相同的附图标记表示，并且不一定在它们出现的每个附图中都进行详细描述，并且(ii)一系列附图可能显示单个项目的不同方面，每个方面都与各种参考标签相关联，这些参考标签可能会出现在整个序列中，或者可能只出现在序列的选定图中。
[0024]请参考图1A至图1C，图1A绘示依照本专利技术一个实施例的半导体装置100的俯视图，图1B绘示图1A的半导体装置100沿剖面的剖面图。图1C为图1B的盖板(或盖子、盖体)130的仰视图示意图。
[0025]半导体装置100例如是倒装芯片球栅阵列(Flip Chip Ball Grid Array，FCBGA)，例如高性能FCBGA；然而，这样的示例并不意味着限制。
[0026]如图1A和1B所示，半导体装置100包括基板110、电子元件120、盖体(或盖子、盖板)130、液态金属140、第一粘合层150、第二粘合层160、第一密封件170、第二密封件180和至少一个导电部分190。
[0027]如图1B所示，电子元件120设置于基板110上。盖体130设置于基板110上并覆盖电子元件120。液态金属140形成于盖体130与电子元件120之间。因此，电子元件120所产生的热量可通过液态金属140与盖体130散发。盖体130可以是一体成形的或一体部件，从而提高
半导体装置的机械强度和提高散热效率。
[0028]基板110例如具有单层结构或多层结构。虽然未绘示，基板110包括至少一个导电迹线、至少一个导电过孔及/或至少一个导电垫，其中导电迹线与至少一个导电过孔电性连接。在一个实施例中，基板110例如是印刷电路板(printed circuit board，PCB)、中介层(interposer)、另一个半导体装置或半导体封装。
[0029]电子元件120通过基板110与导电部(导电部分)190电连接。电子元件120例如是能够应用于(或设置在)需要大功率操作的封装的元件，例如倒装芯片BGA(Flip Chip BGA，FCBGA)、扇出(Fan
‑
out)封装或3D IC封装等。电子元件120包括至少一个导电部(导电部分)121，其中导电部121例如本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：基板；电子元件，设置于该基板上；盖体，设置于该基板上并覆盖该电子元件；以及液态金属，形成于该盖体与该电子元件之间。2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该液态金属的熔点介于60℃至70℃之间。3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该盖体包括：板体，具有面向该电子元件的第一表面；以及第一环绕部，设置于该板体上并相对于该第一表面突出；其中该液态金属形成于该板体与该电子元件之间。4.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，该第一环绕部为闭环。5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该盖体包括：板体，具有面向该电子元件的第一表面；以及至少一个柱体，设置于该板体上且相对于该第一表面突出；其中该液态金属形成在相邻的两个柱体之间。6.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，该...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨柏俊，许文松，陈泰宇，郭圣良，许家豪，
申请(专利权)人：联发科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：