填充微细结构体及输送方法技术

本发明专利技术提供一种抑制输送时的损伤、并且抑制填充不良、兼顾加工性的填充微细结构体及输送方法。填充微细结构体，其具有：第1金属部，具有配置在外缘的框架部；夹隔部，配置在由框架部包围的区域，并且具有多个细孔；及第2金属部，填充夹隔部的多个细孔，并且直接接触于框架部上。第1金属部包含选自阀金属的金属。夹隔部包含选自阀金属的金属的氧化物，并且多个细孔的平均直径为1μm以下。第2金属部的存在于框架部上的部分的厚度为2μm以上。框架部上的部分的厚度为2μm以上。框架部上的部分的厚度为2μm以上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】填充微细结构体及输送方法


[0001]本专利技术涉及一种在具有多个细孔的夹隔部填充金属的填充微细结构体及填充微细结构体的输送方法，尤其涉及一种输送性优异、并且抑制填充不良、兼顾加工性的填充微细结构体及其输送方法。

技术介绍

[0002]在绝缘基材中设置的多个贯穿孔填充金属等导电性物质而成的结构体，是近年来纳米技术中也受到关注的领域之一，例如，作为各向异性导电性部件的用途备受期待。
[0003]各向异性导电性部件插入到半导体元件等电子零件与电路基板之间，仅通过进行加压便得到电子零件与电路基板之间的电连接，因此作为半导体元件等电子零件等的电连接部件及进行功能检查时的检查用连接器等被广泛使用。
[0004]尤其，半导体元件等电子零件的小型化显著。在以往的如焊线接合那样的直接连接配线基板的方式、覆晶接合及热压接合等中，由于无法充分保证电子零件的电连接的稳定性，因此各向异性导电性部件作为电子连接部件而备受关注。
[0005]例如，专利文献1中记载了如下微细结构体的制造方法：由以1000万个/mm2以上的密度具有微孔贯穿孔的基材构成，一部分的微孔贯穿孔被基材的材料以外的物质填充。在专利文献1的微细结构体的制造方法中，基材为氧化铝，在铝基板上依次实施至少如下处理：(A)通过阳极氧化处理形成具有微孔的氧化被膜的处理；(B)从上述(A)处理中得到的氧化被膜去除铝的处理；(C)贯穿上述(B)处理中去除铝的氧化被膜中存在的微孔的一部分的处理；(D)在上述(C)处理中贯穿的微孔内填充氧化被膜以外的物质的处理；以及(E)通过化学机械研磨处理使上述(D)处理后的氧化被膜的表面及背面平滑化的表面平滑化处理。
[0006]以往技术文献
[0007]专利文献
[0008]专利文献1：日本特开2013
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167023号公报

技术实现思路

[0009]专利技术要解决的技术课题
[0010]上述专利文献1的微细结构体的制造方法中，能够得到在微孔贯穿孔被基材的材料以外的物质填充的微细结构体。如上所述，专利文献1的微细结构体的制造方法中，实施(D)在贯穿的微孔内填充氧化被膜以外的物质的处理，及(E)通过化学机械研磨处理使上述(D)处理后的氧化被膜的表面及背面平滑化的表面平滑化，但有时不连续进行上述(D)、上述(E)的处理，而是在上述(D)之后，例如通过输送等，在经过规定时间之后实施上述(E)。在该情况下，可能会在输送时损伤填充部或微孔。并且，为了抑制输送时损伤填充部或微孔而使填充部变厚时，由于研磨处理，表面平滑化工序耗费时间，加工性劣化。为了提高加工性而使填充部变薄时，向微孔的填充可能不充分，有可能产生填充不良。此外，如上所述，输送时填充部或微孔有损伤的可能性，如此，目前不存在抑制输送时的损伤、并且抑制填充不
良、兼顾加工性的填充微细结构体及输送方法。
[0011]本专利技术的目的在于提供一种抑制输送时的损伤、并且抑制填充不良、兼顾加工性的填充微细结构体及输送方法。
[0012]用于解决技术课题的手段
[0013]为了实现上述目的，本专利技术的一方式提供一种填充微细结构体，其具有：第1金属部，其具有配置在外缘的框架部；夹隔部，其配置在由框架部包围的区域，并且具有多个细孔；及第2金属部，其填充夹隔部的多个细孔，并且直接接触于框架部上。第1金属部包含选自阀金属的金属，夹隔部包含选自阀金属的金属的氧化物，并且多个细孔的平均直径为1μm以下，第2金属部的存在于框架部上的部分的厚度为2μm以上。
[0014]优选所述第2金属部的存在于框架部上的部分的厚度为100um以下。
[0015]优选第1金属部由铝构成，夹隔部由铝的阳极氧化膜构成。
[0016]优选第2金属部由铜构成。
[0017]本专利技术的另一方式提供一种输送方法，其中，对于填充微细结构体，在第2金属部上设置保护层，并层叠来进行输送。
[0018]专利技术效果
[0019]根据本专利技术，能够获得抑制输送时的损伤、并且抑制填充不良、兼顾加工性的填充微细结构体。并且，能够获得输送时抑制了损伤等输送方法。
附图说明
[0020]图1是表示本专利技术的实施方式的填充微细结构体的一例的示意性平面图。
[0021]图2是表示本专利技术的实施方式的填充微细结构体的一例的示意性剖视图。
[0022]图3是表示本专利技术的实施方式的填充微细结构体的制造方法的第1例的一工序的示意性剖视图。
[0023]图4是表示本专利技术的实施方式的填充微细结构体的制造方法的第1例的一工序的示意性剖视图。
[0024]图5是表示本专利技术的实施方式的填充微细结构体的制造方法的第1例的一工序的示意性剖视图。
[0025]图6是表示本专利技术的实施方式的填充微细结构体的制造方法的第1例的一工序的示意性剖视图。
[0026]图7是表示本专利技术的实施方式的填充微细结构体的制造方法的第1例的一工序的示意性剖视图。
[0027]图8是表示本专利技术的实施方式的填充微细结构体的制造方法的第1例的一工序的示意性剖视图。
[0028]图9是图7所示的结构体的平面图。
[0029]图10是放大表示图9所示的结构体的区域Q的示意性平面图。
[0030]图11是放大表示图9所示的结构体的区域Q的示意性剖视图。
[0031]图12是表示本专利技术的实施方式的填充微细结构体的制造方法的第2例的一工序的示意性剖视图。
[0032]图13是表示本专利技术的实施方式的填充微细结构体的制造方法的第2例的一工序的
示意性剖视图。
[0033]图14是表示本专利技术的实施方式的填充微细结构体的制造方法的第2例的一工序的示意性剖视图。
[0034]图15是表示本专利技术的实施方式的填充微细结构体的制造方法的第2例的一工序的示意性剖视图。
[0035]图16是表示本专利技术的实施方式的填充微细结构体的制造方法的第2例的一工序的示意性剖视图。
[0036]图17是表示本专利技术的实施方式的填充微细结构体的制造方法的第3例的一工序的示意性剖视图。
[0037]图18是表示本专利技术的实施方式的填充微细结构体的制造方法的第3例的一工序的示意性剖视图。
[0038]图19是表示本专利技术的实施方式的填充微细结构体的制造方法的第3例的一工序的示意性剖视图。
[0039]图20是表示本专利技术的实施方式的填充微细结构体的制造方法的第3例的一工序的示意性剖视图。
[0040]图21是表示本专利技术的实施方式的填充微细结构体的制造方法的第3例的一工序的示意性剖视图。
[0041]图22是表示本专利技术的实施方式的填充微细结构体的制造方法的第4例的一工序的示意性剖视图。
[0042]图23是表示本专利技术的实施方式的填充微细结构体的制造方法的第4例的一工序的示意性剖视图。
[0043]图24是表示本专利技术的实施方式的填充微细结构体的制造方法的第4例的一工序的示意性剖视图。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种填充微细结构体，其具有：第1金属部，其具有配置在外缘的框架部；夹隔部，其配置在由所述框架部包围的区域，并且具有多个细孔；及第2金属部，其填充所述夹隔部的所述多个细孔，并且直接接触于所述框架部上，所述第1金属部包含选自阀金属的金属，所述夹隔部包含选自所述阀金属的所述金属的氧化物，并且所述多个细孔的平均直径为1μm以下，所述第2金属部的存在于所述框架部上的部分的厚度为2μm以上。2.根据权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：堀田吉则，
申请(专利权)人：富士胶片株式会社，
类型：发明
国别省市：