供电控制装置制造方法及图纸

在供电控制装置(10)中，在从正极端子(Tp)向负极端子(Tn)流动的电流的电流路径中，配置N沟道型的第一FET(20a)及第二FET(20b)。关于第一FET(20a)，漏极配置在源极的下游侧。关于第二FET(20b)，漏极配置在源极的上游侧。在负极端子Tn连接第一二极管(26)的阴极。第一驱动电路(21a)及第二驱动电路(21b)通过调整基准电位为第一二极管(26)的阴极的电位的第一FET(20a)及第二FET(20b)的栅极而将第一FET(20a)及第二FET(20b)切换为接通或断开。及第二FET(20b)切换为接通或断开。及第二FET(20b)切换为接通或断开。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】供电控制装置


[0001]本公开涉及供电控制装置。
[0002]本申请主张基于在2020年3月16日提出申请的日本申请第2020
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045529号的优先权，并援引所述日本申请记载的全部的记载内容。

技术介绍

[0003]专利文献1公开了控制从能够拆装地连接于第一端子与第二端子之间的直流电源向负载的供电的车辆用的供电控制装置。在直流电源的正极及负极分别连接于第一端子及第二端子的情况下，直流电源的连接为正常连接。在直流电源的正极及负极分别连接于第二端子及第一端子的情况下，直流电源的连接为反向连接。使用者可能会进行错误的直流电源的连接，即反向连接。
[0004]在专利文献1记载的供电控制装置中，在从第一端子向第二端子流动的电流的电流路径配置两个N沟道型的FET(Metal Oxide Semicon ductor Field Effect Transistor)。关于一个FET，在电流路径中，漏极配置在源极的下游侧。关于另一个FET，在电流路径中，漏极配置在源极的上游侧。通过调整两个FET的栅极的电压，来调整漏极与源极间的电阻值。通过将两个FET的电阻值调整成充分小的值而将两个FET切换为接通。通过将两个FET的电阻值调整成充分大的值而将两个FET切换为断开。
[0005]在两个FET中分别形成阴极及阳极分别连接于漏极及源极的寄生二极管。在专利文献1记载的供电控制装置中，两个寄生二极管的阴极相互连接。因此，在直流电源的连接为反向连接的情况下，只要两个FET为断开，电流就不会从第二端子向第一端子流动。
[0006]在先技术文献
[0007]专利文献
[0008]专利文献1：日本特开2007
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82374号公报

技术实现思路

[0009]本公开的一形态的供电控制装置控制从能够拆装地连接于第一端子与第二端子之间的直流电源向负载的供电，其中，所述供电控制装置具备：N沟道型的第一FET，在从所述第一端子向所述第二端子流动的电流的电流路径中，该第一FET的漏极配置在该第一FET的源极的下游侧；N沟道型的第二FET，在所述电流路径中，该第二FET的漏极配置在该第二FET的源极的上游侧；二极管，该二极管的阴极连接于所述第二端子；及切换电路，通过调整所述第一FET及第二FET的栅极的电压而将所述第一FET及第二FET切换为接通或断开，所述第一FET及第二FET的栅极的电压的基准电位为所述二极管的阳极的电位，分别对于所述第一FET及第二FET形成有在漏极及源极分别连接阴极及阳极的寄生二极管。
附图说明
[0010]图1是表示实施方式1中的电源系统的主要部分结构的框图。
[0011]图2是用于说明第一FET的动作的时间图。
[0012]图3是用于说明第一FET及第二FET的切换的时间的时间图。
[0013]图4是第一驱动电路及第二驱动电路的电路图。
[0014]图5是第一二极管的效果的说明图。
[0015]图6是表示实施方式2中的电源系统的主要部分结构的框图。
[0016]图7是表示实施方式3中的电源系统的主要部分结构的框图。
[0017]图8是表示实施方式4中的电源系统的主要部分结构的框图。
[0018]图9是第一驱动电路及第二驱动电路的电路图。
[0019]图10是表示实施方式5中的电源系统的主要部分结构的框图。
具体实施方式
[0020][本公开要解决的课题][0021]在专利文献1记载的供电控制装置中，在直流电源的连接为反向连接的情况下，未向将两个FET切换为接通或断开的切换电路供给电力，切换电路不工作。然而，切换电路对基准电位为第二端子的电位的两个栅极的电压进行调整。因此，切换电路连接于第二端子。在直流电源为反向连接的情况下，直流电源的电压可能会经由切换电路向两个FET的栅极施加。
[0022]在向两个FET的栅极施加直流电源的电压的情况下，关于两个FET由于漏极与源极间的电阻值下降，因此电流可能会从第二端子经由负载向第一端子流动。在该情况下，负载可能会进行不适当的动作。
[0023]因此，目的在于提供一种在直流电源的正极及负极连接于第二端子及第一端子的情况下，直流电源的电压不会经由切换电路向两个FET的栅极施加的供电控制装置。
[0024][本公开的效果][0025]根据本公开，在直流电源的正极及负极连接于第二端子及第一端子的情况下，直流电源的电压不会经由切换电路向第一EFT及第二FET的栅极施加。
[0026][本公开的实施方式的说明][0027]首先，列举本公开的实施形态进行说明。也可以将以下记载的实施方式的至少一部分任意组合。
[0028](1)本公开的一形态的供电控制装置控制从能够拆装地连接于第一端子与第二端子之间的直流电源向负载的供电，其中，所述供电控制装置具备：N沟道型的第一FET，在从所述第一端子向所述第二端子流动的电流的电流路径中，该第一FET的漏极配置在该第一FET的源极的下游侧；N沟道型的第二FET，在所述电流路径中，该第二FET的漏极配置在该第二FET的源极的上游侧；二极管，该二极管的阴极连接于所述第二端子；及切换电路，通过调整所述第一FET及第二FET的栅极的电压，而将所述第一FET及第二FET切换为接通或断开，所述第一FET及第二FET的栅极的电压的基准电位为所述二极管的阳极的电位，分别对于所述第一FET及第二FET形成有在漏极及源极分别连接阴极及阳极的寄生二极管。
[0029]在上述的形态中，在第二端子连接二极管的阴极。切换电路调整基准电位为二极管的阳极的电位的电压，因此切换电路连接于二极管的阳极。因此，在直流电源的正极及负极分别连接于第二端子及第一端子的情况下，直流电源的电压不会经由切换电路向第一
FET及第二FET的栅极施加。
[0030](2)本公开的一形态的供电控制装置具备第二二极管，该第二二极管的阴极及阳极分别连接于所述第一端子及所述二极管的阳极。
[0031]在上述的形态中，在第一端子及二极管的阳极分别连接第二二极管的阴极及阳极。因此，即使在直流电源的正极及负极分别连接于第一端子及第二端子的情况下，直流电源的负极与二极管的阳极之间的电压也稳定。
[0032](3)本公开的一形态的供电控制装置具备开关，该开关连接于所述第一端子与所述二极管的阳极之间，所述开关在所述直流电源的正极及负极分别连接于所述第一端子及第二端子的情况下断开，在所述直流电源的负极及正极分别连接于所述第一端子及第二端子的情况下接通。
[0033]在上述的形态中，在直流电源的正极及负极分别连接于第一端子及第二端子的情况下，开关为接通。因此，即使在直流电源的正极及负极分别连接于第一端子及第二端子的情况下，基准电位为直流电源的负极的电位的二极管的阳极的电压也稳定。
[0034](4)在本公开的一形态的供电控制装置中，所述开关是在控制端的电压为规定电压以上的情况下接通的半导本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种供电控制装置，控制从能够拆装地连接于第一端子与第二端子之间的直流电源向负载的供电，其中，所述供电控制装置具备：N沟道型的第一FET，在从所述第一端子向所述第二端子流动的电流的电流路径中，该第一FET的漏极配置在该第一FET的源极的下游侧；N沟道型的第二FET，在所述电流路径中，该第二FET的漏极配置在该第二FET的源极的上游侧；二极管，该二极管的阴极连接于所述第二端子；及切换电路，通过调整所述第一FET及第二FET的栅极的电压，而将所述第一FET及第二FET切换为接通或断开，所述第一FET及第二FET的栅极的电压的基准电位为所述二极管的阳极的电位，分别对于所述第一FET及第二FET形成有在漏极及源极分别连接阴极及阳极的寄生二极管。2.根据权利要求1所述的供电控制装置，其中，所述供电控制装置具备第二二极管，该第二二极管的阴极及阳极分别连接于所述第一端子及所述二极管的阳极。3.根据权利要求1所述的供电控制装置，其中，所述供电控制装置具备开关，该开关连接于所述第一端子与所述二极管的阳极之间，所述开关在所述直流电源的正极及负极分别连接于所述第一端子及第二端子的情况下断开，在所述直流电源的负极及正极分别连接于所述第一端子及第二端子的情况下...

【专利技术属性】
技术研发人员：中口真之介，小田康太，
申请(专利权)人：住友电装株式会社住友电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：