多工器制造技术

技术编号:35254931 阅读:29 留言:0更新日期:2022-10-19 10:10
抑制IMD的产生。若在各滤波器(3)中将特定的谐振器(4A)的等效电路中包含等效电阻、等效电感器及等效电容的串联电路流过的电流设为声路径电流,则在将第1发送带内的频率下的第1发送滤波器(31)的公共端子(2)侧的声路径电流的相位设为θ1

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】多工器


[0001]本专利技术总体上涉及多工器,更详细地,涉及具备发送滤波器和接收滤波器的多工器。

技术介绍

[0002]以往,已知有具备多个频段的发送滤波器以及接收滤波器的多工器(例如,参照专利文献1)。
[0003]在专利文献1记载的多工器具备频带不同的多个滤波器(第1发送滤波器、第1接收滤波器、第2发送滤波器以及第2接收滤波器)。第1发送滤波器、第1接收滤波器、第2发送滤波器以及第2接收滤波器连接于与天线连接的公共端子。第1发送滤波器例如是将LTE(Long Term Evolution,长期演进)标准的Band3的发送带(1710MHz

1785MHz)作为通带的发送滤波器。第1接收滤波器例如是将Band3的接收带(1805MHz

1880MHz)作为通带的接收滤波器。第2发送滤波器例如是将Band1的发送带(1920MHz

1980MHz)作为通带的发送滤波器。第2接收滤波器例如是将Band1的接收带(2110MHz一2170MHz)作为通带的接收滤波器。第1接收滤波器的通带的中心频率处于第1发送滤波器的通带的中心频率与第2发送滤波器的中心频率之间。多个滤波器各自由具有并联臂谐振器和串联臂谐振器的梯型滤波器构成。
[0004]在先技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1:国际公开第2018/123545号

技术实现思路

[0007]专利技术要解决的问题
[0008]具备在专利文献1记载的多工器的通信装置能够应对在上行链路中同时使用两个频带的载波聚合(双上行链路载波聚合)。然而,在通信装置中,若使用在专利文献1记载的多工器来进行同时发送频带不同的两个信号的双上行链路载波聚合,则担心会产生IMD(Intermodulation Distortion,交调失真)而使接收滤波器的接收灵敏度劣化。
[0009]本专利技术的目的在于,提供一种能够抑制IMD的产生的多工器。
[0010]用于解决问题的技术方案
[0011]本专利技术的一个方式涉及的多工器具备公共端子和多个滤波器。所述多个滤波器与所述公共端子连接。所述多个滤波器各自具有多个谐振器。所述多个滤波器包含第1发送滤波器、第2发送滤波器、以及第1接收滤波器。所述第1发送滤波器具有包含第1发送带的通带。所述第2发送滤波器具有包含与所述第1发送带不同的第2发送带的通带。所述第1接收滤波器具有包含第1接收带的通带。所述第1接收带的中心频率处于所述第1发送带的中心频率与所述第2发送带的中心频率之间。在所述多工器中,在所述多个滤波器各自中将所述多个谐振器之中特定的谐振器的等效电路用等效电阻、等效电感器及等效电容的串联电路、和阻尼电容的并联电路表示时,若将流过所述串联电路的电流设为声路径电流,则在将
所述第1发送带内的频率下的所述第1发送滤波器的所述公共端子侧的声路径电流的相位设为θ1
Tx
,将所述第2发送带内的频率下的所述第1发送滤波器的所述公共端子侧的声路径电流的相位设为θ2
Tx
,将所述第1发送带内的频率下的所述第1接收滤波器的所述公共端子侧的声路径电流的相位设为θ1
Rx
,将所述第2发送带内的频率下的所述第1接收滤波器的所述公共端子侧的声路径电流的相位设为θ2
Rx
的情况下,所述多工器满足第1条件或第2条件。所述第1条件是如下的条件:|(2
·
θ1
Tx

θ2
Tx
)

(2
·
θ1
Rx

θ2
Rx
)|=180
°±
90
°
。所述第2条件是如下的条件:|(2
·
θ2
Tx

θ1
Tx
)

(2
·
θ2
Rx

θ1
Rx
)|=180
°±
90
°

[0012]本专利技术的一个方式涉及的多工器具备公共端子和多个滤波器。所述多个滤波器与所述公共端子连接。所述多个滤波器各自具有多个谐振器。所述多个滤波器包含第1发送滤波器、第2发送滤波器、以及第1接收滤波器。所述第1发送滤波器具有包含第1发送带的通带。所述第2发送滤波器具有包含与所述第1发送带不同的第2发送带的通带。所述第1接收滤波器具有包含第1接收带的通带。所述第1接收带的中心频率处于所述第1发送带的中心频率与所述第2发送带的中心频率之间。在所述多个滤波器各自中,将所述多个谐振器之中最靠近所述公共端子的谐振器设为特定的谐振器。所述第1发送滤波器、所述第2发送滤波器以及所述第1接收滤波器各自为梯型滤波器,并作为所述多个谐振器而包含多个串联臂谐振器和多个并联臂谐振器。关于所述第1发送滤波器以及所述第2发送滤波器中的一者和所述第1接收滤波器,在具有相对高的通带的中心频率的滤波器中,所述特定的谐振器是所述多个并联臂谐振器中的一个并联臂谐振器,在具有相对低的通带的中心频率的滤波器中,所述特定的谐振器是所述多个串联臂谐振器中的一个串联臂谐振器。在所述多工器中,所述第1发送滤波器以及所述第2发送滤波器中的一者的所述特定的谐振器的阻尼电容的电容大于所述第1接收滤波器的所述特定的谐振器的阻尼电容的电容。或者,在所述多工器中,所述第1发送滤波器以及所述第2发送滤波器中的一者的所述特定的谐振器的面积大于所述第1接收滤波器的所述特定的谐振器的面积。或者,在所述多工器中,包含于所述第1发送滤波器以及所述第2发送滤波器中的一者的所述特定的谐振器且串联连接的多个分割谐振器的数量比包含于所述第1接收滤波器的所述特定的谐振器且串联连接的多个分割谐振器的数量多。或者,在所述多工器中,所述第1发送滤波器的所述多个谐振器各自具有IDT电极,并且所述第1接收滤波器的所述多个谐振器各自具有IDT电极,所述第1发送滤波器的所述特定的谐振器的IDT电极的占空比与所述第1接收滤波器的所述特定的谐振器的IDT电极的占空比不同。或者,在所述多工器中,所述第1发送滤波器的所述多个谐振器各自具有IDT电极,并且所述第1接收滤波器的所述多个谐振器各自具有IDT电极,所述第1发送滤波器的所述特定的谐振器中的IDT电极的厚度小于所述第1接收滤波器的所述特定的谐振器中的IDT电极的厚度。或者,在所述多工器中,所述第1发送滤波器的所述多个谐振器各自具有IDT电极,并且所述第1接收滤波器的所述多个谐振器各自具有IDT电极,所述第1发送滤波器的所述特定的谐振器的所述IDT电极是多晶金属电极,所述第1接收滤波器的所述特定的谐振器的所述IDT电极是金属的外延层电极。或者,在所述多工器中,所述第1发送滤波器的所述多个谐振器各自具有IDT电极,并且所述第1接收滤波器的所述多个谐振器各自具有IDT电极,所述第1发送滤波器的所述特定的谐振器的所述IDT电极的材本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种多工器,具备:公共端子;以及多个滤波器,与所述公共端子连接,并分别具有多个谐振器,其中,所述多个滤波器包含:第1发送滤波器,具有包含第1发送带的通带;第2发送滤波器,具有包含与所述第1发送带不同的第2发送带的通带;以及第1接收滤波器,具有包含第1接收带的通带,所述第1接收带的中心频率处于所述第1发送带的中心频率与所述第2发送带的中心频率之间,在所述多个滤波器各自中将所述多个谐振器之中特定的谐振器的等效电路用等效电阻、等效电感器及等效电容的串联电路、和阻尼电容的并联电路表示时,若将流过所述串联电路的电流设为声路径电流,则在将所述第1发送带内的频率下的所述第1发送滤波器的所述公共端子侧的声路径电流的相位设为θ1
Tx
,将所述第2发送带内的频率下的所述第1发送滤波器的所述公共端子侧的声路径电流的相位设为θ2
Tx
,将所述第1发送带内的频率下的所述第1接收滤波器的所述公共端子侧的声路径电流的相位设为θ1
Rx
,将所述第2发送带内的频率下的所述第1接收滤波器的所述公共端子侧的声路径电流的相位设为θ2
Rx
的情况下,所述多工器满足第1条件或第2条件,所述第1条件是如下的条件:|(2
·
θ1
Tx

θ2
Tx
)

(2
·
θ1
Rx

θ2
Rx
)|=180
°±
90
°
,所述第2条件是如下的条件:|(2
·
θ2
Tx

θl
Tx
)

(2
·
θ2
Rx

θl
Rx
)|=180
°±
90
°
。2.根据权利要求1所述的多工器,其中,所述多个滤波器还包含:第2接收滤波器,具有包含与所述第1接收带不同的第2接收带的通带,所述第2接收带包含:从所述第1发送带内的频率的2倍的频率减去所述第2发送带内的频率而求出的频率;或者,从所述第2发送带内的频率的2倍的频率减去所述第1发送带内的频率而求出的频率。3.根据权利要求2所述的多工器,其中,关于所述第1发送滤波器,将所述第1发送带内的频率下的所述第1发送滤波器的所述公共端子侧的声路径电流的密度设为I1
TX1
,将所述第2发送带内的频率下的所述第1发送滤波器的所述公共端子侧的声路径电流的密度设为I2
TX1
,将所述第1发送滤波器中的所述特定的谐振器的阻尼电容的电容设为C0
TX1
,关于所述第2发送滤波器,将所述第1发送带内的频率下的所述第2发送滤波器的所述公共端子侧的声路径电流
的密度设为I1
TX2
,将所述第2发送带内的频率下的所述第2发送滤波器的所述公共端子侧的声路径电流的密度设为I2
TX2
,将所述第2发送滤波器中的所述特定的谐振器的阻尼电容的电容设为C0
TX2
,关于所述第1接收滤波器,将所述第1发送带内的频率下的所述第1接收滤波器的所述公共端子侧的声路径电流的密度设为I1
RX1
,将所述第2发送带内的频率下的所述第1接收滤波器的所述公共端子侧的声路径电流的密度设为I2
RX1
,将所述第1接收滤波器中的所述特定的谐振器的阻尼电容的电容设为C0
RX1
,关于所述第2接收滤波器,将所述第1发送带内的频率下的所述第2接收滤波器的所述公共端子侧的声路径电流的密度设为I1
RX2
,将所述第2发送带内的频率下的所述第2接收滤波器的所述公共端子侧的声路径电流的密度设为I2
RX2
,将所述第2接收滤波器中的所述特定的谐振器的阻尼电容的电容设为C0
RX2
,在该情况下,所述多工器满足第3条件、第4条件、第5条件以及第6条件,所述第3条件是如下的条件:(I1
Tx1
)2·
(I2
Tx1
)
·
C0
Tx1
>(I1
Tx2
)2·
(I2
Tx2
)
·
C0
Tx2
,所述第4条件是如下的条件:(I1
Tx1
)2·
(I2
Tx1
)
·
C0
Tx1
>(I1
Rx2
)2·
(I2
Rx2
)
·
C0
Rx2
,所述第5条件是如下的条件:(I1
Rx1
)2·
(I2
Rx1
)
·
C0
Rx1
>(I1
Tx2
)2·
(I2
Tx2
)
·
C0
Tx2
,所述第6条件是如下的条件:(I1
Rx1
)2·
(I2
Rx1
)
·
C0
Rx1
>(I1
Rx2
)2·
(I2
Rx2
)
·
C0
Rx2
。4.根据权利要求3所述的多工器,其中,在所述多个滤波器各自中,所述多个谐振器之中所述特定的谐振器是最靠近所述公共端子的谐振器,所述I1
Tx1
是在所述第1发送滤波器的所述特定的谐振器中在所述第1发送带内的频率下流过的声路径电流的密度,所述I2
Tx1
是在所述第1发送滤波器的所述特定的谐振器中在所述第2发送带内的频率下流过的声路径电流的密度,所述I1
Rx1
是在所述第1接收滤波器的所述特定的谐振器中在所述第1发送带内的频率下流过的声路径电流的密度,所述I2
Rx1
是在所述第1接收滤波器的所述特定的谐振器中在所述第2发送带内的频率下流过的声路径电流的密度,在所述多工器中,(I1
Tx1
)2·
(I2
Tx1
)
·
C0
Tx1
是(I1
Rx2
)2·

【专利技术属性】
技术研发人员:谷口康政野阪浩司中川亮
申请(专利权)人:株式会社村田制作所
类型:发明
国别省市:

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