一种自适应内外参考切换电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种自适应内外参考切换电路，包括电阻R1

【技术实现步骤摘要】
一种自适应内外参考切换电路


[0001]本技术涉及电路设计
，具体为一种自适应内外参考切换电路。

技术介绍

[0002]随着微波技术的发展，特别是雷达系统的发展，促进了各种微波组件的发展，作为各种雷达系统核心部件的频率源模块，为雷达系统各模块产生所需的参考时钟信号。内外参考切换电路在频率源模块中应用广泛，内参考时钟信号由模块内部晶振产生，外参考时钟信号由外部信号源提供。内外参考切换设计现有两种方案，一种是锁相环的方案，另一种是开关控制的方案。锁相环方案是外参考信号输入锁相电路，利用内外参考两个时钟信号的相位误差，通过鉴相来实现输出信号对输入信号的锁定和跟踪，从而实现时钟同步。但是此方案电路复杂，输入信号功率要求较高，灵活性不足。另一种开关控制是由上位机通过控制开关的导通通道，来选择内、外参考，不能自动识别参考信号。

技术实现思路

[0003]本技术的目的在于提供一种自适应内外参考切换电路，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0004]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：
[0005]一种自适应内外参考切换电路，包括电阻R1
‑
R16、电容C1
‑
C20、电感L1、门电路U1,U2、MOS管Q1、三极管Q2、开关N1、晶振N2、功分器N3、检波器N4、运放N5，电阻R1
‑
R16为负载，电容C1
‑
C4为隔直电容。
[0006]作为优选，MOS管Q1为PMOS管，MOS管Q1接直流供电设备电源输出的正端和晶振供电正端之间。
[0007]作为优选，三极管Q2为NPN型三极管。
[0008]作为优选，开关N1为单刀双掷开关。
[0009]作为优选，晶振N2为抗振晶振，为耗电负载。
[0010]作为优选，功分器N3为低插损射频功分器。
[0011]作为优选，检波器N4为均值响应功率检波器。
[0012]作为优选，运放N5为轨到轨FET运算放大器。
[0013]作为优选，逻辑门U1,U2分别为单与门和单非门，组成开关控制电路，单端转双端设计，为开关N1提供控制电平。
[0014]作为优选，L1电感,C5电容，C6电容检波器外围匹配电路。
[0015]与现有技术相比，本技术的有益效果是：本自适应内外参考切换电路采用单刀双掷开关、功分器、检波器等进行设计，通过晶振电源控制电路、开关控制电路和检波电路自适应内外参考切换。该电路无需可编程器件的额外干预可以自动控制切换内外参考时钟信号，成本低，电路简洁可靠。
附图说明
[0016]图1是本技术电路原理图。
具体实施方式
[0017]下面将结合本技术实施例，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0018]实施例1
[0019]一种自适应内外参考切换电路，如图1所示，包括电阻R1
‑
R16、电容C1
‑
C20、电感L1、门电路U1,U2、MOS管Q1、三极管Q2、开关N1、晶振N2、功分器N3、检波器N4、运放N5，电阻R1
‑
R16为负载，电容C1
‑
C4为隔直电容，门电路U1型号为SN74AHC1G08DBVT,U2型号为SN74AHC1G04DBVT，MOS管Q1型号为IRFR/U5305、三极管Q2型号为MMBT9013、开关N1型号为HMC194MS8、晶振N2型号为OXK58D
‑
S
‑
GT
‑
N@100MC、功分器N3型号为SBTC
‑2‑
10+、检波器N4型号为AD8361ART、运放N5型号为AD820AR，采用单刀双掷开关、功分器、检波器等进行设计，通过晶振电源控制电路、开关控制电路和检波电路自适应内外参考切换。该电路无需可编程器件的额外干预可以自动控制切换内外参考时钟信号，成本低，电路简洁可靠，外参考输入信号给功分器，功分器N3为低插损射频功分器，其中一路输出参考信号给检波器，另一路给开关。检波器N4为均值响应功率检波器，输出检波电压，给运算放大器进行比较。运放N5为轨到轨FET运算放大器，输出检波电平比较控制电路的比较电压。电压分别给三极管Q2和逻辑门U1,U2分别为单与门和单非门。组成开关控制电路，单端转双端设计，为开关N1提供控制电平。三极管Q2为NPN型三极管，接检波电平比较控制电路的输出比较电压给基极，集电极接地，发射级给MOS管。MOS管Q1为PMOS管，接直流供电设备电源输出的正端和晶振供电正端之间。晶振N2为抗振晶振，输出内参考时钟信号给开关。
[0020]进一步的，MOS管Q1为PMOS管，MOS管Q1接直流供电设备电源输出的正端和晶振供电正端之间，控制晶振电源的打开与关断。
[0021]具体的，三极管Q2为NPN型三极管，接检波电平比较控制电路的输出比较电压给基极，集电极接地，发射级给MOS管，开关N1为单刀双掷开关，由开关控制电路自适应切换内外参考信号，晶振N2为抗振晶振，为耗电负载，输出内参考时钟信号给开关，可以使用恒温晶振替换，其原理不变，功分器N3为低插损射频功分器，其中一路输出参考信号给检波器，另一路给开关。
[0022]此外，检波器N4为均值响应功率检波器，输出检波电压，给运算放大器进行比较，运放N5为轨到轨FET运算放大器，输出检波电平比较控制电路的比较电压。
[0023]值得说明的是，逻辑门U1,U2分别为单与门和单非门，组成开关控制电路，单端转双端设计，为开关N1提供控制电平，L1电感,C5电容，C6电容检波器外围匹配电路。
[0024]本技术的自适应内外参考切换电路的工作原理：外参考输入信号经过功分后，其中一路信号给检波器，检波器的输出检波电压经运放放大比较后给晶振电源控制电路和开关控制电路。当外参考输入信号＞+6dBm时，晶振电源控制电路关断，晶振断电，开关RF2
‑
RF导通，外参考输入信号经功分、单刀双掷开关后输出。当外参考输入信号≤+6dBm时，
晶振电源控制电路打开，晶振供电，开关RF1
‑
RF导通，内参考信号(晶振输出信号)经开关后输出。实现自动控制切换内外参考时钟信号。
[0025]以上显示和描述了本技术的基本原理、主要特征和本技术的优点。本行业的技术人员应该了解，本技术不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的仅为本技术的优选例，并不用来限制本技术，在不脱离本技术精神和范围的前提下，本技术还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本技术范围内。本技术要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种自适应内外参考切换电路，其特征在于：包括电阻R1
‑
R16、电容C1
‑
C20、电感L1、门电路U1,U2、MOS管Q1、三极管Q2、开关N1、晶振N2、功分器N3、检波器N4、运放N5，电阻R1
‑
R16为负载，电容C1
‑
C4为隔直电容。2.根据权利要求1所述的自适应内外参考切换电路，其特征在于：MOS管Q1为PMOS管，MOS管Q1接直流供电设备电源输出的正端和晶振供电正端之间。3.根据权利要求1所述的自适应内外参考切换电路，其特征在于：三极管Q2为NPN型三极管。4.根据权利要求1所述的自适应内外参考切换电路，其特征在于：开关N1为单...

【专利技术属性】
技术研发人员：张亚朋，王风彬，杜敬哲，
申请(专利权)人：河北军澍电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：