一种发光器件和发光装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种发光器件和发光装置。发光器件包括：基板、有机发光层、第一电极层和第二电极层；有机发光层、第一电极层和第二电极层层叠设置于基板上，有机发光层位于第一电极层和第二电极层之间，第一电极层对光产生半反半透作用，第二电极层对光产生反射作用；其中，第一电极层包括金属掺杂层，金属掺杂层覆盖有机发光层；金属掺杂层包括金属银和金属掺杂材料；金属掺杂材料用于抑制金属掺杂层中的银原子发生聚集，以促使金属掺杂层均匀成膜。据此，改善了电极中银薄层的聚集现象，提高了器件可靠性。靠性。靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种发光器件和发光装置


[0001]本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种发光器件和发光装置。

技术介绍

[0002]OLED(Organic Light Emitting Diodes，有机发光二极管)发光器件是指有机半导体材料和发光材料在电场驱动下，通过载流子注入和复合可以发光的器件。根据这种发光原理而制成的显示器或照明产品被称为有机发光显示器或有机发光照明器件。
[0003]目前相关技术中的OLED产品多采用ITO/Ag/ITO(即ITO层、Ag和ITO层依次层叠)结构的阳极，同时选择顶发光的方式以提高开口率。此类方案对屏体封装性能的要求很高，很多厂商无法满足此要求而采用底发光的方式，这就要求ITO/Ag/ITO电极中的Ag层要足够薄以满足出光的需求。然而，Ag薄层在高温环境下不稳定，易产生聚集使屏体的性能降低，减少产品的使用寿命。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供了一种发光器件和发光装置，以改善电极中银薄层的聚集现象，提高器件可靠性。
[0005]根据本专利技术的一方面，提供了一种发光器件，包括：基板、有机发光层、第一电极层和第二电极层；所述有机发光层、所述第一电极层和所述第二电极层层叠设置于所述基板上，所述有机发光层位于所述第一电极层和所述第二电极层之间，所述第一电极层对光产生半反半透作用，所述第二电极层对光产生反射作用；其中，所述第一电极层包括金属掺杂层，所述金属掺杂层覆盖所述有机发光层；所述金属掺杂层包括金属银和金属掺杂材料，所述金属掺杂材料用于抑制所述金属掺杂层中的银原子发生聚集，以促使所述金属掺杂层均匀成膜。
[0006]可选地，所述第一电极层还包括第一透明导电层；所述第一透明导电层位于所述金属掺杂层远离所述有机发光层的一侧。
[0007]可选地，所述第一电极层还包括第二透明导电层；所述第二透明导电层位于所述金属掺杂层靠近所述有机发光层的一侧。
[0008]可选地，所述金属掺杂层中，所述金属掺杂材料和所述金属银的比例为20:1至1:20。
[0009]可选地，所述金属掺杂材料和所述金属银的比例为5:1至1:5。
[0010]可选地，所述金属掺杂层的厚度为15nm至25nm。
[0011]可选地，所述金属掺杂材料包括金、铜、镁、镍、铝、锌和钛中的至少一种。
[0012]可选地，所述发光器件包括至少一个子像素；所述子像素对应的所述有机发光层的厚度为基础厚度与补偿厚度之和；
[0013]其中，所述子像素对应的所述有机发光层的基础厚度为m为波的级数，λ为所
述子像素对应的所述有机发光层的发光波长，n为所述子像素对应的所述有机发光层的折射率；所述子像素对应的所述有机发光层的补偿厚度为ω为所述金属掺杂层中所述金属掺杂材料的质量分数。
[0014]可选地，所述发光器件包括至少一个子像素；所述子像素对应的所述第二透明导电层和所述有机发光层的总厚度为总基础厚度与总补偿厚度之和；
[0015]其中，所述子像素对应的所述第二金属氧化层和所述有机发光层的总基础厚度为m为波的级数，λ为所述子像素对应的所述有机发光层的发光波长，n为所述子像素对应的所述有机发光层的折射率；
[0016]所述子像素对应的所述第二透明导电层和所述有机发光层的总补偿厚度为ω为所述金属掺杂层中所述金属掺杂材料的质量分数。
[0017]可选地，所述子像素包括用于发出红光的红色子像素、用于发出绿光的绿色子像素、用于发出蓝光的蓝色子像素或者用于发出白光的白色子像素；
[0018]所述红色子像素对应的所述有机发光层的厚度、所述绿色子像素对应的所述有机发光层的厚度、所述蓝色子像素对应的所述有机发光层的厚度以及所述白色子像素对应的所述有机发光层的厚度互不相同。
[0019]可选地，所述第一透明导电层的材料为ITO、IZO、AZO、GZO、ITZO、ZTO、IGO、石墨烯和银纳米线中的其中一种。
[0020]根据本专利技术的另一方面，提供了一种发光装置，包括如上一方面所述的发光器件；其中，所述发光器件还包括封装层；所述封装层位于所述第二电极层远离所述有机发光层的一侧并覆盖所述第二电极层；或者，所述封装层位于所述第一电极层远离所述有机发光层的一侧并覆盖所述第一电极层。
[0021]本专利技术实施例的技术方案，发光器件包括基板、有机发光层、第一电极层和第二电极层；有机发光层、第一电极层和第二电极层层叠设置在基板上，有机发光层位于第一电极层和第二电极层之间，第一电极层对光产生半反半透作用，第二电极层对光产生反射作用。通过设置第一电极层包括金属掺杂层，金属掺杂覆盖有机发光层；金属掺杂层包括金属银和金属掺杂材料，金属掺杂材料用于抑制金属掺杂层中的银原子发生聚集，以促使金属掺杂层均匀成膜；本专利技术实施例由此削弱了电极中Ag薄层的聚集现象，提高了器件性能和可靠性，提高了器件的环境可靠性。
[0022]应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本专利技术的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本专利技术的范围。本专利技术的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。
附图说明
[0023]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0024]图1是本专利技术实施例提供的一种发光器件的剖面结构示意图；
[0025]图2是本专利技术实施例提供的另一种发光器件的剖面结构示意图；
[0026]图3是本专利技术实施例提供的另一种发光器件的剖面结构示意图；
[0027]图4是本专利技术实施例提供的另一种发光器件的剖面结构示意图；
[0028]图5是本专利技术实施例提供的一种发光装置的示意图发光装置。
具体实施方式
[0029]为了使本
的人员更好地理解本专利技术方案，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本专利技术保护的范围。
[0030]需要说明的是，本专利技术的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本专利技术的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
[0031]图1是本专利技术实施例提供的一种发光器件的剖面结构示意图。参考图1，发光器件本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光器件，其特征在于，包括：基板、有机发光层、第一电极层和第二电极层；所述有机发光层、所述第一电极层和所述第二电极层层叠设置于所述基板上，所述有机发光层位于所述第一电极层和所述第二电极层之间，所述第一电极层对光产生半反半透作用，所述第二电极层对光产生反射作用；其中，所述第一电极层包括金属掺杂层，所述金属掺杂层覆盖所述有机发光层；所述金属掺杂层包括金属银和金属掺杂材料；所述金属掺杂材料用于抑制所述金属掺杂层中的银原子发生聚集，以促使所述金属掺杂层均匀成膜。2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述第一电极层还包括第一透明导电层；所述第一透明导电层位于所述金属掺杂层远离所述有机发光层的一侧。3.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述第一电极层还包括第二透明导电层；所述第二透明导电层位于所述金属掺杂层靠近所述有机发光层的一侧。4.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述金属掺杂层中，所述金属掺杂材料和所述金属银的比例为20:1至1:20。5.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述金属掺杂层的厚度为15nm至25nm。6.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述金属掺杂材料包括金、铜、镁、镍、铝、锌和钛中的至少一种。7.根据权利要求1或2任一项所述的发光器件，其特征在于，所述发光器件包括至少一个子像素；所述子像素对应的所述有机发光层的厚度为基础厚度与补偿厚度之和；其中，所述子像素对应的所述有机发光层的基础厚度为m为波的级数，λ为所述子...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔英杰，朱映光，张国辉，胡永岚，
申请(专利权)人：固安翌光科技有限公司，
类型：发明
国别省市：