掩膜板及掩膜板的制备方法技术

本申请公开了一种掩膜板及掩膜板的制备方法，掩膜板包括掩膜板本体，掩膜板本体包括相对设置的第一表面和第二表面，其中，掩膜板本体的第一表面为通过掺杂进行改性的表面，增强了掩膜板的强度，使得大尺寸的掩膜板不易形变。变。变。

【技术实现步骤摘要】
掩膜板及掩膜板的制备方法


[0001]本申请涉及生产制造
，尤其涉及一种掩膜板及掩膜板的制备方法。

技术介绍

[0002]AMOLED显示屏即有源矩阵有机发光二极管(Active matrix Organic Light
‑
EmittingDiode)显示屏，因为其具备轻薄、省电、固态显示、高频、主动发光和对比度高等特性，使得AMOLED显示屏具备了许多液晶显示屏无可比拟的优势。
[0003]AMOLED显示屏为实现RGB子像素单独发光，蒸镀过程中需要用到FMM(Fine Metal Mask，精细金属掩膜板)。产线上使用FMM进行蒸镀时，随着FMM尺寸的变大，FMM容易产生形变，导致蒸镀材料的错位，并最终产生发光层错位混色和金属过孔无法覆盖等现象。

技术实现思路

[0004]本申请提供的掩膜板及掩膜板的制备方法，解决现有大尺寸的FMM易产生形变的技术问题。
[0005]为了解决上述技术问题，本申请提供的第一个技术方案为：提供一种掩膜板，包括掩膜板本体，所述掩膜板本体包括相对设置的第一表面和第二表面；其中，所述掩膜板本体的所述第一表面为通过掺杂进行改性的表面。
[0006]在一实施方式中，所述掩膜板还包括第一膜层，所述第一膜层设置于所述掩膜板本体的所述第一表面；所述掩膜板本体的所述第一表面是通过所述第一膜层中的元素掺杂进行改性；
[0007]优选地，所述元素包括铝、铁、镍中的一种或多种；
[0008]优选地，所述第一表面用于与待蒸镀件接触。
[0009]在一实施方式中，所述掩膜板还包括第二膜层，所述第二膜层位于所述掩膜板本体的第一表面的一侧；
[0010]优选地，所述第二膜层设置于所述第一膜层远离所述掩膜板本体的表面；
[0011]优选地，所述第一膜层的厚度与所述第二膜层的厚度之和为50微米
‑
100微米；
[0012]优选地，所述掩膜板本体的材料为因瓦合金。
[0013]为了解决上述技术问题，本申请提供的第二个技术方案为：提供一种掩膜板的制备方法，包括：
[0014]提供掩膜板本体，所述掩膜板本体包括相对设置的第一表面和第二表面；
[0015]对所述掩膜板本体的所述第一表面通过掺杂进行改性。
[0016]在一实施方式中，所述对所述掩膜板本体的所述第一表面通过掺杂进行改性的步骤之前还包括：
[0017]在所述掩膜板本体的所述第一表面形成第一膜层，所述第一膜层的材料包括离子；
[0018]所述对所述掩膜板本体的所述第一表面通过掺杂进行改性的步骤具体包括：
[0019]通过离子交换工艺将所述第一膜层的部分离子注入所述掩膜板本体的所述第一表面；
[0020]优选地，所述离子包括铝离子、铁离子、镍离子中的一种或多种。
[0021]在一实施方式中，所述对所述掩膜板本体的所述第一表面通过掺杂进行改性的步骤之前还包括：
[0022]在所述掩膜板本体的所述第一表面形成第一膜层，所述第一膜层包括金属氧化物；
[0023]所述对所述掩膜板本体的所述第一表面通过掺杂进行改性的步骤具体包括：
[0024]通过原子扩散工艺将所述第一膜层的部分金属氧化物注入所述掩膜板本体的所述第一表面；
[0025]优选地，所述金属氧化物包括三氧化二铝。
[0026]在一实施方式中，所述对所述掩膜板本体的所述第一表面通过掺杂进行改性的步骤具体包括：
[0027]通过离子注入工艺向所述掩膜板本体的所述第一表面注入离子；
[0028]优选地，所述离子包括铝离子、铁离子、镍离子中的一种或多种。
[0029]在一实施方式中，所述提供掩膜板本体的步骤具体包括：
[0030]获取预制件；
[0031]将所述预制件减薄；
[0032]优选地，将所述预制件减薄的厚度大于等于所述第一膜层的厚度；
[0033]优选地，所述预制件的材料为因瓦合金。
[0034]在一实施方式中，还包括：
[0035]在所述第一膜层远离所述掩膜板本体的表面形成第二膜层；
[0036]优选地，所述第一膜层和所述第二膜层的厚度之和等于所述预制件减薄的厚度；
[0037]优选地，所述第一膜层的厚度小于等于所述预制件减薄的厚度的一半，所述第二膜层的厚度大于等于所述预制件减薄的厚度的一半；或，所述第一膜层的厚度大于等于所述预制件减薄的厚度的一半，所述第二膜层的厚度小于等于所述预制件减薄的厚度的一半。
[0038]在一实施方式中，所述在所述掩膜板本体的所述第一表面形成第一膜层的步骤具体包括：
[0039]在所述掩膜板本体的所述第一表面沉积金属层；
[0040]对所述金属层进行氧化处理形成第一膜层；
[0041]优选地，所述金属层的材料包括铝，所述第一膜层的材料包括三氧化二铝；
[0042]优选地，所述金属层的厚度等于所述预制件减薄的厚度。
[0043]本申请的有益效果：区别于现有技术，本申请公开了一种掩膜板及掩膜板的制备方法，掩膜板包括掩膜板本体，掩膜板本体包括相对设置的第一表面和第二表面，其中，掩膜板本体的第一表面为通过掺杂进行改性的表面，增强了掩膜板的强度，使得大尺寸的掩膜板不易形变。
附图说明
[0044]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
[0045]图1是本申请提供的掩膜板的制备方法第一实施例的流程示意图；
[0046]图2是本申请提供的掩膜板的制备方法第二实施例的流程示意图；
[0047]图3是图2提供的掩膜板的制备方法中步骤S21的流程示意图；
[0048]图4是图2提供的掩膜板的制备方法的流程结构示意图；
[0049]图5是本申请提供的掩膜板的制备方法第三实施例的流程示意图；
[0050]图6是本申请提供的掩膜板的制备方法第四实施例的流程示意图；
[0051]图7是图6提供的掩膜板的制备方法的流程结构示意图；
[0052]图8是本申请提供的掩膜板第一实施例的结构示意图；
[0053]图9是本申请提供的掩膜板第二实施例的结构示意图；
[0054]图10是本申请提供的掩膜板第三实施例的结构示意图。
具体实施方式
[0055]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0056]以下描述中，为了说明而不是为了限定，提出了诸如特定系统本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种掩膜板，其特征在于，包括：掩膜板本体，包括相对设置的第一表面和第二表面；其中，所述掩膜板本体的所述第一表面为通过掺杂进行改性的表面。2.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述掩膜板还包括第一膜层，所述第一膜层设置于所述掩膜板本体的所述第一表面；所述掩膜板本体的所述第一表面是通过所述第一膜层中的元素掺杂进行改性；优选地，所述元素包括铝、铁、镍中的一种或多种；优选地，所述第一表面用于与待蒸镀件接触。3.根据权利要求1或2所述的掩膜板，其特征在于，所述掩膜板还包括第二膜层，所述第二膜层位于所述掩膜板本体的第一表面的一侧；优选地，所述第二膜层设置于所述第一膜层远离所述掩膜板本体的表面；优选地，所述第一膜层的厚度与所述第二膜层的厚度之和为50微米
‑
100微米；优选地，所述掩膜板本体的材料为因瓦合金。4.一种掩膜板的制备方法，其特征在于，包括：提供掩膜板本体，所述掩膜板本体包括相对设置的第一表面和第二表面；对所述掩膜板本体的所述第一表面通过掺杂进行改性。5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述对所述掩膜板本体的所述第一表面通过掺杂进行改性的步骤之前还包括：在所述掩膜板本体的所述第一表面形成第一膜层，所述第一膜层的材料包括离子；所述对所述掩膜板本体的所述第一表面通过掺杂进行改性的步骤具体包括：通过离子交换工艺将所述第一膜层的部分离子注入所述掩膜板本体的所述第一表面；优选地，所述离子包括铝离子、铁离子、镍离子中的一种或多种。6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述对所述掩膜板本体的所述第一表面通过掺杂进行改性的步骤之前还包括：在所述掩膜板本体...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘任军，郑红，彭兆基，
申请(专利权)人：昆山国显光电有限公司，
类型：发明
国别省市：