一种检测晶圆断裂的方法、切割装置以及切割设备制造方法及图纸

本申请实施例公开了一种检测晶圆断裂的方法、切割装置以及切割设备，所述检测晶圆断裂的方法包括获取切割轨迹；选取晶圆上位于切割轨迹两侧参照质点作为对比基准；获取晶圆沿切割轨迹被切断临界时的对比基准间的距离X；获取晶圆沿切割轨迹被切割后的对比基准间的距离Ln；判断晶圆是否断裂；若Ln大于或等于X，则断裂；若Ln小于X，则未断裂。本申请实施例采用先沿切割轨迹切割获取晶圆被切断临界时的对比基准间的距离X，将X作为沿切割轨迹切断晶圆的标准，然后获取沿切割轨迹切割晶圆后的对比基准间的距离Ln，然后将Ln与X进行对比来判断对应切割后的晶圆是否断裂，若Ln大于或等于X，则断裂；若Ln小于X，则未断裂。则未断裂。则未断裂。

【技术实现步骤摘要】
一种检测晶圆断裂的方法、切割装置以及切割设备


[0001]本申请涉及检测
，尤其涉及一种检测晶圆断裂的方法、切割装置以及切割设备。

技术介绍

[0002]在半导体组件的制造过程中，通过在晶圆上形成图形化和电极制作，然后进行激光划片，再通过机械劈刀劈裂的方式，以从整块晶圆上分出晶元。
[0003]在晶圆劈裂过程中，为了判断晶元是否完全断开从晶圆中分离，现有技术公开了一种晶圆裂开的光学检知方法，其利用劈裂前后，切割线宽度尺寸差异来判断晶圆是否裂开，然而，该劈裂过程中，大部分晶圆表面附有一层膜，再者晶圆表面光学特性不一，导致部分晶圆上切割线成像效果很差，提取切割线的宽度比较困难，导致误判率较高；
[0004]现有技术还公开了一种晶圆未断灰阶检测方法，其中晶圆劈裂时灰阶变换到达临界值则判断晶圆被劈裂开，这种检测方式对光学环境要求较高，若有其他光照射干扰，效果不佳，而且不同类型晶圆灰阶临界值设置麻烦，并且不同膜对光的特性不一，所以就会导致结果不稳定。
[0005]因此，急需一种可以准确判断晶圆劈断的检测方法。

技术实现思路

[0006]本申请实施例是一种检测晶圆断裂的方法、切割装置以及切割设备，以精准检测晶圆是否断裂。
[0007]本申请实施例公开了一种检测晶圆断裂的方法，包括：
[0008]获取切割轨迹；
[0009]选取晶圆上位于切割轨迹两侧参照质点作为对比基准；
[0010]获取晶圆沿切割轨迹被切断临界时的对比基准间的距离X；
[0011]获取晶圆沿切割轨迹被切割后的对比基准间的距离Ln；
[0012]判断晶圆是否断裂；
[0013]若Ln大于或等于X，则断裂；以及
[0014]若Ln小于X，则未断裂。
[0015]可选的，若Ln小于X，所述检测晶圆断裂的方法还包括：
[0016]增加切割进给量，沿对应切割轨迹再次切割晶圆；以及
[0017]获取晶圆沿对应切割轨迹被切割后的对比基准间的距离Ln+1；
[0018]其中，通过将Ln+1与X进行对比以继续判断晶圆是否断裂，n为大于0的整数。
[0019]可选的，若Ln大于或等于X，所述检测晶圆断裂的方法还包括：
[0020]获取晶圆沿下一切割轨迹被切割后的对比基准间的距离Ln；
[0021]其中，通过将Ln与X进行对比以判断晶圆对应切割处是否断裂。
[0022]可选的，所述“获取晶圆沿切割轨迹被切断临界时的对比基准间的距离X”包括：
[0023]采用手动切割方式沿切割轨迹切断晶圆。
[0024]可选的，所述“获取晶圆沿切割轨迹被切割后的对比基准间的距离Ln”包括：
[0025]采用自动切割方式沿切割轨迹切割晶圆。
[0026]可选的，所述检测晶圆断裂的方法还包括：
[0027]在晶圆上设置特征区；
[0028]所述“选取晶圆上位于切割轨迹两侧参照质点作为对比基准”包括：
[0029]选取晶圆上位于切割轨迹两侧的特征区作为对比基准。
[0030]可选的，所述“获取切割轨迹”包括；
[0031]获取沿第一方向平行且等间距设置于晶圆上的多条第一切割线以及沿第二方向平行且等间距设置于晶圆上的多条第二切割线；
[0032]其中，所述第一方向和所述第二方向之间具有夹角，所述多条第一切割线与所述多条第二切割线配合将晶圆划分出多个呈阵列排布的晶元，每个所述晶元上分别设置相同的特征区，多个所述晶元上的特征区呈阵列排布。
[0033]可选的，所述检测晶圆断裂的方法还包括：
[0034]根据对比基准建立对应匹配的模板；
[0035]所述“获取晶圆沿切割轨迹被切断临界时的对比基准间的距离X”包括：
[0036]根据模板获取晶圆沿切割轨迹被切断临界时的对比基准间的距离X；
[0037]所述“获取晶圆沿切割轨迹被切割后的对比基准间的距离Ln”包括：
[0038]根据模板获取晶圆沿切割轨迹被切割后的对比基准间的距离Ln。
[0039]可选的，所述“根据模板获取晶圆沿切割轨迹被切断临界时的对比基准间的距离X”包括：
[0040]获取晶圆沿切割轨迹被切断临界时的图像；以及
[0041]根据模板与图像对比，获取晶圆沿切割轨迹被切断临界时的对比基准间的距离X；
[0042]所述“根据模板获取晶圆沿切割轨迹被切割后的对比基准间的距离Ln”包括：
[0043]获取晶圆沿切割轨迹被切割后的图像；以及
[0044]根据模板与图像对比，获取晶圆沿切割轨迹被切割后的对比基准间的距离Ln。
[0045]本申请实施例还公开了一种切割装置，所述切割装置包括工作台、切割受台、切割件、图像采集件以及光源，所述工作台的台面用于放置晶圆；所述切割受台与所述工作台固定，且所述工作台的台面与所述切割受台的台面平齐，所述切割受台的台面用于支撑晶圆待切割处；所述切割件的切割头用于切割晶圆，所述切割件设置于靠近所述切割受台的台面侧，且所述切割件的切割头与所述切割受台的台面相对设置；所述图像采集件与所述切割件的切割头相对设置，所述工作台和所述切割受台设置于所述切割件与所述图像采集件之间；所述光源设置于所述图像采集件与所述切割受台之间，所述光源的发光头朝向所述切割受台的台面设置。
[0046]本申请实施例还公开了一种切割设备，所述切割设备包括存储器、处理器以及如上所述的切割装置，所述存储器中存储有如上任意所述的检测晶圆断裂的方法的计算机程序，所述切割装置和所述处理器分别执行所述计算机程序时实现如上任意所述的检测晶圆断裂的方法。
[0047]本申请实施例采用先沿切割轨迹切割获取晶圆被切断临界时的对比基准间的距
离X，将X作为沿切割轨迹切断晶圆的标准，然后获取沿切割轨迹切割晶圆后的对比基准间的距离Ln，然后将Ln与X进行对比来判断对应切割后的晶圆是否断裂，若Ln大于或等于X，则断裂；若Ln小于X，则未断裂，通过客观数据进行直接对比。进而克服了现有技术检测结果不稳定的问题。达到了检测结果直观、准确且清晰的效果。
附图说明
[0048]所包括的附图用来提供对本申请实施例的进一步的理解，其构成了说明书的一部分，用于例示本申请的实施方式，并与文字描述一起来阐释本申请的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中：
[0049]图1是本申请实施例公开的一种检测晶圆断裂的方法流程图；
[0050]图2是图1中判断晶圆断裂或者未断裂后的进一步检测晶圆断裂的方法流程图；
[0051]图3是公开数据X和Ln的采集所对应采用的切割方式的检测晶圆断裂的方法流程图；
[0052]图4是公开在晶圆上设置特征区的检测晶圆断裂的方法流程图；
[0053]图5是公开根据对比基本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种检测晶圆断裂的方法，其特征在于，包括：获取切割轨迹；选取晶圆上位于切割轨迹两侧参照质点作为对比基准；获取晶圆沿切割轨迹被切断临界时的对比基准间的距离X；获取晶圆沿切割轨迹被切割后的对比基准间的距离Ln；判断晶圆是否断裂；若Ln大于或等于X，则断裂；以及若Ln小于X，则未断裂。2.如权利要求1所述的检测晶圆断裂的方法，其特征在于，若Ln小于X，所述检测晶圆断裂的方法还包括：增加切割进给量，沿对应切割轨迹再次切割晶圆；以及获取晶圆沿对应切割轨迹被切割后的对比基准间的距离Ln+1；其中，通过将Ln+1与X进行对比以继续判断晶圆是否断裂，n为大于0的整数。3.如权利要求1所述的检测晶圆断裂的方法，其特征在于，若Ln大于或等于X，所述检测晶圆断裂的方法还包括：获取晶圆沿下一切割轨迹被切割后的对比基准间的距离Ln；其中，通过将Ln与X进行对比以判断晶圆对应切割处是否断裂。4.如权利要求1所述的检测晶圆断裂的方法，其特征在于，所述“获取晶圆沿切割轨迹被切断临界时的对比基准间的距离X”包括：采用手动切割方式沿切割轨迹切断晶圆。5.如权利要求1所述的检测晶圆断裂的方法，其特征在于，所述“获取晶圆沿切割轨迹被切割后的对比基准间的距离Ln”包括：采用自动切割方式沿切割轨迹切割晶圆。6.如权利要求1所述的检测晶圆断裂的方法，其特征在于，所述检测晶圆断裂的方法还包括：在晶圆上设置特征区；所述“选取晶圆上位于切割轨迹两侧参照质点作为对比基准”包括：选取晶圆上位于切割轨迹两侧的特征区作为对比基准。7.如权利要求6所述的检测晶圆断裂的方法，其特征在于，所述“获取切割轨迹”包括：获取沿第一方向平行且等间距设置于晶圆上的多条第一切割线以及沿第二方向平行且等间距设置于晶圆上的多条第二切割线；其中，所述第一方向和所述第二方向之间具有夹角，所述多条第一切割线与所述多条第二切割线配合将晶圆划分出多个呈阵列排布的晶元，每个所述晶元上分别设置相同的特征区，多个所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈世隐，肖国兵，周福海，余俊华，关文武，赵思，唐先俊，詹喜录，尹建刚，高云峰，
申请(专利权)人：深圳市大族微加工软件技术有限公司，
类型：发明
国别省市：