一种晶体硅太阳能电池金属化的方法和设备技术

技术编号:35200362 阅读:16 留言:0更新日期:2022-10-15 10:08
本发明专利技术公开了一种晶体硅太阳能电池金属化的方法和设备,该方法和设备采用导电毛刷接触晶体硅太阳能电池表面,使导电毛刷可以在晶体硅太阳能电池表面没有被掩膜覆盖的面积,例如主栅线的面积,甚至付栅线的面积,直接接触到晶体硅太阳能电池表面,或者说导电接触晶体硅太阳能电池表面。硅太阳能电池表面。硅太阳能电池表面。

【技术实现步骤摘要】
一种晶体硅太阳能电池金属化的方法和设备


[0001]本专利技术是有关一种晶体硅太阳能电池金属化的方法和设备,特别是涉及电镀电源负极接触晶体硅太阳能电池表面的方法和设备。

技术介绍

[0002]中国专利申请号 201510992736.6公开了一种对晶体硅太阳能电池上下表面同时实施水平电镀的方法和设备,即对晶体硅太阳能电池实施水平双面电镀的方法和设备。该方法和设备有多个独立电镀液槽,在每个独立电镀液槽的二侧安装导电传输滚轮作为负极电势传导使晶体硅太阳能电池的上下表面成为电镀工艺的阴极表面,独立电镀液槽的二侧的导电传输滚轮联接电镀直流电源的负极,把电镀直流电源的正极联接到在独立电镀液槽内的下阳极和在晶体硅太阳能电池上方的上阳极,同时对晶体硅太阳能电池的上表面和下表面实施水平电镀。
[0003]该专利公开了通过在独立电镀液槽二侧的导电传输滚轮与晶体硅太阳能电池下表面接触后使晶体硅太阳能电池下表面和上表面同时成为电镀工艺的阴极表面的方法和设备。但是,该专利所公开的方法和设备存在一些缺陷。
[0004]例如,目前在对异质结晶体硅太阳能电池表面实施电镀时,由于异质结太阳能电池的表面覆盖着一层掩膜,而掩膜的厚度在5微米左右,所以独立电镀液槽二侧的导电传输滚轮基本不能直接接触到异质结晶体硅太阳能电池表面,使得异质结晶体硅太阳能电池表面很难形成电镀的阴极表面。
[0005]本专利技术的目的是克服以上这个缺陷。

技术实现思路

[0006]针对以上现有技术的缺陷,本专利技术公开了一种晶体硅太阳能电池金属化的方法和设备,特别是,公开了如何把电镀直流电源的负极接触晶体硅太阳能电池的表面的方法和设备。
[0007]本专利技术的目的是,寻求一种晶体硅太阳能电池金属化的方法和设备,该方法和设备在对晶体硅太阳能电池实施水平电镀过程中,可以改善电镀电源的负极与晶体硅太阳能电池表面的导电接触。
[0008]为实现上述目的,本专利技术公开了一种晶体硅太阳能电池金属化的方法和设备,该方法和设备采用导电毛刷接触晶体硅太阳能电池表面,使导电毛刷可以在晶体硅太阳能电池表面没有被掩膜覆盖的面积,例如主栅线的面积,甚至付栅线的面积,直接接触到晶体硅太阳能电池表面,或者说导电接触晶体硅太阳能电池表面。
[0009]本专利技术的一种晶体硅太阳能电池金属化的方法和设备的优点是,采用导电毛刷后,导电毛刷上的细毛可以在掩膜开口处直接接触晶体硅太阳能电池表面,解决了导电传输滚轮不能直接接触晶体硅太阳能电池表面的问题。
附图说明
[0010]图1. 本专利技术的一种晶体硅太阳能电池金属化的方法和设备实施例之一示意图。
[0011]图2. 本专利技术的一种晶体硅太阳能电池金属化的方法和设备实施例之二示意图。
具体实施方式
[0012]在以下的描述中,为了解释目的,阐述了本专利技术的详细实施方式,帮助对本专利技术的全面理解。显然,这些说明并不是用于限制本专利技术。在不背离本专利技术精神及其实质情况下,本领域的技术人员可根据本专利技术做出各种其它相应的组合,变更或修改。这些相应的组合,变更和修改都属于本专利技术所附权利要求的保护范围内。
[0013]参见图1可以对本专利技术的一种晶体硅太阳能电池金属化的方法和设备做进一步说明。
[0014]本专利技术的一种晶体硅太阳能电池金属化的方法和设备的技术特征之一是所述的方法和设备至少有3个以上的独立电镀液槽80,所述的独立电镀液槽80的宽度小于晶体硅太阳能电池30被水平传输方向的边长,例如,是晶体硅太阳能电池30在水平传输方向的边长的一半;独立电镀液槽80的长度大于晶体硅太阳能电池30的任何一条边长;在独立电镀液槽80之间有导电毛刷60和下传输滚轮50和上传输滚轮10;所述的下传输滚轮50和上传输滚轮10水平传输晶体硅太阳能电池30。
[0015]本专利技术的一种晶体硅太阳能电池金属化的方法和设备的另一个技术特征是采用导电毛刷60导电接触晶体硅太阳能电池30的表面;所述的导电毛刷60由很多可导电的细小毛所组成;所述的细小毛可以接触到晶体硅太阳能电池30的主栅线,或者可以同时接触到晶体硅太阳能电池30的主栅线和付栅线;进一步,所述的导电毛刷60接触晶体硅太阳能电池30的下表面,或者导电毛刷60接触晶体硅太阳能电池30的上表面,或者同时接触晶体硅太阳能电池30的下表面和上表面。
[0016]参见图1,晶体硅太阳能电池30被下传输滚轮50和上传输滚轮10从左向右水平传输,晶体硅太阳能电池30下表面在独立电镀液槽80外侧接触导电毛刷60,在独立电镀液槽80内接触电镀液20,在晶体硅太阳能电池30的上表面上的上阳极40接触在晶体硅太阳能电池30上表面的电镀液20,独立电镀液槽80内有下阳极70,电镀电源90和100的负极联接导电毛刷60,电镀电源90的正极联接上阳极40,电镀电源100的正极联接下阳极70,在下传输滚轮50和上传输滚轮10水平传输晶体硅太阳能电池30时,打开电镀电源90和100,由于导电毛刷60接触晶体硅太阳能电池30下表面,晶体硅太阳能电池30的上表面和下表面成为电镀工艺的阴极,在上阳极40和下阳极70的作用下,在晶体硅太阳能电池30上表面和下表面发生电镀。
[0017]在本专利技术实施例中,晶体硅太阳能电池30的下表面是晶体硅太阳能电池30的n型表面,或者晶体硅太阳能电池30的上表面是晶体硅太阳能电池30的n型表面,即晶体硅太阳能电池30的n型表面可以作为本专利技术的一种电镀晶体硅太阳能电池的方法和设备的上表面,或者下表面。
[0018]进一步,在本专利技术的其它应用中,可以不安装上阳极40,这样,本专利技术仅对晶体硅太阳能电池30的下表面实施单面水平电镀。
[0019]所述的导电毛刷60的特征之一是导电,其它特征包括所述的导电毛刷60应该非常
柔软,在与晶体硅太阳能电池30表面接触摩擦后,不损坏晶体硅太阳能电池30的表面。另外,导电毛刷60可以是毛刷形状的导电毛刷60,或者是有很多裸露细纤维的导电布等。
[0020]在本专利技术的一些应用中,可以不安装第一个导电毛刷60,其目的是防止晶体硅太阳能电池30在接触导电毛刷60后再接触独立电镀液槽80内的电镀液20时,由于接触面小,导致刚接触到电镀液20的局部面积上的电流密度过大而造成金属烧焦问题。同理,也可以不在最后一个独立电镀液槽80后安装导电毛刷60,也可以避免当大部分晶体硅太阳能电池30出独立电镀液槽80后,只有小部分晶体硅太阳能电池30表面接触独立电镀液槽80内的电镀液20,导致接触电镀液20的晶体硅太阳能电池30局部面积上的电流密度过大而造成金属烧焦问题。
[0021]所述的上阳极40可以是可溶性阳极,也可以是不可溶性阳极。所述的上阳极40可以直接接触在晶体硅太阳能电池30上表面的电镀液20,也可以使电镀液20接触上阳极40后再涂布到晶体硅太阳能电池30的上表面。本专利技术的优化设计是采用网状不可溶上阳极40;使上阳极40直接接触在晶体硅太阳能电池30上表面的电镀液20;并且,所述的网状不可溶上阳极40的宽度大于独立电镀本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶体硅太阳能电池金属化的方法,其特征在于,所述的方法把导电毛刷60安装在独立电镀液槽80外侧;所述的导电毛刷60接触晶体硅太阳能电池30表面,使晶体硅太阳能电池30需要被电镀的表面成为电镀工艺的阴极表面。2.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳能电池金属化的方法,其特征在于,所述的独立电镀液槽80的个数大于3;所述的独立电镀液槽80的宽度小于晶体硅太阳能电池30被水平传输方向的边长,独立电镀液槽80的长度大于晶体硅太阳能电池30的任何一条边长。3.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳能电池金属化的方法,其特征在于,所述的导电毛刷60接触晶体硅太阳能电池30的下表面,或者接触晶体硅太阳能电池30的上表面,或者,同时接触晶体硅太阳能电池30的上表面和下表面。4.根据权利要求1或3所述的一种晶体硅太阳能电池金属化的方法,其特征在于,所述的晶体硅太阳能电池30的下表面是晶体硅太阳能电池30的n型表面,或者所述的晶体硅太阳能电池30的下表面是晶体硅太阳能电池30的p型表面;所述的n型表面和p型表面的电镀方法是直流电源诱导的电镀,或者是光诱导电镀,或者是光诱导辅助下的直流电源诱导电镀。5.根据权利要求1或3所述的一种晶体硅太阳能电池金属化的方法,其特征在于,所述的导电毛刷60由导电的细毛所组成,或...

【专利技术属性】
技术研发人员:ꢀ五一IntClC二五D一七零零
申请(专利权)人:苏州易益新能源科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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