显示面板及其制作方法技术

技术编号:35182375 阅读:8 留言:0更新日期:2022-10-12 17:51
本申请提出了一种显示面板及其制作方法;该显示面板包括衬底、设置在衬底上的辅助电极、绝缘设置在辅助电极上的底切金属层、设置在底切金属层上的搭接孔以及绝缘设置在底切金属层上的阴极层,搭接孔沿显示面板的出光方向贯穿底切金属层且延伸至辅助电极的表面,底切金属层包括位于搭接孔两侧的第一金属部和第二金属部,至少部分第一金属部位于搭接孔内,以及阴极层通过搭接孔延伸至与辅助电极连接;本申请通过将用于形成底切结构的辅助电极上的有机/无机绝缘膜层替换成底切金属层,使底切工艺中使用的蚀刻酸液也可由氢氟酸(HF)对应替换成金属酸液,从而避免或减少因氢氟酸(HF)对玻璃基板造成的腐蚀,有利于提高OLED器件的产品良率。件的产品良率。件的产品良率。

【技术实现步骤摘要】
显示面板及其制作方法


[0001]本申请涉及显示技术的领域,具体涉及一种显示面板及其制作方法。

技术介绍

[0002]OLED显示器件为了降低压降以减小显示亮度差异,通常会设置辅助阴极,通过辅助阴极与阴极层的搭接实现电阻并联,进而达到降低阴极层的压降、改善显示效果的目的。现阶段,辅助电极与阴极层的搭接通常通过底切工艺形成底切结构实现,阴极层在形成时可以镀入侧向蚀刻部分,从而与下方辅助阴极搭接,实现阴极层与辅助电极的电性连接。
[0003]当前的底切工艺都是通过氢氟酸(HF)刻蚀辅助电极上的有机/无机绝缘膜层以使辅助电极暴露出来供阴极层搭接,但是,HF会对OLED显示器件的玻璃基板也造成腐蚀,一定程度上降低了OLED器件的产品良率。

技术实现思路

[0004]本申请提供一种显示面板及其制作方法,以改善当前OLED显示器件利用氢氟酸进行底切工艺时腐蚀玻璃基板导致的产品良率下降的技术问题。
[0005]为解决上述技术问题,本申请提供的技术方案如下:
[0006]本申请提供一种显示面板,包括:
[0007]衬底;
[0008]辅助电极,设置于所述衬底上;
[0009]底切金属层,绝缘设置于所述辅助电极上;
[0010]搭接孔,沿所述显示面板的出光方向贯穿所述底切金属层,所述搭接孔延伸至所述辅助电极的表面;以及
[0011]阴极层,绝缘设置于所述底切金属层上;
[0012]其中,所述底切金属层包括位于所述搭接孔两侧的第一金属部和第二金属部,至少部分所述第一金属部位于所述搭接孔内,以及所述阴极层通过所述搭接孔延伸至与所述辅助电极连接。
[0013]在本申请的显示面板中,所述底切金属层包括牺牲层与位于所述牺牲层两侧的遮挡层;
[0014]其中,所述牺牲层的腐蚀速率大于所述遮挡层的腐蚀速率。
[0015]在本申请的显示面板中,在所述第一金属部中,所述牺牲层与两侧的所述遮挡层形成有底切凹槽,所述底切凹槽与所述搭接孔连通。
[0016]在本申请的显示面板中,在所述第一金属部中,所述牺牲层远离所述搭接孔的一侧与所述遮挡层远离所述搭接孔的一侧齐平。
[0017]在本申请的显示面板中,所述第二金属部与所述搭接孔分离设置,以及所述第二金属部的所述牺牲层的面积与所述第二金属部的所述遮挡层的面积相等。
[0018]在本申请的显示面板中,所述显示面板还包括设置于所述底切金属层上的钝化
层,所述钝化层包括设置在所述第一金属部上的第一钝化部与设置在所述第二金属部上的第二钝化部;
[0019]所述第一钝化部与所述第二钝化部位于所述搭接孔的两侧。
[0020]在本申请的显示面板中,所述第一钝化部覆盖所述第一金属部远离所述搭接孔的一侧,所述第二钝化部覆盖全部所述第二金属部,以及所述阴极层覆盖第二钝化部靠近所述搭接孔的表面。
[0021]在本申请的显示面板中,所述显示面板还包括设置于所述钝化层上的平坦层,所述阴极层设置于所述平坦层上;
[0022]其中,所述平坦层在所述底切金属层上的正投影与所述第一金属部、所述第二金属部不重合。
[0023]在本申请的显示面板中,所述显示面板还包括至少一薄膜晶体管,所述底切金属层与所述薄膜晶体管的源漏极层同层设置。
[0024]本申请还提出了一种显示面板的制作方法,包括:
[0025]提供一衬底;
[0026]在所述衬底上形成辅助电极;
[0027]在所述辅助电极上形成与所述辅助电极绝缘设置的底切金属层;
[0028]利用铜酸底切刻蚀所述底切金属层,以形成延伸至所述辅助电极表面的搭接孔;
[0029]在所述底切金属层上形成绝缘设置的阴极层,并使所述阴极层通过所述搭接孔与所述辅助电极搭接。
[0030]有益效果
[0031]本申请通过将传统OLED显示器件中用于形成底切结构的辅助电极上的有机/无机绝缘膜层替换成底切金属层,使底切工艺中使用的蚀刻酸液也可由氢氟酸(HF)对应替换成金属酸液,从而避免或减少因氢氟酸(HF)对玻璃基板造成的腐蚀,有利于提高OLED器件的产品良率。
附图说明
[0032]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0033]图1是本申请所述显示面板的叠层结构示意图;
[0034]图2是本申请所述显示面板的制作方法的流程框图;
[0035]图3至图7是本申请所述显示面板的制作流程示意图;
[0036]附图标记说明:
[0037]100、衬底;
[0038]200、辅助电极;
[0039]300、绝缘缓冲层;
[0040]400、底切金属层;401、牺牲层;402、遮挡层;403、底切凹槽;410、第一金属部;420、第二金属部;430、搭接孔;440、源漏极层;
[0041]500、钝化层;510、第一钝化部;520、第二钝化部;530、第一层间过孔;
[0042]600、平坦层;610、第二层间过孔;
[0043]700、阴极层。
具体实施方式
[0044]下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。此外,应当理解的是,此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请,并不用于限制本申请。在本申请中,在未作相反说明的情况下,使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下,具体为附图中的图面方向;而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
[0045]现阶段,OLED显示器件中,辅助电极与阴极层的搭接通常通过底切工艺形成底切结构实现,当前的底切工艺都是通过氢氟酸(HF)刻蚀辅助电极上的有机/无机绝缘膜层以使辅助电极暴露出来供阴极层搭接。但是,HF会对OLED显示器件的玻璃基板也造成腐蚀,一定程度上降低了OLED器件的产品良率。本申请基于上述技术问题提出了以下方案。
[0046]请参阅图1,本申请提供一种显示面板,包括衬底100、设置在衬底100上的辅助电极200、绝缘设置在辅助电极200上的底切金属层400、设置在所述底切金属层400上的搭接孔430以及绝缘设置在所述底切金属层400上的阴极层700。所述搭接孔430沿所述显示面板的出光方向贯穿所述底切金属层400,所述搭接孔430延伸至所述辅助电极200的表面。所述底切金属层400包括位于所述搭接孔430两侧的第一金属部410和第二金属部420,至少部分所述第一金属部410位于所述搭接孔430内,本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示面板,其特征在于,包括:衬底;辅助电极,设置于所述衬底上;底切金属层,绝缘设置于所述辅助电极上;搭接孔,沿所述显示面板的出光方向贯穿所述底切金属层,所述搭接孔延伸至所述辅助电极的表面;以及阴极层,绝缘设置于所述底切金属层上;其中,所述底切金属层包括位于所述搭接孔两侧的第一金属部和第二金属部,至少部分所述第一金属部位于所述搭接孔内,以及所述阴极层通过所述搭接孔延伸至与所述辅助电极连接。2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述底切金属层包括牺牲层与位于所述牺牲层两侧的遮挡层;其中,所述牺牲层的腐蚀速率大于所述遮挡层的腐蚀速率。3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,在所述第一金属部中,所述牺牲层与两侧的所述遮挡层形成有底切凹槽,所述底切凹槽与所述搭接孔连通。4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,在所述第一金属部中,所述牺牲层远离所述搭接孔的一侧与所述遮挡层远离所述搭接孔的一侧齐平。5.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述第二金属部与所述搭接孔分离设置,以及所述第二金属部的所述牺牲层的面积与所述第二金属部的所述遮挡层的面积相等。6.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述显示...

【专利技术属性】
技术研发人员:宁鹏飞
申请(专利权)人:深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
类型:发明
国别省市:

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