无芯片射频识别装置（“RFID”）制造方法及图纸

本发明专利技术涉及（个性化的）无芯片射频识别装置（“RFID”），特别是（个性化的）无芯片RFID标签，也称为“无芯片RFID标签”。。。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】无芯片射频识别装置（“RFID”）
[0001]本专利技术涉及（个性化的）无芯片射频识别装置（“RFID”），特别是（个性化的）无芯片RFID标签，也称为“无芯片RFID标签”。
[0002]“装置”应理解为包括所要求保护的无芯片RFID标签的包装、文件（特别是安全文件）以及可选地任何对象。
[0003]使用射频识别技术的数据传输系统广泛用于识别带有合适的装置（标签）的任何类型的对象和生物（例如动物或人类）。近几十年来，RFID技术越来越多地推广用作信息存储和传输装置。
[0004]这种RFID技术使用：放置在对象上的无线电标签，也称为发射应答器（英语“transponder”，由词语“transmitter（发射器）”和“responder（应答器）”缩写而来）；以及读取器，也称为询问器，用于读取和识别无线电标签。RFID技术通常分为使用“有源”或“无源”无线电标签的种类。有源无线电标签具有本地能源（如电池），有源无线电标签借助于所述能源向读取器发送信号；因此，有源无线电标签通常以相对较长的发射信号范围为特征。与此相对，无源无线电标签没有内部馈送源，因本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种无芯片RFID标签，包括上面有由传导材料层构成的一个或多个图案的介电基材，其特征在于，介电基材在3至10GHz之间的任何频率下测量的相对介电常数在1至2之间，并且在3至10GHz之间的任何频率下测量的损耗角正切的值小于10
‑3。2.根据权利要求1所述的无芯片RFID标签，其特征在于，介电基材的相对介电常数在1.001至1.25之间。3.根据前述权利要求中的任一项所述的无芯片RFID标签，其特征在于，损耗角正切的值小于2.10
‑4。4.根据前述权利要求中的任一项所述的无芯片RFID标签，其特征在于，介电基材的表观密度小于250kg.m
‑3，优选小于100kg.m
‑3。5.根据前述权利要求中的任一项所述的无芯片RFID标签，其特征在于，介电基材由上面有介电薄膜的根据前述权利要求中的任一项所述的介电基材构成，所述介电薄膜例如纸、板或塑料的薄片，由传导材料层构成的所述一个或多个图案放置在所述介电薄膜上。6.根据权利要求5所述的无芯片RFID标签，其特征在于，介电薄膜的特征在于以下特征中的一个、两个或更多：
‑ꢀ
在3至10GHz之间的任何频率下测量的相对介电常数大于主介电基材的相对介电常数，优选地相对介电常数大于1.25，例如大于2；优选地相对介电常数小于3.5；和/或
‑ꢀ
在3至10GHz之间的任何频率下测量的损耗角正切的值大于主介电基材的损耗角正切的值；优选地，损耗角正切的值小于2.10
‑2；和/或
‑ꢀ
其厚度至多是主介电基材厚度的十分之一；优选地厚度小于100微米，例如小于50微米；和/或
‑ꢀ
由塑性材料构成，例如聚乙烯、聚丙烯或聚对苯二甲酸乙二醇酯。7.根据前述权利要求中的任一项所述的无芯片RFID标签，其特征在于，介电基材的上部与由传导材料层构成的一个或多个图案接触。8.根据前述权利要求中的任一项所述的无芯片RFID标签，其特征在于，介电基材的厚度大于0.5mm，例如大于0.75mm。9.根据前述权利要求中的任一项所述的无芯片RFID标签，其特征在于，介电基材的厚度小于3mm，例如小于1.5mm。10.根据前述权利要求中的任一项所述的无芯片RFID标签，其特征在于，构成图案的传导层的传导材料的厚度大于200nm且小于20微米。11.根据前述权利要求中的任一项所述的无芯片RFID标签，其特征在于，构成图案的传导层的传导材料的厚度大于400nm且小于2微米。12.根据前述权利要求中的任一项所述的具有接地平面的无芯片RFID标签，其特征在于，其包括位于介电基材下方的传导材料层，优选地位于介电基材的整个表面下方。13....

【专利技术属性】
技术研发人员：L，
申请(专利权)人：喷墨引擎技术公司，
类型：发明
国别省市：