铜接合线制造技术

提供一种铜接合线，其即使减轻接合时的摩擦也呈现良好的接合性。该铜接合线的特征在于，将线表面的通过X射线光电子能谱分析(XPS：X－ray Photoelectron Spectroscopy)测定的Cu、Cu2O、CuO、Cu(OH)2的比例的总和设为100％，相对于Cu1价相当的Cu2O的比例(Cu[I])的、将Cu2价相当的CuO、Cu(OH)2合计的比例(Cu[II])的比率即Cu[II]/Cu[I]为0.8～12的范围。的比率即Cu[II]/Cu[I]为0.8～12的范围。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】铜接合线


[0001]本专利技术涉及铜接合线。

技术介绍

[0002]在半导体装置中，通过接合线连接半导体芯片上形成的电极和引线框或基板上的电极之间。此前接合线的材料中金(Au)为主流，但以LSI用途为中心，向铜(Cu)进行代替的研究开发已有进展(例如，专利文献1～3)，此外，在功率半导体用途中，考虑导热率或熔断电流的高度，期待的是向高效、可靠性也高的Cu的替代。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开昭61－48543号公报
[0006]专利文献2：日本特表2018－503743号公报
[0007]专利文献3：国际公开第2017/221770号

技术实现思路

[0008]专利技术要解决的技术问题
[0009]作为使用铜接合线(下面，也简称为“铜线”。)的安装工序的量产时的问题，可举出由于接合性低而要求特殊的接合条件，成为应用扩大变缓的原因。
[0010]在将铜线接合于基板上的电极的楔接合中，存在归结于较低的接合强度的倾向。因此，作本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种铜接合线，其特征在于，将线表面的通过X射线光电子能谱分析XPS测定的Cu、Cu2O、CuO、Cu(OH)2的比例的总和设为100％，Cu2价相当的CuO、Cu(OH)2合计的比例即Cu[II]相对于Cu1价相当的Cu2O的比例即Cu[I]的的比率即Cu[II]/Cu[I]为0.8～12的范围。2.根据权利要求1所述的铜接合线，其特征在于，通过所述X射线光电子能谱分析XPS测定的、Cu(OH)2的比例[Cu(OH)2]相对于CuO的比例[CuO]的比率即[Cu(OH)2]/[CuO]为1～5.5的范围。3.根据权利要求1或2所述的铜接合线，其特征在于，通过所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：宇野智裕，小山田哲哉，小田大造，下村光太，山口正，
申请(专利权)人：日铁化学材料株式会社，
类型：发明
国别省市：