阵列基板及显示面板制造技术

本申请提供一种阵列基板及显示面板，包括衬底以及位于衬底一侧的像素电路、电源线、第一数据线和第二数据线；像素电路包括第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管的半导体图案在衬底上的正投影比第二晶体管的半导体图案在衬底上的正投影更靠近第一数据线在衬底上的正投影，第二晶体管的半导体图案在衬底上的正投影比第一晶体管的半导体图案在衬底上的正投影更靠近第二数据线在衬底上的正投影；电源线在衬底上的正投影经过第二晶体管的第一极的半导体图案与第二数据线在衬底上的正投影之间的区域。因此，本申请提供的阵列基板及显示面板，可以降低电源线的压降，保证阵列基板的供电效果和显示面板的显示效果。供电效果和显示面板的显示效果。供电效果和显示面板的显示效果。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及显示面板


[0001]本申请涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板及显示面板。

技术介绍

[0002]有机发光二极管(Organic Light
‑
Emitting Diode，简称为OLED)，OLED具有主动发光、高对比度、超轻薄、耐低温、响应速度快、功耗低、视角广、抗震能力强等特点，从而得到越来越多的应用。
[0003]相关技术中，显示面板包括阵列基板和发光层，阵列基板具有高电平(ELVDD)信号线，ELVDD信号线的一端电连接至电源芯片，ELVDD信号线的另一端电连接至发光层中的阳极，从而为阳极提供高电平信号。
[0004]然而，上述ELVDD信号线的压降较大，从而影响显示面板的显示效果。

技术实现思路

[0005]鉴于上述至少一个技术问题，本申请实施例提供一种阵列基板及显示面板，可以降低ELVDD信号线的压降，从而保证阵列基板的供电效果，以保证显示面板的显示效果。
[0006]为了实现上述目的，本申请实施例提供如下技术方案：
[0007]本申请实施例的第一方面提供一种阵列基板，包括：衬底以及位于衬底一侧的像素电路、电源线、第一数据线和第二数据线，第一数据线和第二数据线沿第一方向间隔设置，电源线、第一数据线和第二数据线均向第二方向延伸；
[0008]像素电路包括第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管的半导体图案在衬底上的正投影比第二晶体管的半导体图案在衬底上的正投影更靠近第一数据线在衬底上的正投影，第二晶体管的半导体图案在衬底上的正投影比第一晶体管的半导体图案在衬底上的正投影更靠近第二数据线在衬底上的正投影，第二晶体管的第一极的半导体图案在衬底上的正投影位于第一数据线和第二数据线在衬底上的正投影之间；电源线在衬底上的正投影经过第二晶体管的第一极的半导体图案与第二数据线在衬底上的正投影之间的区域；其中，第一方向与第二方向不同。
[0009]本申请实施例提供的阵列基板，电源线在衬底上的正投影经过第二晶体管的第一极的半导体图案与第二数据线在衬底上的正投影之间的区域。电源线在衬底上的正投影不经过第二晶体管的第一极的半导体图案和第一晶体管的第一极的半导体图案在衬底上的正投影之间的区域，以避免了第二晶体管的第一极的半导体图案和第一晶体管的第一极的半导体图案之间的距离较小而影响电源线的宽度。第二晶体管的第一极的半导体图案与第二数据线在衬底上的正投影之间的区域的宽度较大，可以将经过该区域的部分电源线设置的较宽，使得经过该区域的部分电源线的电阻较低，可以降低电源线的压降，从而保证显示面板的显示效果。
[0010]在一种可能的实施方式中，电源线包括第一延伸段，第一延伸段在衬底上的正投影位于第二数据线和第二晶体管的第一极的半导体图案在衬底上的正投影之间，第二晶体
管的第一极的半导体图案在衬底上的正投影与第二数据线在衬底上的正投影之间的距离，大于第一延伸段的最大宽度；
[0011]第一晶体管的第一极的半导体图案和第二晶体管的第一极的半导体图案之间的距离，小于第一延伸段的最小宽度。
[0012]这样，可以避免电源线与其他结构短路；另外，第一延伸段可以设置的较宽，从而使得第一延伸段的压降较小，以保证显示面板的显示效果。
[0013]在一种可能的实施方式中，第一晶体管用于数据写入，第一晶体管的第一极与第一数据线或第二数据线电连接，电源线在衬底上的正投影与第一晶体管的半导体图案在衬底上的正投影不交叠。
[0014]这样，可以避免电源线位于第一晶体管的半导体图案的正上方，从而可以避免在第一晶体管写入数据线的信号时与电源线之间的耦合电容过大，电源线和数据线之间的干扰较小，从而有利于显示面板的显示。
[0015]在一种可能的实施方式中，像素电路还包括驱动晶体管和第三晶体管，第三晶体管用于在发光阶段控制发光单元发光；
[0016]第三晶体管的第一极与电源线电连接，第三晶体管的第二极与驱动晶体管的第一极电连接，第三晶体管的第一极的半导体图案在衬底上的正投影与第一数据线在衬底上的正投影的距离，大于第三晶体管的第一极的半导体图案在衬底上的正投影与第二数据线在衬底上的正投影的距离，第三晶体管的第二极的半导体图案在衬底上的正投影与第二数据线在衬底上的正投影的距离，大于第三晶体管的第二极的半导体图案在衬底上的正投影与第一数据线在衬底上的正投影的距离；
[0017]可以实现的是，第三晶体管的第一极的半导体图案在衬底上的正投影与第二数据线在衬底上的正投影之间的距离范围为1.2μm
‑
3μm。
[0018]这样，便于第三晶体管的第一极的半导体图案与电源线通过过孔连接。
[0019]在一种可能的实施方式中，像素电路包括第四晶体管和第五晶体管，第四晶体管用于在发光阶段控制发光单元发光，且第四晶体管的第一极与发光单元电连接，第五晶体管用于对发光单元进行复位；
[0020]第四晶体管的半导体图案和第五晶体管的半导体图案在衬底上的正投影分别位于第三晶体管的半导体图案在衬底上的正投影的两侧。
[0021]在一种可能的实施方式中，第四晶体管的第一极的半导体图案与第五晶体管的第一极的半导体图案断开；
[0022]阵列基板还包括连接线，连接线用于将第四晶体管的第一极的半导体图案与第五晶体管的第一极的半导体图案电连接，连接线与像素电路的半导体图案位于不同层。
[0023]这样，可以避免第五晶体管的半导体图案、第四晶体管的半导体图案和第三晶体管的第一极的半导体图案之间短路。
[0024]在一种可能的实施方式中，像素电路的数量为多个，且多个像素电路在第一方向和第二方向上排布，在第二方向上相邻的两个像素电路中，其中一个像素电路的第一晶体管的第一极与第一数据线电连接，另一个像素电路的第一晶体管的第一极与第二数据线电连接。
[0025]这样，可以增加数据写入时间，有利于高刷和功耗。
[0026]在一种可能的实施方式中，第一数据线和第二数据线均设置有数据连接端，且分别通过对应的数据连接端与对应的第一晶体管的第一极电连接，数据连接端位于第一数据线和第二数据线之间，数据连接端与第一数据线之间的距离等于数据连接端与第二数据线之间的距离。
[0027]这样，使得第一数据线和第二数据线与奇数行和偶数行的第一晶体管的传输距离一致，从而可以保证奇数行和偶数行的像素电路的数据信号的一致性。
[0028]在一种可能的实施方式中，像素电路包括驱动晶体管和第六晶体管，第六晶体管用于对驱动晶体管的栅极进行复位，第六晶体管的第二极与驱动晶体管的栅极电连接；电源线在衬底上的正投影与第六晶体管的第二极的半导体图案在衬底上的正投影至少部分重叠；
[0029]沿阵列基板的厚度方向，第六晶体管的半导体图案和第二数据线位于电源线的相对两侧。
[0030]这样，可以降低第六晶体管的第二极的半导体图案与第二数据线之间的信号干扰。
[0031]本申请实施例的第二方面提供一种显示面板，包括本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底以及位于所述衬底一侧的像素电路、电源线、第一数据线和第二数据线，所述第一数据线和所述第二数据线沿第一方向间隔设置，所述电源线、所述第一数据线和所述第二数据线均向第二方向延伸；所述像素电路包括第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管的半导体图案在所述衬底上的正投影比所述第二晶体管的半导体图案在所述衬底上的正投影更靠近所述第一数据线在所述衬底上的正投影，所述第二晶体管的半导体图案在所述衬底上的正投影比所述第一晶体管的半导体图案在所述衬底上的正投影更靠近所述第二数据线在所述衬底上的正投影，所述第二晶体管的第一极的半导体图案在所述衬底上的正投影位于所述第一数据线和所述第二数据线在所述衬底上的正投影之间；所述电源线在所述衬底上的正投影经过所述第二晶体管的第一极的半导体图案与所述第二数据线在所述衬底上的正投影之间的区域；其中，所述第一方向与所述第二方向不同。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述电源线包括第一延伸段，所述第一延伸段在所述衬底上的正投影位于所述第二数据线和所述第二晶体管的第一极的半导体图案在所述衬底上的正投影之间，所述第二晶体管的第一极的半导体图案在所述衬底上的正投影与所述第二数据线在所述衬底上的正投影之间的距离，大于所述第一延伸段的最大宽度；所述第一晶体管的第一极的半导体图案和所述第二晶体管的第一极的半导体图案之间的距离，小于所述第一延伸段的最小宽度。3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一晶体管用于数据写入，所述第一晶体管的第一极与所述第一数据线或所述第二数据线电连接，所述电源线在所述衬底上的正投影与所述第一晶体管的半导体图案在所述衬底上的正投影不交叠。4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电路还包括驱动晶体管和第三晶体管，所述第三晶体管用于在发光阶段控制发光单元发光；所述第三晶体管的第一极与所述电源线电连接，所述第三晶体管的第二极与所述驱动晶体管的第一极电连接，所述第三晶体管的第一极的半导体图案在所述衬底上的正投影与所述第一数据线在所述衬底上的正投影的距离，大于所述第三晶体管的第一极的半导体图案在所述衬底上的正投影与所述第二数据线在所述衬底上的正投影的距离，所述第三晶体管的第二极的半导体图案在所述衬底上的正投影与所述第二数据线在所述衬底上的正投影的距离，大于所述第三晶体管的第二极的半导体图案在所述衬底上的正投影与所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：何洋，朱修剑，
申请(专利权)人：昆山国显光电有限公司，
类型：发明
国别省市：