芯片封装结构和功率器件制造技术

本申请公开了一种芯片封装结构和功率器件。本申请实施方式的芯片封装结构，包括引脚、驱动晶体管和芯片，所述芯片的源极连接所述驱动晶体管的栅极，所述芯片的栅极连接所述驱动晶体管的源极；引脚包括第一引脚、第二引脚、第三引脚和第四引脚，第一引脚连接芯片的漏极且第二引脚连接驱动晶体管的源极以形成功率回路，第三引脚连接驱动晶体管的源极且第四引脚连接驱动晶体管的栅极以形成驱动回路。本申请避免了在驱动回路与功率回路共用源极造成寄生电感震荡，从而可以提升功率器件的开关速度，并降低导通损耗。并降低导通损耗。并降低导通损耗。

【技术实现步骤摘要】
芯片封装结构和功率器件


[0001]本申请涉及半导体
，特别是一种芯片封装结构和功率器件。

技术介绍

[0002]随着电源模组小型化的发展，功率器件的工作频率不断提高，对功率器件中的芯片封装结构的寄生参数及驱动带来越来越严苛的要求。芯片封装结构的源极产生的寄生电感在高频应用环境中会使得芯片封装结构的功率回路中造成振荡，容易导致芯片封装结构出现误开现象，而影响功率器件的开关性能。

技术实现思路

[0003]本申请旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本申请提供了一种芯片封装结构和功率器件。
[0004]本申请实施方式的芯片封装结构，包括引脚、驱动晶体管和芯片，所述芯片的源极连接所述驱动晶体管的栅极，所述芯片的栅极连接所述驱动晶体管的源极；
[0005]所述引脚包括第一引脚、第二引脚、第三引脚和第四引脚，所述第一引脚连接所述芯片的漏极且所述第二引脚连接所述驱动晶体管的源极以形成功率回路，所述第三引脚连接所述驱动晶体管的源极且所述第四引脚连接所述驱动晶体管的栅极以形成驱动回路。
[0006]在某些实施方式中，所述驱动晶体管为垂直导电结构。
[0007]在某些实施方式中，所述驱动晶体管为增强型驱动晶体管。
[0008]在某些实施方式中，所述芯片包括氮化镓芯片。
[0009]在某些实施方式中，所述氮化镓芯片为耗尽型氮化镓芯片。
[0010]本申请实施方式的功率器件，包括上述的芯片封装结构。
[0011]在某些实施方式中，所述功率器件采用TO
‑
247封装。
[0012]在某些实施方式中，所述功率器件还包括封装壳体，所述第一引脚、所述第二引脚、所述第三引脚和所述第四引脚依次间隔排列并部分伸入所述封装壳体内。
[0013]在某些实施方式中，所述第一引脚与所述第二引脚的间距大于所述第二引脚与所述第三引脚的间距。
[0014]在某些实施方式中，所述封装壳体包括第一壳体、第二壳体和金属基板，所述金属基板设置于第一壳体上，所述第一壳体和第二壳体合围形成空间，所述驱动晶体管和所述芯片位于所述空间内，其中，所述驱动晶体管设置于所述金属基板上，所述芯片设置于所述第一壳体上。
[0015]在某些实施方式中，所述驱动晶体管的源极和栅极位于远离所述金属基板的一侧，所述驱动晶体管的漏极连接所述金属基板。
[0016]本申请实施方式的芯片封装结构和功率器件中，通过第一引脚连接芯片的漏极且第二引脚连接驱动晶体管的源极而形成功率回路，并通过第三引脚连接驱动晶体管的源极且第四引脚连接驱动晶体管的栅极设置，能够有效将共用驱动晶体管的源极的驱动回路和
功率回路隔离。从而可以使得驱动晶体管源极的寄生电感减少，而降低了驱动晶体管源极的寄生电感对驱动回路造成的震荡，如此，有效避免了驱动回路因震荡而导致出现误开现象，提高功率器件的可靠性，并且，可以提高功率器件的开关速度以及降低导通损耗。
[0017]本申请的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。
附图说明
[0018]本申请的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施方式的描述中将变得明显和容易理解，其中：
[0019]图1是本申请某些实施方式中的功率器件的结构示意图。
[0020]图2是本申请某些实施方式的功率器件的整体示意图。
[0021]图3是本申请某些实施方式的驱动晶体管和芯片的连接示意图。
[0022]附图元件标号
[0023]芯片封装结构10、引脚11、第一引脚111、第二引脚112、第三引脚113、第四引脚114、驱动晶体管13、芯片15；
[0024]封装壳体20、第一壳体21、第二壳体22、金属基板23、功率器件100。
具体实施方式
[0025]下面详细描述本申请的实施方式，所述实施方式的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施方式是示例性的，仅用于解释本申请，而不能理解为对本申请的限制。
[0026]在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
[0027]在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
[0028]在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示
第一特征水平高度小于第二特征。
[0029]下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
[0030]同时随着电源模组小型化的发展，功率器件的工作频率在不断提高，通常，功率器件的工作频率在100khz
‑
130khz。氮化镓器件作为功率器件的一种，氮化镓器件相比于Si和SiC具有更高的电子迁移率、饱和电子速度和击穿电场。氮化镓器件可以实现更小的导通电阻和栅极电荷(意味着更优秀的传导和开关性能)。因此，因此，氮化镓器件广泛应用于电源适配器、车载充电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片封装结构，其特征在于，所述芯片封装结构包括引脚、驱动晶体管和芯片，所述芯片的源极连接所述驱动晶体管的栅极，所述芯片的栅极连接所述驱动晶体管的源极；所述引脚包括第一引脚、第二引脚、第三引脚和第四引脚，所述第一引脚连接所述芯片的漏极且所述第二引脚连接所述驱动晶体管的源极以形成功率回路，所述第三引脚连接所述驱动晶体管的源极且所述第四引脚连接所述驱动晶体管的栅极以形成驱动回路。2.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述驱动晶体管为垂直导电结构。3.根据权利要求2所述的芯片封装结构，其特征在于，所述驱动晶体管为增强型驱动晶体管。4.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述芯片包括氮化镓芯片。5.根据权利要求4所述的芯片封装结构，其特征在于，所述氮化镓芯片为耗尽型氮化镓芯片。6.一种功率器件，其特征在于，包括权利要求1
‑
5任意一项所述的芯片封装结构。7....

【专利技术属性】
技术研发人员：王祥，武占侠，温雷，卜小松，
申请(专利权)人：深圳市国电科技通信有限公司，
类型：发明
国别省市：