【技术实现步骤摘要】
一种显示面板及显示面板的制造方法
[0001]本申请涉及显示领域,具体涉及一种显示面板及显示面板的制造方法。
技术介绍
[0002]随着显示技术的发展,显示面板已经广泛用于人们生活中,例如手机、电脑等的显示屏幕。在显示面板中的薄膜晶体管的制造过程中,需要对半导体层进行重掺杂(N+)和轻掺杂(N
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)工艺,即需要离子注入工艺。
[0003]然而,现有显示面板中的薄膜晶体管的掺杂或离子注入过程耗时较长、效果一般,且轻掺杂部位限制了薄膜晶体管中的电流大小,不利于微型发光二极管(Min
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LED,Mico
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LED等)等电流驱动型显示装置的驱动。
技术实现思路
[0004]本申请实施例提供了一种显示面板及显示面板的制造方法,可以解决现有显示面板中的薄膜晶体管的掺杂或离子注入过程耗时较长、效果一般的问题,且轻掺杂部位限制了薄膜晶体管中的电流大小,不利于微型发光二极管(Min
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LED,Mico
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LED等)等电流驱动型显示
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种显示面板,其特征在于,包括基底和设置于所述基底上的多个薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括:第一栅极,设置于所述基底上;第一栅极绝缘层,设置于所述第一栅极上;半导体层,设置于所述第一栅极绝缘层上;第二栅极绝缘层,设置于所述半导体层上;第二栅极,设置于所述第二栅极绝缘层上;源极和漏极,设置于所述第二栅极上;其中,所述半导体层包括对应所述第二栅极的沟道区、对应所述源极的源极区、对应所述漏极的漏极区、位于所述源极区和所述沟道区之间的第一传输区、位于所述漏极区和所述沟道区之间的第二传输区;所述第一传输区和所述第二传输区均与所述沟道区的材质完全相同,所述第一栅极在所述基底上的正投影覆盖所述源极区、所述漏极区、所述第一传输区、所述沟道区和所述第二传输区在所述基底上的正投影,所述第一栅极和所述第二栅极的电性信号的电位相同。2.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述源极区和所述漏极区均包括掺杂元素。3.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述源极区和所述漏极区均与所述沟道区的材质完全相同。4.如权利要求2或3所述的显示面板,其特征在于,还包括:层间绝缘层,设置于所述源极、所述漏极与所述第二栅极之间;连接电极,与所述源极和所述漏极同层设置且材料相同;第一通孔,贯穿所述层间绝缘层;第二通孔,贯穿所述层间绝缘层、所述第二栅极绝缘层和所述第一栅极绝缘层,所述连接电极通过所述第一通孔和所述第二通孔分别电连接所述第二栅极和所述第一栅极。5.如权利要求2或3所述的显示面板,其特征在于,所述半导体层的材料包括多晶硅或半导体氧化物。6.如权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述半导体层在所述基底上的正投影覆盖所述第二栅极在所述基底上的正投影,所述显示面板还包括:第三通孔,贯穿所述层间绝缘层和所述第二...
【专利技术属性】
技术研发人员:欧青青,
申请(专利权)人:TCL华星光电技术有限公司,
类型:发明
国别省市:
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