本发明专利技术提供一种静电吸盘，具备陶瓷电介体基板及基座板，其特征为，陶瓷电介体基板具有：第1、第2主面；槽部，从第1主面向第2主面凹下；及多个冷却气体用孔，穿通槽部与第2主面之间，槽部具有第1、第2周向槽及第1、第2径向槽，多个冷却气体用孔具有：第1孔，当俯视观察时与第1径向槽发生重叠；及第2孔，当俯视观察时与第2径向槽发生重叠，基座板具有向第1孔及第2孔供给冷却气体的气体导入路，第1周向槽具有位于周向的一端侧的第1端部及位于另一端侧的第2端部，第2周向槽具有位于周向的一端侧的第3端部及位于另一端侧的第4端部，第3端部及第4端部分别在径向上并不与第1端部发生重叠。部分别在径向上并不与第1端部发生重叠。部分别在径向上并不与第1端部发生重叠。
【技术实现步骤摘要】
静电吸盘以及半导体制造装置
[0001]本专利技术的形态一般涉及一种静电吸盘以及半导体制造装置。
技术介绍
[0002]在进行蚀刻、CVD(Chemical Vapor Deposition)、溅射(sputtering)、离子注入、抛光等的等离子体处理腔室内，作为吸附保持半导体晶片或玻璃基板等处理对象物的手段而使用静电吸盘。静电吸盘是对内置的电极外加静电吸附用电力，通过静电力吸附硅片等基板的装置。
[0003]近年来，伴随半导体元件的微细化，要求进一步提高通过蚀刻等的对晶片的加工精度。已周知对晶片的加工精度依赖加工时的晶片温度。因此，为了提高对晶片的加工精度，要求均匀地控制静电吸盘的表面温度。
[0004]作为控制静电吸盘的表面温度的手段，已周知如下方法，即设置连通于向静电吸盘(陶瓷电介体基板)的表面供给冷却气体的冷却气体用孔的槽，借由该槽使冷却气体流遍静电吸盘的表面。例如，专利文献1中公开有如下槽图案，以同心圆状配置周向上延伸的多个周向槽，而且将这些周向槽连接于径向上延伸的径向槽，由此使冷却气体流遍静电吸盘的表面。
[0005]但是，在专利文献1的槽图案中，各周向槽在途中被中断，各周向槽的端部在径向上以直线状对齐。因此，在专利文献1的槽图案中，在各周向槽的端部聚集的区域中，冷却气体难以流遍，周向上的冷却气体分布的均匀性有可能下降。
[0006]专利文献专利文献1：日本国特开2001
‑
110883号公报
技术实现思路
[0007]本专利技术是基于这样的课题的认识而进行的，所要解决的技术问题是提供一种静电吸盘以及半导体制造装置，其能够提高周向上的冷却气体分布的均匀性。
[0008]第1专利技术是一种静电吸盘，具备：陶瓷电介体基板，当俯视观察时呈圆形；及基座板，支撑所述陶瓷电介体基板，其特征为，所述陶瓷电介体基板具有：第1主面，放置处理对象物；第2主面，位于所述第1主面的相反侧；槽部，从所述第1主面向所述第2主面凹下；及多个冷却气体用孔，穿通所述槽部与所述第2主面之间且被设置成冷却气体可通过，所述槽部具有：第1周向槽，周向上延伸；第2周向槽，周向上延伸且至少一部分在径向上与所述第1周向槽相邻；第1径向槽，径向上延伸且与所述第1周向槽发生交叉；及第2径向槽，径向上延伸且与所述第2周向槽发生交叉，所述多个冷却气体用孔具有：第1孔，当俯视观察时与所述第1径向槽发生重叠；及第2孔，当俯视观察时与所述第2径向槽发生重叠，所述基座板具有向所述第1孔及所述第2孔供给所述冷却气体的气体导入路，所述第1周向槽具有：第1端部，位于周向的一端侧；及第2端部，位于周向的另一端侧，所述第2周向槽具有：第3端部，位于周向的所述一端侧；及第4端部，位于周向的所述另一端侧，所述第3端部及所述第4端部分别
在径向上并不与所述第1端部发生重叠。
[0009]根据该静电吸盘，由于第2周向槽的第3端部及第4端部分别被配置成在径向上并不与第1周向槽的第1端部发生重叠，因此能够抑制第1周向槽的端部与第2周向槽的端部在径向上以直线状对齐。由此，能够抑制冷却气体难以流遍的区域产生，能够提高周向上的冷却气体分布的均匀性。另外，近年来为了提高加工精度，陶瓷电介体基板的结构趋于复杂化，有时无法将多个冷却气体用孔配置在同一圆周上。当多个冷却气体用孔并不配置在同一圆周上时，根据不同槽图案的形状，周向上的冷却气体分布的均匀性有可能下降。对此，根据该静电吸盘，即使在多个冷却气体用孔并不配置在同一圆周上时，也能够提高周向上的冷却气体分布的均匀性。
[0010]第2专利技术是一种静电吸盘，具备：陶瓷电介体基板，当俯视观察时呈圆形；及基座板，支撑所述陶瓷电介体基板，其特征为，所述陶瓷电介体基板具有：第1主面，放置处理对象物；第2主面，位于所述第1主面的相反侧；槽部，从所述第1主面向所述第2主面凹下；及多个冷却气体用孔，穿通所述槽部与所述第2主面之间且被设置成冷却气体可通过，所述槽部具有：第1周向槽，周向上延伸；第2周向槽，周向上延伸且至少一部分在径向上与所述第1周向槽相邻；第1径向槽，径向上延伸且与所述第1周向槽发生交叉；及第2径向槽，径向上延伸且与所述第2周向槽发生交叉，所述多个冷却气体用孔具有：第1孔，当俯视观察时与所述第1周向槽发生重叠；及第2孔，当俯视观察时与所述第2周向槽发生重叠，所述基座板具有向所述第1孔及所述第2孔供给所述冷却气体的气体导入路，所述第1周向槽具有：第1端部，位于周向的一端侧；及第2端部，位于周向的另一端侧，所述第2周向槽具有：第3端部，位于周向的所述一端侧；及第4端部，位于周向的所述另一端侧，所述第3端部及所述第4端部分别在径向上并不与所述第1端部发生重叠。
[0011]根据该静电吸盘，由于第2周向槽的第3端部及第4端部分别被配置成在径向上并不与第1周向槽的第1端部发生重叠，因此能够抑制第1周向槽的端部与第2周向槽的端部在径向上以直线状对齐。由此，能够抑制冷却气体难以流遍的区域产生，能够提高周向上的冷却气体分布的均匀性。另外，根据该静电吸盘，即使在多个冷却气体用孔并不配置在同一圆周上时，也能够提高周向上的冷却气体分布的均匀性。
[0012]第3专利技术为如下静电吸盘，其特征为，在第1或第2专利技术中，从所述第1径向槽与所述第1周向槽的交点到所述第1孔的距离，相同于从所述第2径向槽与所述第2周向槽的交点到所述第2孔的距离。
[0013]根据该静电吸盘，由于从第1径向槽与第1周向槽的交点到第1孔的距离相同于从第2径向槽与第2周向槽的交点到第2孔的距离，因此即使在第1孔与第2孔并不配置在同一圆周上时，也能够提高周向上的冷却气体分布的均匀性。
[0014]第4专利技术为如下静电吸盘，其特征为，在第1～第3的任意一个专利技术中，所述第3端部及所述第4端部分别在径向上并不与所述第2端部发生重叠。
[0015]根据该静电吸盘，由于第2周向槽的第3端部及第4端部分别被配置成在径向并不与第1周向槽的第2端部发生重叠，因此能够抑制第1周向槽的端部与第2周向槽的端部在径向上以直线状对齐。由此，能够进一步抑制冷却气体难以流遍的区域产生，能够进一步提高周向上的冷却气体分布的均匀性。
[0016]第5专利技术为如下静电吸盘，其特征为，在第1～第4的任意一个专利技术中，所述第1周向
槽具有包含周向的中央的中央区域，所述第3端部在径向上与所述中央区域发生重叠。
[0017]根据该静电吸盘，由于第2周向槽的第3端部被配置成在径向上与第1周向槽的中央区域发生重叠，因此能够进一步提高周向上的冷却气体分布的均匀性。
[0018]第6专利技术为如下静电吸盘，其特征为，在第5专利技术中，所述第3端部位于与所述第1周向槽的周向的所述中央相比更靠近周向的所述另一端侧的位置。
[0019]根据该静电吸盘，由于第2周向槽的第3端部位于与第1周向槽的周向的中央更靠近周向的另一端侧的位置，因此能够进一步提高周向上的冷却气体分布的均匀性。
[0020]第7专利技术为如下静电吸盘，其特征为，在第6专利技术中，所述第4本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种静电吸盘，具备：陶瓷电介体基板，当俯视观察时呈圆形；及基座板，支撑所述陶瓷电介体基板，其特征为，所述陶瓷电介体基板具有：第1主面，放置处理对象物；第2主面，位于所述第1主面的相反侧；槽部，从所述第1主面向所述第2主面凹下；及多个冷却气体用孔，穿通所述槽部与所述第2主面之间且被设置成冷却气体可通过，所述槽部具有：第1周向槽，周向上延伸；第2周向槽，周向上延伸且至少一部分在径向上与所述第1周向槽相邻；第1径向槽，径向上延伸且与所述第1周向槽发生交叉；及第2径向槽，径向上延伸且与所述第2周向槽发生交叉，所述多个冷却气体用孔具有：第1孔，当俯视观察时与所述第1径向槽发生重叠；及第2孔，当俯视观察时与所述第2径向槽发生重叠，所述基座板具有向所述第1孔及所述第2孔供给所述冷却气体的气体导入路，所述第1周向槽具有：第1端部，位于周向的一端侧；及第2端部，位于周向的另一端侧，所述第2周向槽具有：第3端部，位于周向的所述一端侧；及第4端部，位于周向的所述另一端侧，所述第3端部及所述第4端部分别在径向上并不与所述第1端部发生重叠。2.一种静电吸盘，具备：陶瓷电介体基板，当俯视观察时呈圆形；及基座板，支撑所述陶瓷电介体基板，其特征为，所述陶瓷电介体基板具有：第1主面，放置处理对象物；第2主面，位于所述第1主面的相反侧；槽部，从所述第1主面向所述第2主面凹下；及多个冷却气体用孔，穿通所述槽部与所述第2主面之间且被设置成冷却气体可通过，所述槽部具有：第1周向槽，周向上延伸；第2周向槽，周向上延伸且至少一部分在径向上与所述第1周向槽相邻；第1径向槽，径向上延伸且与所述第1周向槽发生交叉；及第2径向槽，径向上...
【专利技术属性】
技术研发人员：小野瑛人，上藤淳平，梅津智树，早川达也，
申请(专利权)人：TOTO株式会社，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。