【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】剪切稀化导热有机硅组合物
[0001]本专利技术涉及具有剪切稀化特性的导热有机硅组合物。
技术介绍
[0002]导热有机硅组合物广泛用于电子工业中，以在部件之间提供热桥，如热源和散热器。导热有机硅组合物包含聚硅氧烷中的导热填料。导热填料增加了组合物的热导率。能够期望的是增加导热填料的浓度以便增加组合物的热导率。增加填料浓度还倾向于增加组合物的粘度，这对于稳定组合物以防止填料沉降和允许一团组合物在沉积到底物上时保持其形状可以是能够期望的。然而，增加的粘度还可导致组合物的处理挑战，尤其是在将组合物沉积在底物上时通过孔挤出组合物。
[0003]在不因粘度增加而抑制组合物挤出的情况下，剪切稀化的导热有机硅组合物将有助于增加填料含量。剪切稀化组合物在很少或没有剪切下具有高粘度，以提供组合物稳定性，同时稀化以由于与挤出相关的剪切而允许挤出。挑战在于鉴定如何在高度填充的导热有机硅组合物中引起最大量的剪切稀化行为，同时在剪切下仍实现足够低的粘度以允许挤出组合物。
[0004]本专利技术的目的是增加导热有机硅组合物的触变指数，...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种组合物，所述组合物包含以下组分：(a)15体积百分比至49.8体积百分比的第一聚硅氧烷，如根据ASTM D4283
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98测定的，所述第一聚硅氧烷具有在50厘沲至550斯托克斯范围内的粘度；(b)0.2体积百分比至5体积百分比的有机粘土；(c)50体积百分比至74体积百分比的圆形或压碎的导热填料，所述导热填料包括：(i)5体积百分比至15体积百分比的小导热填料，所述小导热填料具有在0.1微米至1.0微米范围内的中值粒度；(ii)10体积百分比至25体积百分比的中等导热填料，所述中等导热填料具有在1.1微米至5.0微米范围内的中值粒度；(iii)25体积百分比至50体积百分比的大导热填料，所述大导热填料具有在5.1微米至50微米范围内的中值粒度；以及(d)0体积百分比至5体积百分比的不同于所述第一聚硅氧烷的烷氧基官能线性聚硅氧烷和/或烷氧基官能线性硅烷；其中体积百分比值是相对于组合物体积的。2.根据权利要求1所述的组合物，其中所述导热填料是选自由以下组成的组的任何一种或多于一种的组合：氧化铝、铝、氧化锌、氧化镁、氮化铝、氮化硼和碳化硅。3.根据任一前述权利要求所述的组合物，其中所述有...
【专利技术属性】
技术研发人员：E，
申请(专利权)人：美国陶氏有机硅公司罗门哈斯公司，
类型：发明
国别省市：
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